Статья_Панфилов_СИЖ (Раздаточный материал)
Описание файла
Файл "Статья_Панфилов_СИЖ" внутри архива находится в следующих папках: Раздаточный материал, БД_магистры_2016. Документ из архива "Раздаточный материал", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "основы технологии изделий наноинженерии" из 9 семестр (1 семестр магистратуры), которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "основы технологии изделий наноинженерии" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Статья_Панфилов_СИЖ"
Текст из документа "Статья_Панфилов_СИЖ"
УДК 621.01.03
Д.т.н., профессор Панфилов Ю.В.
МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва
НОВЫЕ РАЗДЕЛЫ В КЛАССИФИКАЦИИ МЕТОДОВ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ
Аннотация
В классификацию методов нанесения тонких пленок в вакууме внесены новые разделы, которые отражают современный уровень развития технологии нанесения тонкопленочных покрытий в машиностроении, в электронике, в наноиндустрии и в других областях науки и техники. Представлены современные методы физического и химического нанесения тонких пленок в вакууме, такие как пароструйное осаждение, атомно-слоевое осаждение, а также ряд методов, базирующихся на воздействии лазерного излучения на твердое, жидкое или газообразное вещество. Показаны методы лазерно-индуцированного переноса плёнок, дугового испарения с сепарацией плазменного потока, низкоскоростное и сверхзвуковое пароструйное и кластерное осаждение, ионно-кластерный метод, импульсное лазерное осаждение или лазерная абляция. Методы химического осаждения дополнены лазерно-химическим осаждением из газовой фазы, химической лучевой эпитаксией, лазерным разложением металлоорганических соединений, локальным лазерным термо-активированным синтезом и лазерной импульсной молекулярно лучевой эпитаксией.
Ключевые слова: тонкие пленки, вакуум, физическое осаждение, химическое осаждение, машиностроение, электроника, нанотехнологии
Prof. Yu. V. Panfilov
MSTU named after Bauman, Moscow
MODERN CHAPTERS IN CLASSIFICATION OF THIN FILM DEPOSITION METHODS
Abstract
Modern chapters which reflect nowadays development level of the coating technology in machinery and electronics and nanotechnology and other field of science and technology are involved in thin film deposition classification. Modern physical vapor deposition and chemical vapor deposition methods, such as: Jet Vapor Deposition and Atom Layer Deposition and a number of Laser Deposition Methods as well are represented. The methods of Laser Induced Film Transfer and Arc Evaporation with Plasma Stream Separation and Low Velocity and Ultra-sonic Jet Vapor Deposition and Cluster Deposition andPulsed Laser Deposition (Laser Ablation) as well are shown. Chemical Vapor Deposition methods complemented with Laser Chemical Vapor Deposition and laser decomposition of metalorganic composition and local laser thermo-activated synthesis and Pulsed Laser Molecular Beam Epitaxy as well.
Key words: thin films, vacuum, physical vapor deposition, chemical vapor deposition, machinery, electronics, nanotechnology
Введение
Классификация методов нанесения тонких пленок в вакууме, описанная в [1, 2], составлена по способу генерации пленкообразующих частиц, а уточненная и дополненная классификация представлена в данной статье в Табл. 1, причем жирным шрифтом выделены вновь введенные методы.
Первые пять пунктов относятся к, так называемым, PVD методам (Physical Vapor Deposition), когда состав исходных материалов (твердых или газообразных) точно совпадает с составом материалов нанесенной пленки, включая реактивное осаждение оксидов и нитридов. Шестой метод принято называть CVD методом (Chemical Vapor Deposition), в котором, соответственно, состав исходных газообразных материалов отличается от состава материалов нанесенной пленки.
В классификацию, впервые опубликованную в 1997 году [1], не вошло несколько методов нанесения тонких пленок в вакууме, которые получили развитие не так давно. Это – пароструйное осаждение или Jet Vapor Deposition (JVD) [3], атомно-слоевое осаждение или Atom Layer Deposition (ALD) [4], а также ряд методов, базирующихся на воздействии лазерного излучения на твердое, жидкое или газообразное вещество [5].
К основным технологическим режимам нанесения тонких пленок в вакууме, описанным в [1, 2], следует добавить расход несущего газа Qг в пароструйном методе, энергию Ел, мощность Pл и частоту fл лазерных импульсов, энергию ионных кластеров Eкл.
Условные обозначения методов, как и прежде, приняты с целью использования их в базах данных и автоматизированных экспертных системах, необходимых для повышения уровня информационного обеспечения разработок и исследований в области технологии тонких пленок.
Классификация методов нанесения тонких пленок в вакууме
Достоинства и недостатки различных методов осаждения тонких пленок в вакууме подробно описаны в [1, 2]. В настоящей статье представлены особенности вновь введенных в классификацию методов.
