Электронные технологии в машиностроении (28.04.02 Наноинженерия), страница 4

Мсхаиизм проиикиовсш(я ионов в подложку. Дефекты и способы их устраиеиия. Отжиг легироваииых с)руктур. Отрукгуриыс схемы устаповок игишой им()ла)(зации. 11ереч(и(ь еаирисоа !. ! 1аи(а«синс. Особсииости и к,почсвые ))роцессь) микро- и иаиотехиологий. 2. Основиые методы нанесения гоиких плевок в вакууме. Осио»иыс методы микро- иаиолитографии. 4, Ос)и)впь(с методы вакуумпо-ш)азмсииого (равлсиия. б Мс)оды иоцпо-лучевой обработки, иоииая имплаитация, 6.

Методы и средства коигродя качества процессов микро- и иаиотсхиоло)и, 7. Лиа:п(з качества процессов микро- и иапогехиолси ии. )!. '!'(и(овос Ооорудовш)ис;пя произвшгс)ва изделий микро и и()иоз))ектро()ик)$. (,'О!))(П)х)ВП(ис ос!!В~В)<О(($ )х $0(по)х и;КПОк. 1хапил()яриая и молоку)арно-кинетичсская (сор()и за(х),'$! Писобразоваи(О!.

! !). ЗО:В,-гсл), мез Оды формирования )кавос(руктур, 11 (ролученис металлических и дизлектрических слоев, оксидов, ннтридой. карбидов. К И. ) ИННДОН И ПХ КОМ()И Нанн й, !.'. Ви.(ы у)деродпых пшюструктур: нано(рубок. фу;шсроноа. сс)маз!)подобных ндснок.

13. 1 йзофцз)ц)с г)саж)(снис. дуговое ишшрснис. м)н петрин)шс росны.')ение, метод )гагре)'ой пи~и ! гя н!) )) )Счп)х ) ышродных ншшс)р к(ур. ', ) О ч))О-С.'ШСКОС ОсйжДСПНК' ПЯНОСЗШСК. 15. (Ьшсссннс тонких )пенок с ионным ассистироаанием. 1Сх Мс)оды получения й(омйрных и молекулярных потокоа, к)касторное осйждение.

!7. Мего)(ы и сбор)доайпие для осаждения нйнострукт)р: молекулярно-ггучегн)я «пи)йкс!)я. 18. Мс голы и Оборудование ддя осаждения наноструктур: лазерная абляння. 19, Мк (о,(ь) и оборудование гь)я осаждения наноструктур: магнстроннос распыление. 20. Мс)ш(ы и !)бор):(онйнис,)ля осйждглп)я нанос(руктур: ионное осаждснне.

Окчн)анан учебнаи литеранг) ра 1. Машиностроение. ')Нциклонедия. Раздел !И. том Ш-8. Технология оборудойания н системы упрй!«пения Б электроннОМ ма(ниносз))пении. — М„Машиностроснис. 2000. — 744 с. :.. ')лионныс нршгсссы и на)кмехнологь(и ' 1О.В. 11анфилоа. М.; Изд-во М! ТУ нм. 115). Ваумшш. 2011. 128 с.

Моголы „)п)о)рйфии н пшшинжеперии: учеб. ш)собис ' В.В. Макарчук. И,А. Родио)и)й. (К) !). Цикп коа. М.: Изд ао М1 1У им. 115). Ьаумана, 2(И 1. 176 с, 4. Высокоййк)миьш тсхноло) ические процессы в ийноипженерии: учео.пособие Ю.В.Панфилов. Е.М. Моисеев. В.П. Михайлов. — Мд Изд-ао МГТУ им, !1,'). Ьаумана, 20! 1. 5, Вакуумная гсхннкш сирано шик,) нод Общ. ред. К.Е. Демнхоаа, Ю.В. Панфилова. '-с изд.. перераб.

и дон. М.: Машиностроение, 2009, 590 с. ил.4, ,7она анита;юьния Лчабнаи )(итерат))ра Мапо(ас(нг(пй !'СсЬпк)!к)8)ез 1ог Масйпса ОГ (1те Рц(пгс.- Врппйсг У)х(1а8 Всг1)п 11с(к(с(ЬС(8 (чс)) Уог(к, 2003, 820 р. )7 СЬар(ег 14. К!Сс(гоп(с Уйсшш) 1'есйпо(ой(ся ) 1..1.УО1СЫкем(СЬ. 'г'.У.рапГ)!Ок.- Р.413-448 2, 11апфилон 1О.В., Рябов Ву!., Цветков Ю,Ь. Оборудование для произйодшиа микросхем и промышлепньш роботы. М.; Радио и связь, 1988.- ) Во. шкснич Л.И..

11анфнлон 10.В,. Цие! кой !О.Ь. и др. ')лскгро)шое машинок гросникч Учебное пособие. Под ред. Волчкейича Л.И, М.: Изд-во М1"!'У иь! 1! ") Ьах))йий !989 1')8 с 4. Волчкснич Л.И.. Панфилов Ю.В., Цветков 1О.Б. и др. '.)лектронпос мйшинос)р!)Спие: Учебное пособие. Часть 2.— М.: Изд-йо МГ РУ им. И.'.).!)ауыанй.

