МУ к лабораторным работам по приборно-технологическому моделированию в системе TCAD Sentaurus, страница 8
Описание файла
PDF-файл из архива "МУ к лабораторным работам по приборно-технологическому моделированию в системе TCAD Sentaurus", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "автоматизация проектирования электронных средств" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "книги и методические указания", в предмете "автоматизация проектирования электронных средств" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 8 страницы из PDF
Такой файл можно обрабатывать и в другихпрограммах, например в Microsoft Excel (PHI и TETA – параметры,задаваемые пользователем). После всех действий plt-файл закрывается.В завершение всего следует отметить, что для выполнения подобныхскриптов следует в дерево компонентов проекта добавить компонент Inspect,щелчком правой клавиши мыши вызвать контекстное меню и выбратькоманду «Edit Inputs/Commands…». В открывшемся окне набиратькомандный файл и сохранить его. Аналогичные действия можно выполнятьиз компонента Tclsh, но без расширения функций Inspect.14.
Задания для лабораторной работы №5 «Обработкаэлектрических характеристик и разработка управляющих модулей наязыке TCL»На языке TCL написать программу в соответствии с вариантами1. Написать программу, которая для всех узлов компонента sdevice,номера которых кратны 3, определяет наибольшее дискретное значение токана стокозатворной характеристике.2.
Написать программу, которая для всех узлов компонента sdevice,номера которых кратны 3, определяет наименьшее положительноедискретное значение тока на стокозатворной характеристике.3. Написать программу, которая для выбранного узла компонентаsdevice выполняет численное дифференцирование стокозатворнойхарактеристики и определяет максимальное значение производнойпороговой характеристики.4. Написать программу, которая для всех узлов компонента sdevice,номера которых кратны 5 выполняет определение длины массива абсциссстокозатворной характеристики.5. Написать программу, которая выполняет удаление из выходнойхарактеристики всех точек с положительной абсциссой, значение которойменьше 10-2. Результат записать в текстовый файл.6. Написать программу, которая для одного узла компонента sdeviceвыполняет умножение всех ординат стокозатворной характеристики наквадрат абсциссы.
Результат записать в текстовый файл.7. Написать программу, которая для одного узла компонента sdeviceвыполняет операцию умножения стокозатворной характеристики саму насебя. Результат записать в текстовый файл.8. Написать программу, которая запускает на выполнение все узлыкомпонента sdevice1 с нечетными номерами из текущего узла tcl.У к а з а н и е. Каждый узел запускается командой TCL exec sdevicepp@node|sdevice1@_des.cmd, где pp@node|sdevice1@_des.cmd – имякомандного файла, полученного после препроцессорной обработкиисходного командного файла sdevice1_des.cmd (подстановки конкретныхзначений всех параметров в местах ссылки на них).9.
Написать программу, которая для одного узла компонента sdevice1выполняет умножение выходной характеристики саму на себя. Результатзаписать в текстовый файл.Литература1. Ферри Д., Эйкерс Л., Гринич Э. Электроника ультрабольшихинтегральных схем: Пер. с англ.– М.: Мир, 1991.– 327 с.: ил.2. МОП СБИС. Моделирование элементов и технологическихпроцессов/Под ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема:Пер. с англ.– М.: Радио и связь, 1988.– 496 с.:ил.3. Sentaurus Device User Guide. Version G-2012.06, June 2012.
– Synopsys,USA, California, Mountain View, 2012. – 1368 p.4. Sentaurus Workbench User Guide. Version G-2012.06, June 2012. –Synopsys, USA, California, Mountain View, 2012. – 230 p.5. Inspect User Guide. Version G-2012.06, June 2012. – Synopsys, USA,California, Mountain View, 2012. – 180 p.№Вар.Приложение 1. Описание моделируемого технологическогомаршрутаНазвание шагаOperation ParametersИнициализацияenvironmentsubstrate1,5ФормированиеP-карманаimplant2,6implant3,7implant12Формированиеподзатворного окислаи затвораannealdepositpattern3etch4etchetchtitle: LIGAMENTTutorial:NMOSsimulator:sprocess region:SIM2Ddopant: boron concentration:5e14 /cm3species: boron dose:2e13 /cm2 energy: 300keV tilt: 0 deg rotation: 0degspecies: boron dose:1e13 /cm2 energy: 80 keVrotation: 0 degspecies: bf2 dose: 2e12/cm2 energy: 25 keVrotation: 0 degtime: 8 min nitrogen: 0 %oxygen: 100 %temperature=950material: poly thickness:0.2 µmlayer: POLY polarity:light_field thickness: 1µmmaterial: poly thickness:0.2 µm etch_type:anisotropic over_etch: 10%material: oxide thickness:0.01 µm etch_type:anisotropic over_etch: 10%material: resist thickness: 1µm etch_type: stripanneal4, 8ФормированиеLDD-областей56implantannealФормирование спейсеровdeposit7etch8etch5, 9Формирование областейИстока/стокаimplantannealtime: 20 min nitrogen: 0 %oxygen: 100 %species: arsenic dose:4e14 /cm2 energy: 10 keVtilt: 0 degtime: 5 sec temperature:1050 degCmaterial: nitride thickness:0.2 µmmaterial: nitride thickness:0.2 µm etch_type:anisotropic over_etch: 10%material: oxide thickness:0.01 µm etch_type:anisotropic over_etch: 10%species: phosphorus dose:3e15 /cm2 energy: 25 keVtilt: 0 degtime: 10 sec temperature:1050 degC.