Электронные технологии в машиностроении (28.04.02 Наноинженерия), страница 3

Конгро!!ь срс;н!Си' нара!)О!!О! Иа О)к )з: О;1пос!) и»:и ш)ый. пос.:1слонгпсльный и усеченный и!жлсдоаатсльпый и:1ан1»! хоп 1'1х)ля Перечень |опросов ! 11адсжпос!ь, как Огеювый показатель качества 1 ЭС: б)езо!казносзь. РСИОНГО)гри1О)п)осп». СохраняемосГь и до!ГГОнсчносты 1:ди)Н1чньгс и комп)гекспьгс п)гкаыгсли наги!жпос1и. В:шгп)ис 1словий .)к«п.1уагапии 1х)С !ш показагсли надежности. Ко;!Ичсс!аашь)с и,) к аз.» !»«1п палс)к по« ! и. 3. К:шссификапия «))казов. Определение основных показателей надежно«)и н«носсп1наалиаасмых х)еыентоа.

СГ)ец)1альные показатели для ВОсс Гаиаалинаеыых ); )смснтов. 4. В«рархичсская с)рук С» ра ) ехничсской сис!Смы и фОрмироаанис задьп1ных 1п)к!13а)с.шй па,)сжнос1н. 5. Обшис принципы п!»С)роения структурной схемы НГысжностн, Система с основпыя) сос;1нпсни!.'м псяОсста1гаа,'!Нааеь)ых 'х!Сь)снгоа.

б. Общие принципы построения структурной схемы надежности. Система с оснои!ым спели псннсм аоссз.апавливасмых злсментов. 7. Резервирование н технических системах. Резервирование без восстановления, 11!и р) жс)шый. Н«нгп ружеппый н облс! ченный резерв. Кр иное ! ь рсзсрвироаания. Х. Р!.

!Срянронапнс н Технических сис)смак. 1схпичсскис системы с дрг)бпой крап)ос1 ьк), !1, Р«" спнироаапис н Гсхпи»!Сских сис!Омах. Рсзераиро!!Инне с восс!ан«)н))синем. Рс:«рн!!р!)ИН1»ис и )сх!ш'1сскпх «!!с!Сьн)х, Сис!«мы со с:шжпой с)рукгурой. МС1о»! прямо!'О пср!»Оора и мгх)ол разложсния ОГносите;1ьно Оснонно)'О з)!Сые!Гга, ! 1. Резсраиронаннс и тсхпичсских систсмах. Вадача ОптимальноГО резсращ)оаания. 12, 1'ас»гст надежпосги ы))кро)- и паноприборон, Выоор ном«икдатуры !!Ормироагн!Ных НГ)ка.!а Гелей палсжпо«ти Внезшшыс н постепенные отказы микро- и нанопрнборов.

1). Влияние внспгнс!о НГ)!.Гсйс!Ния и злектрической нарузки на безотказность микро- и ьпшоприооров, 1!римеры расчспь 14, Методы повьппепия надежности микро- и наноприборон, О)пнмальные показепсли па,юкп«)с! и микро- и наноприоорон, 15. Онределительныс испытания на надежность.

Статистические испытания на )галсжцосп и класс!!(1и!кдпия «зс!Ог!Ов испыпзний: понятие испыганий, вилы и планы попы !опий !га иа;!с»кпОс ! ь. 16. Опрслели»ельные испьпания на надежносгь. Точечньга оценки пока!а гелий палсжности и их довсритсльныс интервалы. Оценка вероятности бсзотказной работы: точечная и ловсритсльпыс интервалы.

17. Оп!»с;(с:из!с,и,н!,!с пснынп!ия на на!!сжн!»с!ь, Оцснка срслнсз! нарабс!!ки на о!каз: . о ьлпьзя и повари ! сльныс иитсрва:!ы Кон!р!»,!ып!с иси!!!ания !га налсжпос»ь. 11!»сгаги»вка »апачи коп»1»оля на)!сжнос!и. Ма !0,!Ика рисчсга н.'!гнн»В !ь!н!»с !) и! $!ч по! О. ПОс!!с.'!!»Ват4'.:$ызо!О и уоачсппо! О !к!сл. !о!га!сльн!но кон!ргс!я. 19 Конгроль вср!»я!н!»с!и осзотказной рабо!ън о!!иост)иенча!ый, послсловате:!Ьш.*!Й и уссчсиный !и»с;и".лоиатсльпый н»ганы контроля.

20. Кон гро»!ь срсдпсй наработки па отказ: од»!осту!!енчатый, последовательный и ) ссчснный нослсловьп с:п.ный планы контро»!я. !)с!!и«пил 3'че!)з!ил ли>иеран!ура !. 11оловко ЛМ., 1'уров С.В. «Основы тсории надсжностив в 2-х томах !теория и практикум). ЬХВ-Петербург, 2006. — 560с. и 704 с. 2, Малафеев С.И..