1991. — 132 с., ил. !!РИМЕР билета ппеьменных вступительных испытаний ВИЛРЛ ВСГУ1 1ИПЛЬ! 1Ь!Х ИС11Ы ТЛНИЙ В МЛГИСТРЛ ГУРУ ПО НЛПРАВЛИ!И10 28.04.02 !)аноннженерни 11рофн. гь но и отовкн 28,04 02 02 «Инженерные нано! ехполо!'Ип в магнпное гроении» Вопрос №1. 1(ринсднтс примеры 0-мсрнь)х. 1-мерных, 2-мерных и 3-ыернь(х наносгрукгур.

аозможш,)с методы их изготовления. Об)(асти применения .....,.......,......,.......... (10 баллон) Вопрос %2, Схемы нанесения зс»иких иле»»ок в вакууме .гермическим испарением, ионным распылением, дуговым испарением, газофазным осаждением. обеспечение однородное ги с!»огана пленки. равномерности тол»инны (закон Кнъдсена! и заданной структуры материала гоикоилено'ики о иокрьпия . (10 !»го!»и»!»! (!!»!!р!»»чя ! ( хек»ь! вакх»мн!» и»»азыснн!»! о» !риале»гия кп»кр!»с!р»»ггур. ш»»шсчо и!»ни!» хим»и»сск!»! о и химичсско! о. сравнение ме!одоп по быстро:!сйствик» и погрешности размеров микрос »рук ! ! р (10 ба;шов! Вопрос %4.

Структурно-камиошпн»чная схема установки для ионной имплантации. в!»ияпис массы и .»нсргии ионов на распреде;»ение концентрационного профиля ле! нроваиия и!»луг»ройс»з!ннковоГО мазе!»иат!а (10 баллов ! В!и!рос %1 Имирип! ли»щ рафня сущность мего»да, этапы технологического процесса. п1»имсиясмь!с маге!»иа.»ь!. х»ии»»ь»!к»ып »е 1»азмеры »гаиост!»уктур, сравнение с д!»угимн методами :!ито! !»афин области и!»вменения . (10 Оаг!»п»в! Вопрос %6.,'Угаиы разработки технологическо!.о оборудования.

работы поискового, ! соре гичсско»о и»ксисримщп адьиого характера. .. (10 бал:юв'!. Всчц»ос М»7. 11оказатели иадйжиости мгнпищ безотказность. ремои гопригодиос ! ь ,!о.иове шос»ь. сохраняемосты методы расчета показателей надбжности (! ОС1 27.301-95! или сС комплексных пока»а»слей .(10 падлов!. .1!»»!!»»с Х4. Меха»ропп»,!й»лскгромсхапический привод. структура мехазр!»нн!»го модуля. ппи»8»*!с схсх»ы. .(10 баллов!.

Вопрос Ж.-9. Динамика привода, вынужденные колеоания: параметрические и автоколебаиия, собс!веииая частота враигакяпсгося вала, расчет по методу Рзлея, крптическая час»о»а !»рапгсиия ва:га ..(10 ба;шов!. Вопрос Ме(О. 10лаисгарныс и »юв!»ротные механизмы дла виутрикамерных перемещений в вакууми,»х наиылитсльных установках. Типовые конструкции приводов и вакуумных вводов !пи»женил в вакмум . „(10 баллов). Ьп»!е! утвержден иа заседании кафедры !ЧТ-11 Заведучя»!пий кафечрой М'1'-11 Линор(ы) программы ! !анфилов !ОЙ,(г дл,н., профессор 1и!еа»р Рю В !К.и., Р~Ф~~Р 1Ьгла 1О»(» !- .

+»... р $ юр !»слик!»в Л,И. ~-:" к.т.н., доцент Н" Р |!йЛ, "! ~..К. Л.,Ю~ г~ Фамеинхнп Л:Т.;~~"! доцент Лекап факульГета М1 ,'1екаи факуль!е и 1'.1! Заведуюи1ий кафедрой М'1'-11 Заведующий кафедрой 1'Л-6 11а коп*ник отдела магиетратуры Л.В. Ипкатоа С.В. Альков Ю, В. 11анфнлоа ВД. И1ашурин Ь.П. Назаренко «Утве)зждаго» Ректор М1*ТУ им, гз,'.).

Баумана Структура и содержание типового варианта экваменапйонного задании дли проведения вступительных испытаний в магистратуру кафедры РЛ6 по нанравдеь!ииз подготовкй 28.04,02 «ззаноинзкег!ерйи» Бо:)рос №!. .)галы )зазработки технологического оборудования. Научно-исследовательские работы. Вилы НИР. Цель и ожидаемые результаты фундаментальных НИР, их основные агапы и виды выьцзлияеьзых работ. ! ! О ба:псов! Вопрос №2. ! 'ил)зизлический привод. ! рсбовация к рабочей жидкости.

Структура и оацгвпыс характс)зисзззки гилропривода. приведите типовукз схему и опишите технические срелсзиа. цозволяиицие использотза гь гилроиривод в «чистых» помещениях. И О баллов) Вопрос №3. Структура технологической машины, Классификация источников движения по физическому принципу работы и виду движения, !'ребовашзя к злектромсхаиическому приводу, Цримсрги ~ руппово~ о. ипдивилуал ш» о и )заспределеи~зо~о приводов.

()О бзаллов) Вопрос №4. Определите длину волны фотона„испускаемого нри г!ерех~зде злектрозза (масса ьч) одномс)зной примоугольнсзй потснпиалвной име с бескоз!евно высокими с!сй!ц!ми !!!!!1»иной !« .— — 0,2 нм цз состояния с и = 2 в состОяние с наименыцей эцер!Исй. Справочцо: !! = 'т,85 10 ' Дж.

с; гп = 0,91 3.6 ' г.110 баллов) Вопрос №5. .)лектроц с энергией Š— — 1,2 кэВ движется в положительном направлении оси .т и встречает на своем пути бесконечно протяженный прямоугольный цо !сцциа;!ы!ый по1»ог высотоЙ Ц» = 150 эВ. Оцреде!!и!е во сколько раз изменится ;!ли!На волны де Б1»ОЙля цри прохождении че1»ез этот потенциальный поро~, (10 баллов) Вопрос №6, Определить величину энергии Ферми для свободных электронов в металле цри '1'-О. Коццег! !ра!ц!я электронов и = э Ы "" св! См-3.

Справо«ццн г! = 1,0э 10 '' Д»к с,!т! = 0,91 10 ""ат(10баллов) В процессе испытаний 1000 электролитических конденсаторов за цервь!е 100 ч наблюдений вышли из строя 2 конденсатора, а за следующие 200 ч — еще 5, 11айти верояпюсть оезо!казной работы коц!!сцса!Оров в интервале времени от 100 до 300;ч. (10 баллов) Вопрос МЮ. 13")С с!. с!Оцт из 1 000 у г!Ов Всроя !ц! !с ! ! оп аза ьц! >бо! о узла в гечение одцо!о года равна 0,001 и при:хгом це зависит от состояния других узлов РЭС, Найти вероятности двух отказов и не менее двух отказов в течение года.

(10 баллов) Воцро. №о 11рибор состоит из двух блоков, соединенных последовательно, Второй црс!!с!!Ии!»!с! собой узел дублированный горячим резервом, Считая. что вс)хоятцость каждого из трех узлов системы задана и равна 0,9 в течение 1000 ч, найти срединно наработку системы до первого отказа при экспоненциальцом законе надежности, (10 баллов) Схема Оценинйния заданий Варианта Ма~еийалннай е~~~а Оаллел за 10 заД~~ йарнанза — 100. Рйенределение баллОн нО задачам следмюясе: ! НОмер задачи ~ 1 ' Ьаллы 0 Г "'- 10 ~ 7 ) 5 2 ~ О 1 . Х Стеиеш ре|ненноети задачи, 1 ! 0,75,' 0,5 ~ 0,25 1 )~~ч Н1 Ответы лля ти110ВОГО Вариан' ! а экзаменациоегнОГО задания для проведения всгупи гсльных испытаний в магистратуру кафедры РЛ6 по направлению подгот11вки 28,04.02 <(Наноинженерия» Вопрос Ль1. Научно-исследовательские работы.

Видь1 НИР. Цель и ожидаемыс результаты фундаме1ггальных НИ1'„их Основные эгапы и виды ВыпОлняемых работ. 110 б1аллов1 Ответ на вопрос 1: Научно-исследовательской работой называется работа научного характера, СВЯЗВ1ГНВЯ С НауЧНЫМ ПОИСКОМ, ПРОВЕДЕНИЕМ ТЕО1ЭЕТИЧССКИХ И ЗКСПЕРИМЕНТВЛЬП1ь1Х 1гсслсдований с целью получения новых или расширения имеющихся знаний 11ровь рки 1 ипогез мс*1анов,1е11ия 1акономерностей Виды 11ИР: - 11)упдамептальные., - поисковые Прааияы~ьу' овавеы '-' оици - прнкладныс Цель фундаментальных 11ЙР -- это Выявление., изучение и систематизация об.ьективных Явлений и закономерностей развития природы и общества.

Дрпяильный ответ 2 ои.ми 1'сзуль1В г фундаментальных НИР— гипотезы, теории, методы, рекомендации по посттнювкс прикладных исследований для Выявления практического использования полученных результатов Пдауаьдь1у о»1яет 2 ба,кш Виды рабьп 1эгапов) нрн выполнении фундаментальных НИР: 1 — выдвижение гипотезы„постановка цели и задач исследования„ 2 — р~зрабо~к~ Ме~одики анализа истинности гипотезы; 3 -- Организация 1кспсримснта; 4 — теоретические исследования, анализ результатов зкспериме1гга, УТОЧНЕНИЕ ГИПОТЕЗЫ; 5 -- подготовка информации для прикладных исследований, инновационных разрабОток Яхьи,1иьь1Л Гвп1ьХо1 - 6и,ь~и Вопрос №2.