М Э И (ТУ)

Кафедра: Электронные приборы

Лабораторная работа №2

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК

БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Студент: Медведев В.С.

Группа: ЭР-13-07

Преподаватель: Бондаренко С. М.

Москва

2009

1. Снять и построить семейство входных характеристик транзистора при напряжениях на коллекторе -2, -5, -10 В.

Указания: при проведении измерений необходимо следить за тем, чтобы ток коллектора не превышал 10 мА; число точек для каждой снятой кривой должно составлять 5 – 7.

1. Снять и построить семейство выходных характеристик транзистора для четырех значений тока базы, выбранных с равным интервалом и включающим нулевое значение.

Указания: максимальное значение базового тока должно быть выбрано с таким расчетом, чтобы соответствующий ему ток коллектора не превышал 10 мА; число точек для каждой снятой кривой должно составлять 7 –8.

1. При температуре около 45С снять входную и выходную характеристики для одного значения напряжения коллектора и одного значения тока базы соответственно (по указанию преподавателя). Характеристики построить на одном графике с соответствующим семейством характеристик.

См. пункты 1 и 2

1. Для режима, выбранного в п.3, и комнатной температуры построить характеристику прямой передачи тока и обратной связи по напряжению при включении транзистора по схеме с общим эмиттером.

Прямая передача тока, обратная связь по напряжению

Ток коллектора от тока базы при постоянном напряжении коллектор-эмиттер (здесь -5 В) и напряжение база-эмиттер от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы

(здесь 0.1 мА)

Прямая передача тока

Обратная связь по напряжению

1. Пользуясь результатами, полученными в п.1 и 2, определить значения h - параметров транзистора в рабочей точке, заданной преподавателем.

Рассчитаем h параметры биполярного транзистора

Для h11

Uкэ = const=5В

Для h12

Iб = cons=100мкА

Для h21

Uкэ = const=5В

Для h22

Iб = const=100мкА