Так, в методе пароструйного осаждения D06 или JVD методе, пленкообразующими частицами являются как отдельные атомы и молекулы, так и их кластеры, которые занимают промежуточное положение между отдельными молекулами и конденсированным состоянием вещества.
Табл. 1 Методы нанесения тонких пленок в вакууме
Принцип | Метод | Тип | Код | ||||||
1 | 2 | 3 | 4 | ||||||
Осаждение D0 | Резистивный | D00 | Проволочный | D000 | |||||
термическим испарением | Ленточный Сублимационный Тигельный Реактивный | D001 D002 D003 D00_R | |||||||
ВЧ-нагрев | D01 | Тигельный | D010 | ||||||
| Со стартовым элементом Реактивный | D011 D01_R | |||||||
Электронный | D02 | Тигельный | D020 | ||||||
|
| Проволочный Штабиковый Реактивный | D021 D022 D02_R | ||||||
Электронно-лучевой | D03 | С пушкой Пирса | D030 | ||||||
| С аксиальной пушкой Многотиглевый Реактивный | D031 D032 D03_R | |||||||
ТП=373-973 К; | Лазерный | D04 | Твердотельный | D040 | |||||
=0,1-1,0 мкм/с; Е=0,1-0,3 эВ; |
| Непрерывный СО2-лазер Многотиглевый, Лазерно-индуцированной перенос плёнок Реактивный | D041 D042 D043 D04_R | ||||||
Молекулярно-лучевой | D05 | Эффузионный (ячейка Кнудсена) | D050 | ||||||
| Капиллярный | D051 | |||||||
Пароструйный | D06 | Низкоскоростной Сверхзвуковой Кластерный Реактивный | D060 D061 D062 D06_R | ||||||
1 | 2 | 3 | 4 | ||||||
Осаждение D1 | Ионно-плазменный | D10 | Диодный на постоянном токе | D100 | |||||
ионным распылением рр.г.=10-510 Па; | Диодный ВЧ Трехэлектродный Магнетронный на постоянном токе Магнетронный ВЧ Магнетронный с ЭЦР Реактивный | D101 D102 D103 D104 D105 D10_R | |||||||
ТП=293-693 К; | Ионно-лучевой | D11 | С горячим катодом | D110 | |||||
Е=3-5 эВ; КИ0,01 | С холодным катодом Реактивный | D111 D11_R | |||||||
Осаждение D2 | Лазерный | D20 | Импульсный (абляция) | D200 | |||||
взрывом | Эпитаксиальный импульсный молекулярно лучевой | D201 | |||||||
Электронно-лучевой | D21 | Импульсный | D210 | ||||||
| |||||||||
Электроразрядный | D22 | Конденсаторный | D220 | ||||||
рвак=10-10 Па; ТП=293 К; мкм/с; Е=1-1000 эВ; КИ=0,1-0,5 | |||||||||
Осаждение D3 | С холодным катодом | D30 | В парах катода | D300 | |||||
дуговым разрядом | В парах катода и анода С сепарацией плазменного потока Реактивный | D301 D302 D30_R | |||||||
рвак=10-10 Па; | С горячим катодом | D31 | В парах анода | D310 | |||||
ТП=293-693 К; =0,1-50 мкм/с; Е=0,1-10 эВ; КИ=0,2-1 | В парах рабочего газа С сепарацией плазменного потока Реактивный | D311 D312 D31_R | |||||||
1 | 2 | 3 | 4 | ||||||
Ионное D4 | Термо-ионный | D40 | Диодный | D400 | |||||
осаждение |
| С потенциалом смещения Реактивный | D401 D40_R | ||||||
Ионно-плазменный | D41 | Диодный | D410 | ||||||
|
| С потенциалом смещения | D411 | ||||||
Ионно-лучевой | D42 | С горячим катодом | D420 | ||||||
рвак=10-10 Па; рр.г.=10-10 Па; |
| С холодным катодом | D421 | ||||||
ТП=293-493 К; | Плазмотронный | D43 | Торцевой дуговой с горячим | ||||||
=0,1-50 мкм/с; Е=Еопт100 эВ; КИ=0,1-1 | катодом сильноточный Торцевой дуговой с горячим катодом холловский Торцевой дуговой с холодным катодом С замкнутым дрейфом электронов Импульсный с эрозией диэлектриков С сепарацией плазменного потока | D430 D431 D432 D433 D434 D435 | |||||||
Ионно-кластерный | D44 | С резистивным нагревом и сверхзвуковым расширением С резистивным нагревом и конденсацией в инертном газе С лазерным испарением С дуговым испарителем | D440 D441 D442 D443 |