150433 (Квантовый выход светочувствительных структур полупроводник-металл-диэлектрик), страница 3

Белые светодиоды с люминофорами существенно дешевле, чем светодиодные RGB-матрицы (в пересчете на единицу светового потока), и позволяют получить хороший белый цвет. И для них в принципе не проблема попасть в точку с координатами (0,33; 0,33) на цветовой диаграмме МКО. Недостатки же таковы: во-первых, у них меньше, чем у RGB-матриц, светоотдача из-за преобразования света в слое люминофора; во-вторых, достаточно трудно точно проконтролировать равномерность нанесения люминофора в технологическом процессе и, следовательно, цветовую температуру; и, наконец, в-третьих — люминофор тоже стареет, причем быстрее, чем сам светодиод.

Промышленность на данный момент выпускает как светодиоды с люминофором, так и RGB-матрицы — у них разные области применения.

Как уже упоминалось, строение светодиода не ограничивается стандартным 5-мм корпусом и определяется мощностью излучения и прямым током, проходящим через диод. Световой поток, излучаемый светодиодом, напрямую зависит от прямого тока, протекающего через светодиод. Чем больше ток, тем ярче светит светодиод. Это связано с тем, что чем больше ток, тем больше электронов и дырок поступают в зону рекомбинации в единицу времени. Но ток нельзя увеличивать до бесконечности. Из-за внутреннего сопротивления полупроводника и p-n-перехо-да диод перегреется и выйдет из строя.

Заключение

В данной курсовой работе рассмотрен способ определения к.п.д. светочувствительных систем полупроводник-металл. Особенность предлагаемого способа состоит в регистрации изменения сопротивления металлического слоя системы полупроводник-диэлектрик под действием падающего излучения.

Одной из важных характеристик фотохимической реакции является К.П.Д. (квантовый выход). Он характеризует соотношение числа прореагировавших и поглотивших свет молекул (атомов).

Предлагаемый способ определения к.п.д. светочувствительных систем полупроводник-металл может найти практическое применение в фотолитографии, оптотехнике систем полупроводник-металл, при определении к.п.д. фотокатодов.

Список использованной литературы

1) Костышин М.Т., Михайловская Е.В., Романенко П.Ф. Об эффекте фотографической чувствительности тонких полупроводниковых слоев, находящихся на металлических подложках.- ФТТ, 1966, 8, 4, 571-572.

2) Migration of silver and gold in amorphous As2S3 / A. Buroff, E. Nebauer, P.Süptitz, I.Willert.- Phys. status solidi A, 1977, 40, 1, 195-198.

3) Костко В.С., Костко О.В., Маковецкий Г.И., Янушкевич К.И Светочувствительность тонкопленочной структуры SnI2-Sn-стекло и фазовый состав структуры SnI2-Cd-стекло// Весці Акад. навук Беларусі, Сер. фіз.-мат. навук.- 2001.- №1.- С.103-106.

4) Goldschmidt D., Rudman P.S. The kinetics of photodissolution of Ag in amorphous As2S3 films.- J. Non-cryst. solids, 1976, 22, 2, 229-243.

5) Способ нанесения рельефного изображения на диэлектрическую подложку: пат. 8800 Респ. Беларусь, G 03 C/ В.С.Костко, О.В.Костко; заявитель Брестск. гос. ун-т.- № а 20031065; заявл. 19.11.03; опубл. 30.07.05// Афіцыйны бюл./ Нац. цэнтр інтэлектуал. уласнасці.

6) Теренин А.Н. Фотоника молекул красителей и родственных органических соединений. Л.: Наука, 1967. 616.

7) Калверт Дж., Питтс Дж. Фотохимия. М.: Мир, 1968. 672.

8) Стефанович Г.Б. Фазовый переход металл-полупроводник в структурно разупорядоченной двуокиси ванадия. Дис. на соис. канд. физ.-мат. наук. Петрозаводск, 1986. 185 с. [10] Chudnovskii F.A., Stefanovich G.B. // J. Solid State Chem. 1992. V. 98. P. 137145.

9) Мокеров В.Г. и др. // ФТТ. 1976. Т. 18. № 7. C. 1801-1805.

10) В.И. Смирнов. Физико-химические основы технологии электронных средств. Учебное пособие. Ульяновск. 2005.