Исследование и разработка многофункциональных наноструктурированных барьерных слоев на основе фторуглеродных пленок, страница 23

М.: Энергия, 1965. 360 с.127. Химия и технология кожи и меха / И.П. Страхов [и др.] - Под ред.И.П. Страхова М.: Легпромбытиздат, 1985. 408 с.128. Химия и технология полимерных пленочных материалов и искусственной кожи /под ред. Г.П. Андрианова // М.: Легкая и пищевая промышленность, 1981. Ч.1. 376 с.157129. Уразаев В.Г.

Способ влагозащиты печатных плат по заявке РФ№ 2004101214 от 14.01.2004.130. Рейтлингер С.А. Проницаемость полимерных материалов. М.: Химия, 1974. 272 с.Отзыв научного руководителяо диссертационной работе Сильницкой Ольги Андреевны «Исследование и разработка многофункциональных наноструктурированных барьерных слоев на основе фторуглеродных пленок», представленную на соискание учёной степени кандидата технических наукпо специальности 05.27.06. - «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электроннойтехники».Тема диссертации, выполненной аспиранткой Сильницкой Ольгой Андреевной, является чрезвычайно актуальной, поскольку, с одной стороны, направлена на решение проблемы защиты полимерных материалов от микробиологических повреждений, ограничивающих их применение в микроэлектроникеи радиотехнике в качестве конструкционных и функциональных материалов, ас другой стороны, представляет собой один из наиболее экономически оправданных путей конструирования свойств поверхности полимеров – создание наноструктурированных барьерных слоев на поверхности полимеров методамиионно-плазменной технологии.

Разработка такого подхода позволяет решатьвопросы защиты полимерных изделий различного назначения, выполненных сиспользованием различных полимерных материалов. В работе рассмотренавозможность создания барьерных слоев на поверхности полимеров различнойхимической природы.Целью настоящей работы является разработка физико-технологическихпринципов создания барьерных слоев, полученных нанoструктурированием поверхности полимеров ионно-плазменными методами и последующим модифицированием их фторуглеродными пленками с различным содержанием фтора.Научная новизна работы состоит в следующем:1.

Впервые, в процессе разработки технологии формирования фторуглеродных пленок при использовании смеси газов ϹF4+ С6Н12 с применением источника ионов на основе скрещенных электрического и магнитного полей, установлено наличие области переходных процессов, т.е. конкурирующих процессов нанесения и травления в определенной области содержания ϹF4 и С6Н12в ПЛС (плазмообразующей смеси) и формированием рельефа особого типа.При этом значение модуля упругости Юнга превышает данные для исходногообразца полистирола в 3 раза, значения ширины запрещённой зоны (Eg) фторуглеродных пленок увеличивается до значений Eg ≈ 4,5 эВ. Отсутствие адгезиибактерий и стойкость к воздействию плесневых грибов обеспечивает снижениебиодеструкции полимерных материалов.2.

Показано, что обработка поверхности полимеров потоками ионов ПЛСϹF4+С6Н12 приводит к резкому изменению удельной полной поверхностнойэнергии модельных полимеров. Для полимеров, изначально не содержащихфтор (ΠЭΤФ), характерно увеличение гидрофобности поверхности, а для фторсодержащих полимеров (ΠΤФЭ) – увеличение гидрoфильности.3. Исследование влагoпропускания структур на основе фторуглеродныхпленок, сформированных при различном содержании ϹF4 в плазмообразующейсмеси ϹF4 + C6H12, показало значительное влияние как содержания фтора, так итолщины ΗБϹ(наноструктурированных барьерных слоев).Практическая значимость работы определяется тем, что:1.

Разработана технология получения ΗБϹ, обладающих стойкостью кбиодеструкции под действием микроорганизмов и плесневых грибов, с низкимвлагопропусканием, оптимальными оптическими и механическими свойствами.2. Разработанная технология может быть использована при создании активных элементов политроники, для производства изделий электронной техники, при создании «чистых» комнат, а также в аэрокосмическом комплексе.3. Разработанная технология создания aнтиадгезионных ΗБϹ может бытьиспользована для создания фильтров на основе ΠЭΤФ ТМ с повышенным ресурсом за счет отсутствия адгезии микроорганизмов и плесневых грибов.4. Результаты работы внедрены в учебный процесс подготовки магистровпо направлению « Конструирование и технология электронных средств».Сильницкая Ольга Андреевна является сложившимся научным работником, способным ставить, анализировать и решать важные технологические задачи.

Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международной конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (Москва, 2014); ХIII и XIV международныхконференциях «Высокие медицинские технологии ХХI века», (Бенидорм, Испания, 2014, 2015); IV Всероссийской научной конференции «Актуальные вопросы биомедицинской инженерии» (Саратов, 2014); VI Всероссийской конференции «Актуальные проблемы химии высоких энергий» (Москва, 2015);X и XI Международных конференциях «Вакуумная техника, материалы и технологии», (Москва, 2015, 2016); VIII International Conf.

«Plasma physics andplasma technology» (PPPT-8), (Minsk, Belorus, 2015); XXVI Российской конференции по электронной микроскопии (Москва, 2016); XXVIII Международномсимпозиуме «Тонкие пленки в электронике» (Москва, 2016); XVIII, XXII иXXIII научно-технических конференциях «Вакуумная наука и техника» (Феодосия, 2015, Судак, 2011, 2016); X и XIV Международных конференциях(МНТК) «Быстрозакаленные материалы и покрытия» (Москва, 2011, 2016).Сильницкая Ольга Андреевна является автором По теме диссертацииСильницкой Ольгой Андреевной опубликованы 6 статей в рецензируемых научных журналах, в том числе 3 статьи в журналах, рекомендованных ВАК РФ,15 докладов на всероссийских и международных научно-технических конференциях, подан патент на изобретение (Регистрационный номер №086953, датаприоритета 28.12.2015).Диссертационная работа Сильницкой Ольги Андреевны выполнена на актуальную тему, обладает научной новизной и высокой практической значимостью.Считаю, что Сильницкой Ольге Андреевне может быть присуждена учёная степень кандидата технических наук по специальности 05.27.06.

- «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники».Научный руководительдоктор технических наук,профессорВ.М. Елинсон.