Копсйкин А.И. «Р!адежность тсхничсских систем. Примсрь! н зазачия: Учеб. пособие, СПбл Издательство «Ланьь, 2012. 320 с. 3, Рс!псков 7!.11., Иванов Л.С.. Фатссв В.З, «Надсжность маи!иня. М.1988. 237 с. 4. 1!!гипурин ВЯ Надсжпость »лсыеп!ной базы !лсктронных ь!олулсй. -М.М!"!У. 2002. 32 с. 111дп!урин ВД.. 1 «гиков В.М„Встроив Н.Л. 1!адсжн!кть тсхиичсскнх сисгсм. !'сзерв!!!»Она!!ис, восс !аиовлснис Мл М1ТУ. 2009. 60 с. 6.

1На!пурин ВД.. Встрова Н.Л., Иванов !О.А. и др. НАНО'П';Х11О.!1О! И)! И МИКРОСИС'!'!',МНАЯ ТЕХНИКА. г!асть 5. Иадежность наноприборов и ралио »лсктронпых устройств па их осповс. - Мл МГТУ им. Н.Э.Ба)мана. 2012. 85 с. Ди!!ьь !!!пгие«!ып!л учибз!ил г!пп!вратари ! . ! ОС'!' 27.ххх-хх «Надсжнос!ь в техников Уи!ак!»в И.Л. «Курс !со1»ит! иа)!сжности сисгсмгх у*»сгбнос пособии лля вузов. Мл Дрофа. 2008. 239с. 3.

Острейковский ВЛ. «'1'сория надсжностия: Учеб. для вузов. Мл Высш,шк., 2003. 463 с. 4, П)бликапии в журналах «С!аипарты и качсс!в!»я„«Мсзх!д!! мепелжмсп»а качсспзая, «11алсжнос ! Ья ПРИМЕР билета письменных встуннтст!ьпых пспыта!тпй БИ)!!Г! !3С'!У!!ИТ1531~1!»!Х ИСПЫТАНИИ В МАГИСТРАТУРУ ПО НАПРАВЛБР1ИК) 28.04.02 Иапоинженсрни Профиль по;н отовкп 28.04.02 01 «Ипже српые нанотехнологии в нрпборостроенппи Вшцш №! '.)тпшы разраогнки «схно«ниического ооорудоаапня.

Научно-исслеловагельскнс работы. Вн,«ы 1!ИР. 1(ель и ожиласмыс результаты фундаьче«пальньгх НИР, их основные .папы и внды вьшо«шяемых рабоз, (10 баллов) Вопрос №2. 1 ндравличсский привод. '!'рсбоаания к рабочей жидкости. Структура н основныс харак~с!н«сц«ки ~ нл!гкшри«гог««ь 11рнвсдитс тн«говук«схему н опишите технические средства. цоз««о.«яю«цис нглюльзовать «идроцриаод в ччнстых» ««омегцениях. (10 баллов) Вопрос Ж..3.

Струк. гура технологической машины. Классификация источников движения цо физическом» принципе рагб««ты н аиду даиження. Гребонания к «лскт!зомсханическому нрннолу, 1!ример«я ~ руши«в«но. нндинидуального н распрсделйнного принолоа. (10 баллон) В««п!«««с №4. ()црслслигс длину во;шы фотона, испускаемого цри переходе «лектрона (масса ьч) а одноме)лшй ««рям»«ч олыц>й нг«тен«гиальной яме с осско|«очно аысокнми сге««клмн «пирин««й :. ':.::;-.: ш; «к голеня с п = 2 в сос«оянис с нанменыпей «нсргнсй. ( нр««««г'н««х Й =. ),05 «О '" Дж ~", га =: 0,92.

10 " г. (10оаллоа) Вопрос №5. Электрон с зцср«ней Е"-. 1,2 кэВ движется а положительном направлении осн х и ~«сгрсчас! на своем нуги бесконечно пргцяженный прямоу«ольный потенциальный цорш аыс««~и«! ('» 150 «В. ()«!рс««спи~с во сколько раз изменится длина волны де Бройля при прохождении через п«п «к»генц«««ыьшяй поря. (10 баллон) !3опрос №«(х Сн«ределигь величину знергнн Ферми для свободных электронов в метание прн 1 О. КонцснгРацца электРонон „= 5 )0««гь«-" см-3.

СпРаао шо: л == (:05 10 ' лж г;ш =. О 9( )О саг(10оаллоа) Вон!«ос М ". В процессе испытаний 1000 '«лектроли«ичсских кондспсатороа га цсрвыс 100 ч нобла«;«сний ньнпли нз строя 2 к«тнленсат««ра. а за следу«он!ис 200 ч — с«цс 5. Найти нероятносп, бс иц казной рябо гы кон «сиса «оров в интсрагс«с аремсни от 100 ло 300 ч. (10 ба шов) Вопрос №8. Р')С состои ~ из 1000 узлов. Вероятность отказа лн«бо«о узла в течение одного гола равна 0.001 и цри зтом не зависит от состояния других узлов РЭС. Найти вероятности лнух отказон н не менее двух отказов в течение года. (10 баллов) Вопрос №«), ! 1рибор сосни г из двух блоков. сосдннс««ггых послсдовательн«х Второй нречс1аВляс1 собой тзс 1 зьо:и«роианный 1 орячим «зсзсраом.

