48264 (Программная модель процессоров семейства X86), страница 8

Для обращения к устройствам ввода/вывода процессор имеет отдельные инструкции IN и OUT, результатом выполнения которых является формирование шинных сигналов IORD и IOWR. В циклах ввода/вывода используют только младшие 16 бит шины адреса, что позволяет адресовать до 64кбайт регистров ввода/вывода. Адрес устройства задается либо в команде, либо берется из регистра DX.

Циклы обращения к портам отличаются от циклов памяти использованием шины адреса. При обращении к портам линии адреса А16..А19 всегда содержат 0, а линии А8..А15 содержат старший байт адреса, только при косвенной адресации через регистр DX. При обращении по непосредственному адресу линии А8..А15 содержат 0.

Цикл подтверждения прерывания аналогичен циклу чтения порта но вместо сигнала IORD, активен сигнал INTA, а состояние шины адреса процессором в это время не управляется.

САМОСТОЯТЕЛЬНО

Организация систем ввода-вывода.

Ввод-вывод по прерываниям.

Программный ввод-вывод.

Прямой доступ памяти.

Контроллер прямого доступа памяти.

Прерывания.

Назначение и типы прерываний.

Механизм обработки программный прерываний.

Механизм обработки аппаратных прерываний.

Контроллер прерываний.

Память.

Сегментная организация памяти.

Виды памяти. ОЗУ. ПЗУ.

Типы ОЗУ: статическая память, динамическая память.

Типы ПЗУ.

Иерархия памяти.

КЭШ память.

Принципы действия КЭШ памяти.

Организация КЭШ памяти.

Распределение адресного пространства.

Новые виды памяти.

Построение вычислительных систем.

Организация аппарата программного автомата.

Способы повышения производительности ЭВМ.

Многомашинные и мультипроцессорные ВС.

Мультипрограммные ВС.

Тенденции развития ВС и средств ВТ.

Новые виды памяти.

FeRAM

Ферроэлектрическая память -- Ferroelectric RAM (FeRAM), это энергонезависимый тип памяти, аналогичный Flash памяти, что означает возможность хранения данных без использования источников энергии. Чипы FeRAM имеют маленькую емкость, на уровне килобит, но производство 1 Мбит чипов FeRAM уже не за горами, этим занимается компания NEC.

DRDRAM

Технология памяти Rambus основной архитектурой для изготовления системной памяти персональных компьютеров, в результате чего с 1999 года начнется вытеснение с этого рынка памяти типа SDRAM. Зная возможности Intel, можно с большой долей уверенности сказать, что так оно и будет. Специалисты корпорация Intel опробовали различные технологии памяти типа DRAM, прежде чем остановить свой выбор на технологии Rambus. Intel лицензировала архитектуру RDRAM у компании Rambus, после чего обе фирмы начали совместные разработки по созданию нового типа памяти, получившего наименование DRDRAM (Direct RDRAM). Кстати, компания Rambus выдала лицензии на свою технологию изготовления памяти семи крупнейшим производителям чипов DRAM и около 15 производителям контроллеров. Результатом выбора корпорацией Intel технологии Rambus может стать появление более быстрой и более совершенной памяти, которая будет применятся повсеместно.

DDR SDRAM

Новый тип памяти DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM), появился в следствии улучшений архитектуры SDRAM, поэтому другое название этого типа памяти - SDRAM II. Лидерство в разработке этого типа памяти принадлежит корпорации Samsung. В настоящее время многие крупные производители чипов памяти заявили о намерении продвигать эту архитектуру. Однако, в свете того, что Intel собирается продвигать другую архитектуру памяти - DRDRAM, будущее DDR SDRAM представляется туманным.

Память типа DDR SDRAM может передавать и принимать данные по восходящему и нисходящему уровню сигнала шины, в отличие от обычной памяти типа SDRAM, которая передает данные только по восходящему уровню сигнала. При этом команды и адреса в DDR SDRAM все равно передаются по верхнему фронту сигнала. Память типа DDR SDRAM имеет большую ширину полосы пропускания, но только в случае передачи длинных пакетов данных. Максимальная величина ширины полосы пропускания DDR SDRAM может достигать 1.6 Гб/сек при частоте шины 100MHz.

