моя лаба №3 (Третья лаба)
Описание файла
Файл "моя лаба №3" внутри архива находится в папке "3". Документ из архива "Третья лаба", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "микроэлектроника" из 4 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лабораторные работы", в предмете "микроэлектроника" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "моя лаба №3"
Текст из документа "моя лаба №3"
М Э И (ТУ)
Кафедра: Электронные приборы
Лабораторная работа №3
“Исследование полевых транзисторов”
Студент: Мирзоян А.Э.
Группа: ЭР-13-07
Преподаватель: Бондаренко С.М.
Москва
2009
Цель работы: исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n переходом и МДП – транзистора; исследование влияния температуры на ход характеристик.
Объект исследования: кремниевый полевой транзистор КП303(А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И) и транзистор типа КП306Б.
Схема установки
Исследование характеристик транзистора Исследование характеристик МДП-транзистора.
С управляющим p-n переходом
Предварительое задание.
1. Структура и принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом и МДП-транзистора.
Основной для изготовления транзистора служит пластина n-полупроводника; затвор образован областью с акцепторной примесью (p+), вводимой сверху в пластину, и слоем металлизации, наносимой на эту область. На каждой из торцевых сторон пластины имеются металлические слои, образующие омические контакты и выполняющие роль истока и стока.
Напряжения на электродах транзистора отсчитываются относительно общего электрода, в качестве которого выбирают исток. {Рис. 5.1[стр.67], Рис5.6[стр.72]}
В отличие от полевого транзистора, в МДП-транзисторе затвор изолирован от полупроводника слоем диэелектрика и имеет структуру металл-диэелектриполупро-водник. В основе работе МДП-транзистора лежит влияние электрического поля, создаваемого металлическим затвором, на величину и характер проводимости приповерхностного слоя полупроводника в направлении, параллельном поверхности.
2. Статические характеристики полевых транзисторов.
При рассмотрении статических характеристик ПТ их описывают зависимостями Ic,Iз=f(Uc,Uз), причем в виду малых значений Iз, Iз можно принебреч. {стр.68}
Семейства основных статических характеристик ПТ(для МДП) – выходные Ic=Ic(Uc)|Uз=const и управления Ic=Ic(Uз)|Uс=const {стр.74}
3. Влияние температуры на ход статических характеристик.
Для ПТ:
Влияние температуры на статические характеристики обусловлено в первую очередь температурной зависимостью сопротивления канала: в диапазоне рабочих температур с увеличением температуры подвижность электронов в канале падает, => растет его сопротивление и снижается Ic. Ограничения, накладываемые на выбор рабочего режима ПТ, аналогично биполярным транзисторам, определяется в основном по выходным характеристикам. {Рис. 5.4[стр.69]}
Для МДП:
Влияние температуры на статические характеристики выражено слабо и происходит так же, как для ППТ. {Рис.5.12[стр.75]}
4.Основные электрические величины и параметры транзистора:
