48113 (Постійні запам’ятовувальні пристрої), страница 2

При читанні, в відсутності заряду на плаваючому затворі, під дією додатного поля на керуючому затворі, утворюється n-канал між витоком і стоком, і виникає струм (логічна 1). При наявності заряду канал не з’являється і струм не виникає (логічний 0).

Архітектура (організація з’єднань між комірками) FLASH пам’яті.

Найбільш розповсюдженими на даний момент є мікросхеми з організацією NOR і NAND.

Архітектура NOR (NOТ OR, АБО-НІ).

Кожна комірка підключена до двох перпендикулярних ліній – бітів (bit line) та слів (word line) (рис. 10). Усі комірки пам’яті NOR, згідно правилам, підключені до своїх бітових ліній паралельно. Суть логічної операції NOR – в переході лінії бітів у стан 0, якщо хоча б один з транзисторів-комірок, приєднаних до неї, проводить струм. Селекція комірки здійснюється за допомогою лінії слів.

Інтерфейс паралельний. Довільне читання та запис. Швидкий довільний доступ, можливість запису побайтно. Відносно повільний запис і стирання.

Рис. 10. Структура комірки FLASH- пам’яті.

Архітектура NAND (NOТ AND, ТА-НІ).

В цьому випадку бітова лінія переходить у стан 0, якщо всі транзистори, які підключені до неї проводять струм. Комірки приєднуються до бітової лінії серіями, що знижує швидкість операції читання (зменшується струм кожної комірки), але ж підвищується швидкість стирання та програмування. Для зменшення негативного ефекту низької швидкості читання, чіпи NAND мають внутрішній регістровий кеш. В цій архітектурі більш компактна упаковка ніж в паралельній архітектурі NOR.

Інтерфейс послідовний. Швидкий запис та стирання, невеликий розмір блока. Повільний довільний доступ, але ж невеликими блоками. Немає можливості запису побайтно.

Архітектури AND (ТА), DINOR (DIVIDED BIT-LINE NOR, АБО-НІ з розділеними розрядними лініями).

Типи пам’яті, які комбінують найкращі властивості властивостей NOR і NAND. Невеликий розмір блоку, мультиблочне стирання, зберігає комірки від пережигання.

У заключній частині заняття викладач підводить підсумки заняття, звертає увагу курсантів на основні питання, винесені на заняття, рекомендує, які питання буде доцільно додатково розглянути на самостійній підготовці та повідомляє перелік рекомендованої літератури. Крім того, слід підкреслити, що наступне заняття є семінарським та видати план його проведення.

ВИСНОВОК

Постійні запам'ятовуючі пристрої (ПЗП) є важливою частиною мікропроцесорних систем (МПС). Вони призначені для зберігання та читання інформації, яка використовується процесором.

Розрізняють такі типи ПЗП:

• ROM;

• РROM;

• ЕРROM;

• ЕЕРROM;

• FLASH пам’ять.

Постійна пам’ять є енергонезалежною, тобто інформація в ПЗП не зникає після знеструмлення комп’ютера. Область використання ПЗП – це BIOS, карти пам’яті.

ПЗП, постійно вдосконалюються на технологічному, апаратному, архітектурному рівнях.