Осенью 1998 компания Fujitsu Microelectronics представит первые образцы модулей DIMM, созданных по технологии DDR SDRAM. Работает эта память на частоте 125 Мгц, с пропускной способностью около 200 миллионов операций в секунду, что примерно соответствует DRDRAM. При всех своих достоинствах, эта технология прекрасно работает с нынешними машинами, являясь эволюционным развитием DRAM, в отличие от совершенно новой технологии Rambus, для которой опять понадобятся новые чипсеты системных плат и т.д.

ESDRAM

Enhanced SDRAM (ESDRAM - улучшенная SDRAM) -- более быстрая версия SDRAM, сделанная в соответствии со стандартом JEDEC компанией Enhanced Memory Systems (EMS). С точки зрения времени доступа производительность ESDRAM в два раза выше по сравнению со стандартной SDRAM. В большинстве приложений ESDRAM, благодаря более быстрому времени доступа к массиву SDRAM и наличию кэша, обеспечивает даже большую производительность, чем DDR SDRAM.

Более высокая скорость работы ESDRAM достигается за счет дополнительных функций, которые используются в архитектуре этой памяти. ESDRAM имеет строку кэш-регистров (SRAM), в которых хранятся данные, к которым уже было обращение. Доступ к данным в строке кэша осуществляется быстрее, чем к ячейкам SDRAM, со скоростью 12 ns, т.к. не требуется обращаться к данным в строке через адрес в колонке. При этом скорость работы ячеек ESDRAM составляет 22 ns в отличие от стандартной скорости работы ячеек SDRAM, имеющей значения 50 - 60 ns.

При этом стоит заметить, что память ESDRAM полностью совместима со стандартной памятью JEDEC SDRAM на уровне компонентов и модулей, по количеству контактов и функциональности. Однако, чтобы использовать все преимущества этого типа памяти, необходимо использовать специальный контроллер (чипсет).

Увеличение производительности при использовании ESDRAM достигается за счет применения двухбанковой архитектуры, которая состоит из массива SDRAM и SRAM строчных регистров (кэш). Строчные регистры вместе с быстрым массивом SDRAM обеспечивают более быстрый доступ для чтения и записи данных по сравнению со стандартной SDRAM. ESDRAM может работать в режиме "упреждающего обращения" к массиву SDRAM, в результате следующий цикл записи или чтения может начаться в момент, когда выполнение текущего цикла не завершено. Возможность использовать такой режим напрямую зависит от центрального процессора, управляющего работой конвейера адресации.

С точки зрения применения в качестве системной (оперативной) памяти компьютера чипсет VCS-164 (Polaris) компании VLSI Technology поддерживает ESDRAM, правда, этот чипсет рассчитан для применения в системах на базе процессора Digital Alpha. ESDRAM полностью соответствует спецификации Intel PC-100 SDRAM, и соответственно, совместима с чипсетами Intel 440BX и Via Technologies MVP-3.

FCRAM

Fast Cycle Random Access Memory (FCRAM). Разработчик этого типа памяти - компания Fujitsu. В основу этого типа памяти легла принципиально иная концепция по сравнению с DRAM. Время выполнения цикла соответствует всего 20нс, т.е. в 3-4 раза меньше, чем у нынешних модулей DRAM. Это достигнуто благодаря двум принципиальным моментам. Во-первых, в отличие от современных чипов памяти, где сначала выясняется адрес строки (RAS), а потом, после некоторой задержки, адрес столбца (CAS), где находится нужная ячейка, в FCRAM мгновенно выясняются обе координаты. Во-вторых, существующая память типа DRAM имеет время выполнения цикла 70нс, из-за того, что после выполнения каждой операции над ячейкой должна пройти команда сброса. В FCRAM же встроена цепь автоматического сброса, благодаря чему возможна конвейерная обработка команд, где следующая команда начинает выполняться еще до окончания выполнения предыдущей. Итог - время выполнения цикла - 20нс. В результате мы получаем очень интересный гибрид. По скорости работы FCRAM более напоминает SRAM, а по объему - обычную память DRAM.

MRAM

MRAM - Magnetic random access memory. Разработчик - компания Toshiba. Уже есть пробный образец основной структуры чипа MRAM, воплощающего в себе новую технологию памяти, потенциально способную превзойти существующие типы DRAM и по скорости, и по объему, и по энергопотреблению. Уже этот тестовый образец демонстрирует выдающиеся скоростные качества - цикл чтения занимает всего 6 нс.

Согласно заявлению компании, технология хранения информации в чипе MRAM заключается в создании элемента с мелкими частицами платины и кобальта, находящихся между двумя магнитными слоями. Запись и чтение происходят путем изменения магнитной активности в контуре.