L_17 (Конспекты лекций), страница 3

Параметры модели биполярного транзистораИмяпараметра вмоделиОбозначение втекстеПараметрISI0Ток насыщения при температуреBFβИдеальный коэффициент усилениятока в схеме с ОЭ (без учета токовутечки).BRβFИдеальный коэффициент усилениятока в схеме с ОЭ (в инверсномрежиме)NFnFКоэффициент эмиссииNRnRКоэффициент эмиссии в инверсномрежимеЗначение поумолчанию10 −1627 0 С , A1VAFНапряжение Эрли в активномрежиме∞VARНапряжение Эрли в инверсномрежиме∞Объемное сопротивление базы, Ом0Объемное сопротивлениеколлектора, Ом0REОбъемное сопротивление эмиттера,Ом0TFВремя переноса заряда через базу вактивном режиме, сек0TRВремя переноса заряда через базу винверсном режиме, сек0RBRCRSCJCC j0Емкость коллекторного перехода,пФ0MJCτTКоэффициент, учитывающийплавность коллекторного перехода0.33VJCКонтактная разность потенциаловколлекторного перехода, В0.75CJEЕмкость эмиттерного перехода, пФ0MJEКоэффициент, учитывающий0.3316плавность эмиттерного переходаVJEКонтактная разность потенциаловэмиттерного перехода, ВCJSЕмкость коллектор-подложка, Ф0MJSКоэффициент, учитывающийплавность перехода коллекторподложка0VJSКонтактная разность потенциаловперехода коллектор-подложка, В0.7517Таблица 17.3.

Параметры моделей МОП-транзисторовИмяпараметра вмоделиОбозначение втекстеLEVELПараметрЗначение поумолчаниюУровень модели1TOXt oxТолщина слоя оксида1СOXCoxУдельная емкость, Ом0U0µКоэффициент,учитывающийподвижность носителей в канале,см2/В/сKPk′Параметр удельной крутизныLAMBDAλКоэффициент модуляции длиныканала, 1/В0VT0U0Пороговое напряжение, В1GAMMAγКоэффициент влияния потенциалаподложкинапороговоенапряжение, ВNSUBNA , NDPHI2Φ f6002 ⋅ 10 −5Вычисляется12Уровень легирования подложкиПоверхностныйинверсии, Впотенциал0.6JSПлотностьтоканасыщенияперехода сток (исток) –подложка,А/м2CJУдельная емкость перехода сток(исток) – подложка при нулевомсмещении, Ф/м20MJКоэффициент,учитывающийплавность перехода сток (исток) –подложка0.5CJSWУдельнаяемкостьбоковойповерхностипереходасток(исток) – подложка при нулевомсмещении, Ф/м0PBV0Напряжениеприповерхностногоподложки, Винверсиислоя0.818Длина области боковой диффузии,м0Ширинаобластидиффузии, мбоковой0CGBOУдельная емкость перекрытиязатвор-подложка, Ф/м0CGDOУдельная емкостьзатвор-сток, Ф/мперекрытия0CGSOУдельная емкостьзатвор-исток, Ф/мперекрытия0LDLovWDТаблица 17.4.

Параметры модели тиристораИмяпараметра вмоделиОбозначение втекстеПараметрVdsmU dsmНеповторяющееся импульсноенапряжение в открытом состоянии, ВVrsmU dsmНеповторяющееся импульсноенапряжение в открытом состоянии, ВVdrmU drmПовторяющееся импульсноенапряжение в открытом состоянии, ВVrrmДопустимое обратное напряжение, ВVtmНапряжение в открытом состоянии, ВItmНоминальный ток, АdVdtIgtToffКритическая скорость нарас-танияпрямого напряжения, В/мкс.Отпирающий токэлектрода, мАуправляю-щегоВремя выключения, мкс19Таблица 17.5. Параметры модели магнитного сердечникаИмяПараметр, размерностьAПараметр формы безгистерезиснойкривой намагничивания, А/м10 3Площадьпоперечногомагнитопровода, см2сечения0.1смещения0.2AREACGAPKMSПостояннаяупругогодоменных границШирина воздушного зазора, см0Коэффициент, учитывающийподвижность доменов, А/м500Намагниченность насыщения, А/м10 6PACKКоэффициент заполнения сердечника1PATHСредняя длина магнитной силовойлинии, см1Примечание.Параметры AREA, PATH, GAP, PACK определяются геометрическимиразмерами сердечника.

Остальные параметры зависят от свойствиспользуемого магнитного материала..