L_5 (Конспекты лекций), страница 5
Описание файла
Файл "L_5" внутри архива находится в папке "Конспекты лекций". PDF-файл из архива "Конспекты лекций", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "микроэлектроника и схемотехника (мис)" из 4 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лекции и семинары", в предмете "микроэлектроника и схемотехника (мис)" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 5 страницы из PDF
У них отсутствует явление накопления носителей в структуре и явление насыщения, присушее биполярным транзисторам.Благодаря этому мощные полевые транзисторы успешно вытесняют мощные биполярные транзисторы в области силовой электроники малой и средней мощности.[2][3]За рубежом в последние десятилетия стремительно развивается технологиятранзисторов на высокоподвижных электронах (ТВПЭ), которые широко используются в СВЧ устройствах связи и радионаблюдения.
На основе ТВПЭ создаются как гибридные, так и монолитные микроволновые интегральныесхемы (англ.)). В основе действия ТВПЭ лежит управление каналом с помощьюдвумерного электронного газа, область которого создаётся под контактом затвора благодаря применению гетероперехода и очень тонкого диэлектрическогослоя — спейсера.Основные тенденции в технологии изготовления ИС на полевых транзисторах.Современные технологии позволили уменьшить длину канала в полевомтранзисторе, следовательно, сопротивление канала заметно уменьшилось: у современных реальных МОП-транзисторов размеры начинают заходить в субмикронную область.Современное направление развития технологии изготовления полевыхтранзисторов – нанотехнологии.26Структура многоканального полевого транзистора свертикальной архитектурой и оболочковым затворомна основе нитевидных нанокристаллов SiРис.5.19Области истока и стока располагаются друг над другом, а каналнаходится в вертикальной плоскости.
Оболочковый затвор представляет собой металлический электрод, огибающий канал транзисторасо всех сторон и обеспечивающий хорошее управление током транзистора с помощью потенциала затвора. Оболочковая конструкция затвора позволяет исключить токи утечки транзистора в закрытомсостоянии. При большой плотности транзисторов в будущих микросхемах токи утечки могут приводить к сильному разогреву, с которым не справится никакое охлаждение. Эпитаксиальный рост нитевидных нанокристаллов устраняет потребность в сложном травлении при формировании канала, что необходимо во многих других типах архитектуры с оболочковым затвором..