Счптпя, ч«о лероя пи«сть «гаждо3 о из !рсх узлоа сиоп".мы задана и равна 0,9 а течение 1000 ч. найти среднгок«наработку системы до первого отказа при:жсцонспциазыюм законе надежности. (10 баллов) Вопрос №! О. Извес«««о, ««о и«ггснсшшость отказов Х:--0,02 час ', а среднее время аоссганшшення У', 1О гас. 1'рсбуегся вычислить козффицнепг готонности изделия. (10 баллов) Вильн угиержлеп на заседании кафедры РЛ-6 Занедувтцнй кафе.:!рой РЛ-б 11рофи.)ь шьн отовии 28.04.02 02 «И)(жснерные нанотехнолш ии в машиною роении» ,11зх,'111111.1И! 1А 2-М'!'11. Техн(х)ое(и! и одорудааа((ие микро- и иаиоатеитро(и(ии Микролитография. Основные )тапы технологического процесса микролитографии.

!Розигивиые и иегативпыс ф(тп)рс(игггы. Фотохимические процессы при зкспоиироваипи, Методы повьппспия )увствитедьпости фо(орезистов. Формирование тонких пленок фон)рсию(ов. Ис(очпики ак(шш шов) излучспия, С'.о)ласоваиис спектра излучения и спектра ши;ВВ))ения фо(орсзис(о)$. !'Рад шии удырафиоде)ового излучсиия, Рс)птеиовское излучсиис.

')лск гров)ю- (учсвыс ис (о шики. ('илсмы зкспоцироваиия. Размерные погрешиос си злемеи )ов. С'овмс)цасмость с:юев. Аиализ и моделироваиие тоцологических иогрешт)остей. 11аиолитография при локальном воздействии ваиоштампов и иаиозондов. Методы формировапия топо,югии паиоструктур с использоваиием самоформирукицихся струк(ур. И)и! Рви $-;(и ! О! Рафия; сущиосп* метода.

этапы технологического процесса, приме)(ясмыс хш(ори;!.ш), мипимальиью размеры иаиоструктур. сравиеиис с другими ме)о;$($)$$( лито) рафии. О(~ )ас ! и $)римснсния. ')о)$;(о(и(е мгг(оды формироваиия )Опо.)о)ии иа)(ос)рхк)ур: кваи(овых )очек, кваи)овых линий и ка)швок, !1срсиск(ивы пот!)чсиия )гаиодиодов и иаиотраизисторов. Оборудоваиис с;а '$(!'1 ш($(:.(с ! 1 ии(.':)ьиь(с 'и)и,(овыс микроскОПЫ. Ъ!с(О„(! ! и оборудоваиис для осаждения паиоструктур: термическое испарсиис.

молекулярш)-лучевая зпитаксия, дазериая абляц)ш, иоиио-лучевое и магиетроииое распылсни!., дуговое исиарс)тие, газофазиое осаждеиие, атомно-слоевое осаждеиие, ( амосборка атохш! ! х кластеров )га поверхиости и в объеме твердого тела. Формирование Ос(рюш,овых тонких ш)сиок, Е((ии():)яр)(ая и молекуляр()о-кииеп(ческая теории (аро;$(,и((собра (ова)$$)я. Разде. и,,! физики копдсисироваипого состояиия всшсства. Мс (оды ИОлучс)(их а)омариых и мо;юе).)ярных пОтОкОВ, к))астериОС Осажд(нис. ЗО((ь"гс:)ь мсц)ды формирования иаиос)руктур. 1!Олучеиис металлических и диэлектрических с;юев, оксидов.

питридов, карбидов.силицидов и их комбииаций. (1)ормировги)ис )г))сродпых паиосгрук)ур: изиотрубок. фу))л(рс)иов. а:)х)азоподооиых В юш к. Методы получсиия: газофазиое осаждеиие, дуговое испареиис, магистроииос раси !.юиис. мегод нагретой лизи. Формирование упорядочсииых углеродпых ))аиосзр)к)зр )ьа рс и сфиых $(ОВ!.!У;)н)с)Ях. Мс)ол искуссгВсниой.)пи(аксии. Хих!)$ )сскос жидкое)иос )равдеиис. Ииирошюс. аиию)рошюс (рав()сп)(с. Еиис)ика Р)(ВГ ° 'и~(х. *.!'(иос(ь ()и)рми)х)В()иия х(ик(х)рс;)ьсфа, Виды Вакуъх()(О"В;(азм(ИВО(О («сухо)$)и! .РИВ "$$()я мгосри(сюв, г е;)ск(ивнос)ь ')рав.)ения, Влиянис .'(0$$О!)ии(елыи)х )азОВ (кислоро(ьь ВО:(ОРО„'а! и !.;!.) $)а сс,')скгиюн)с)ь ')равлсиия, Ио(шая их(план(а)(ия. 11аи)ачеиие и примеиеиие ионной имплантации.