62707 (Полупроводниковые диоды), страница 5
Описание файла
Документ из архива "Полупроводниковые диоды", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "коммуникации и связь" из , которые можно найти в файловом архиве . Не смотря на прямую связь этого архива с , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "книги и методические указания", в предмете "коммуникации и связь" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "62707"
Текст 5 страницы из документа "62707"
Примеры маркировки диодов:
ГД412А – германиевый (Г), диод (Д), универсальный (4), номер разработки 12, группа А;
КС196В – кремниевый (К), стабилитрон (С), мощность рассеяния не более 0,3 Вт (1), номинальное напряжение стабилизации 9,6 В (96), третья разработка (В).
Для полупроводниковых диодов с малыми размерами корпуса используется цветная маркировка в виде меток, наносимых на корпус прибора.
Электрический и тепловой пробои р-n перехода во многих случаях происходят одновременно. При чрезмерном разогреве перехода, когда происходит изменение структуры кристалла, переход необратимо выходит из строя. Если же при возникновения пробоя ток через р-n переход ограничен сопротивлением внешней цепи и мощность, выделяющаяся на переходе, невелика, то пробой обратим.
Значения диффузионной емкости могут иметь порядок от сотен до тысяч пикофарад. Поэтому при прямом напряжений емкость р-п перехода определяется преимущественно диффузионной емкостью, а при обратном напряжении – барьерной емкостью.