лист1 (Технология нанесения дискретных антифрикционных покрытий)
Описание файла
Файл "лист1" внутри архива находится в папке "Технология нанесения дискретных антифрикционных покрытий". PDF-файл из архива "Технология нанесения дискретных антифрикционных покрытий", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электронные технологии (мт-11)" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "элионные технологии или тио" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Технологический анализ изделия и выбор методаЧертеж изделияМетоднанесенияТермическое испарениеУсловияреализацииРабочая среда: P = 10-4 - 10-1 ПаТемпература подложки:373 - 973 KРаспыление материалапосредством нагревания.Рабочая среда: P = 10-5 - 10-2 ПаТемпература подложки:293 - 693 KОсаждение ионнымраспылением++Неравномерностьтолщины(торец) - 10%++Осаждение взрывовНеравномерностьтолщины (цилиндр)-20%Осаждение дуговымразрядомСвойства наносимыхпокрытийСтойкость к абразивномуизнашиваниюКоррозионная стойкость+Максимальная рабочая температура,град85HRC 73HRC 1,5 ГПа76691608.27.45.0624001800 1000++++++Ионное осаждение+Плотность г/см3 Нерегулируемая скоростьосаждаемого материалаосаждения Универсальность Низкая, непостоянная и Простота реализациинерегулируемая энергияосаждаемых частиц Универсальность Регулируемая скоростьосаждения Простая реализацияРаспыление материала споверхностивысокоэнергетическими ионамирабочего газа.Рабочая среда: P = 103 - 10-5 ПаТемпература подложки: 293 K Высокая скоростьосаждения Хорошая адгезияпокрытияРаспыление материала взрывомпр импульсном воздействиилазерным лучом, электронногопучка, мощным импульсом тока.Рабочая среда: P = 10-2 - 10-5 ПаТемпература подложки:293 - 693 K Высокий коэффициент Не высокая чистотаосаждаемой пленки Низкая, нерегулируемаяэнергия осаждаемыхчастиц Сложность реализации Высокая неравномерностьпокрытия Присутствие капельнойионизации частицфазы в потоке Универсальностьосаждаемого вещества Нет необходимости Нерегулируемая энергияРаспыление материала дуговымприменятьчастицразрядом.дополнительный газ для Сложность конструкцииионизацииПрименимостьВозможноприменение нопроцесс оченьэнергозатратен,так же скоростьосаждениянеобходимогопокрытия будеткрайне малаОбеспечиваетвысокуюуниверсальность,качество ивоспроизводимостьпроцесса,возможностьработатьпрактически слюбымиматериалами.Сложен вреализации ивысоканеравномерностьпокрытияСложностьконтролированияпроцесса иреализацииконструкцииMoS2+Молярная масса г/мольTiN+ТвердостьTiSiBN Высокая чистотаНедостаткиметодаНагревСостав покрытияПокрытиеПреимущества методаХимическое осаждениеРабочая среда: P = 10-3 - 10-5 Па Регулируемая энергияТемпература подложки:осаждаемых частиц Высокая скорость293 - 493 KосажденияГенерация плазмы исходноговещества и ускорение ионов иливсей плазмы с последующей ееконденсацией на поверхностиподложки. Сложность реализации Загрязнение пленкиконструкционнымиматериаламиРабочая среда: P = 105 - 10-1 Па Широкий диапазон Использование токсичных,Температура подложки:скоростей осажденияэкологически293 - 1793 K Возможность получениянебезопасных газовыхОсаждение материала из смесизаданнойсмесейгазов, содержащих компонентыкристаллическойпленкирешеткиПрактическиневозможнополучить плазмуиз титана.Невозможносоздание иподдержаниегазовой фазытитана..