63468 (Модернизация блока управления аппарата искусственной вентиляции легких "Спирон–201"), страница 11
Описание файла
Документ из архива "Модернизация блока управления аппарата искусственной вентиляции легких "Спирон–201"", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "коммуникации и связь" из , которые можно найти в файловом архиве . Не смотря на прямую связь этого архива с , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "коммуникации и связь" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "63468"
Текст 11 страницы из документа "63468"
Таблица 2.6.3. Плата питания ИМ
| Наименование и тип элемента | Обозначение по чертежу | Количество Ni | Интенсивность отказа при номинальном режиме 0i *10-6 1/ч | Режим работы | Поправочный Коэффициент Аi | Интенсивность отказов i-го элемента Аi * oi *10-6, 1/ч | Интенсивность отказа изделия Из-за элементов i-го типа Ni * Ai * oi * 10-6, 1/ч | |
| Коэф-т нагрузки Кн | Температура рабочая Т,о С | |||||||
| Микросхемы: КР142ЕН9Е КР142ЕН9Д | D1 D2 | 1 1 | 0,1 0,1 | 0,5 0,5 | 40 40 | 1 1 | 0,1 0,1 | 0,1 0,1 |
| Резисторы: С5–16МВ-5Вт – 5,1 Ом1% С5–16МВ-2Вт – 0,1 Ом1% С5–33Н – 0,5–3,0 кОм5%-А-Д | R1, R2, R3, R4 R5, R6 | 2 2 2 | 0,04 0,04 0,04 | 0,5 0,5 0,5 | 40 40 40 | 0,1 0,1 0,1 | 0,004 0,004 0,004 | 0,008 0,008 0,008 |
| Конденсаторы: К50–24–63В-2200 мкФ80 К73–11–250В – 0,33 мкФ10% К50–24–63В-100 мкФ | С1, С2 С3, С4 С5, С6 | 2 2 2 | 0,135 0,035 0,135 | 0,9 0,9 0,9 | 40 40 40 | 0,9 0,9 0,9 | 0,1215 0,0315 0,1215 | 0,243 0,063 0,243 |
| Диод полупроводниковый КД227А Транзистор КТ818В Светодиод АЛ307КМ Вилка СНП58–64/94х-9В-23–2–0 Пайка Провода | V1…V8 V9…V12 V13,V14 X1, X2 | 8 4 2 2 64 31 | 0,2 0,5 0,2 0.01 0,004 0,015 | 0,8 0,8 0,8 1 1 1 | 40 40 40 40 | 1,19 0,9 1,19 1 1 1 | 0.238 0,45 0,238 0,01 0,004 0,015 | 1,904 1,8 0,476 0,02 0,256 0,465 |
I=2,77310-6
Таблица 2.6.4. ПЛАТА ПИТАНИЯ МС
| Наименование и тип элемента | Обозначение по чертежу | Количество Ni | Интенсивность отказа при номинальном режиме 0i *10-6 1/ч | Режим работы | Поправочный Коэффициент Аi | Интенсивность отказов i-го элемента Аi * oi *10-6, 1/ч | Интенсивность отказа изделия Из-за элементов i-го типа Ni * Ai * oi * 10-6, 1/ч | ||||
| Коэф-т нагрузки Кн | Температура рабочая Т,о С | ||||||||||
| Микросхемы: КР142ЕН8Е КР142ЕН8Д КР142ЕН5А | D1, D3 D2, D5 D4 | 2 1 1 | 0,1 0,1 0,1 | 0,5 0,5 0,5 | 40 | 1 | 0,01 | 0,02 0,01 0,01 | |||
| Резисторы: С2–33Н – 0,125–3 кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,125–820Ом5%-А-Д С2–33Н – 0,125–3,9кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,125–10кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,125–75кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,125–4,7кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,125–3,3 кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,125–330Ом5%-А-Д С2–33Н – 0,25–160 кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,25–8,2 кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,5–510 Ом5%-А-Д С2–33Н – 0,25–560Ом5%-А-Д С2–33Н – 0,25–240 кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,5–2 Ом5%-А-Д СП5–22В-1Вт – 1,5 кОм10% СП5–22В-1Вт-10 кОм10% СП5–22В-1Вт – 1,0 кОм10% Диоды: Полупроводниковый КД227А Полупроводниковый КД209А Транзистор КТ818Б Светодиод АЛ307КМ Пайка Провода | R1, R2, R9, R10 R3, R19, R29…R31, R33, R34, R36, R42, R46, R53…R55 R4, R5 R6, R8 R11, R12 R13..R15, R17, R18, R28, R77…R82 R20 R21…R26, R47…R52 R37 R38 R39 R65…R70 R71…R76 R82…R88 R7 R5, R16, R35, R40, R41 R27 V1…V4 V5…V16 V17, V18 V19…V23 | 4 13 2 2 2 12 1 12 1 1 1 5 5 7 1 5 1 4 12 2 5 93 46 | 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,053 0,053 0,053 0,2 0,2 0,5 0,2 0,004 0,015 | 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,8 0,8 0,8 0,8 1 1 | 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 | 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 0,3 0,3 0,3 1,19 1,19 0,9 1,19 1 1 | 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,0159 0,0159 0,0159 0,238 0,238 0,45 0,238 0,004 0,015 | 0,4 1,3 0,2 0,2 0,2 1,2 0,1 1,2 0,1 0,1 0,1 0,5 0,5 0,7 0,0159 0,0795 0,0159 0,952 2,856 0,9 1,19 0,372 0,69 | |||
I=15,7857*10-6
Таблица 2.6.5. Плата управления индикацией
| Наименование и тип элемента | Обозначение по чертежу | Количество Ni | Интенсивность отказа при номинальном режиме 0i *10-6 1/ч | Режим работы | Поправочный Коэффициент Аi | Интенсивность отказов i-го элемента Аi * oi *10-6, 1/ч | Интенсивность отказа изделия Из-за элементов i-го типа Ni * Ai * oi * 10-6, 1/ч | |
| Коэф-т нагрузки Кн | Температура рабочая Т,о С | |||||||
| Микросхемы: К555ЛН1 К555ЛН2 К155ИД10 | D1, D3, D5… D7 D2 D4 | 5 1 1 | 0,1 0,1 0,1 | 0,5 0,5 0,5 | 40 | 1 | 0,1 | 0,5 0,1 0,1 |
| Резисторы: С2–33Н – 0,25–1,6 кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,25–2,2 кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,25–1,3 кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,25–560 кОм5%-А-Д С2–33Н-2–300 Ом5%-А-Д С2–33Н – 0,25–5,1 кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,25–270 Ом5%-А-Д С2–33Н – 0,25–470 кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,25–220 кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,25–1,2 кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,25–300Ом5%-А-Д С2–33Н – 0,25–4,7 кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,25–3,0 кОм5%-А-Д С2–33Н – 0,25–240 кОм5%-А-Д | R1 R2 R3 R4, R59 R5, R60 R6…R13 R14 R15…R17 R18…R24, R39…R42, R47…R50 R43…R46 R25…R31 R51…R54 R32…R38 R55…R58 R74…R84 R61…R71 R72, R73 | 1 1 1 2 2 8 1 3 15 4 11 22 11 2 | 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 | 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 | 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 | 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 | 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 | 0,1 0,1 0,1 0,2 0,2 0,8 0,1 0,3 1,5 0,4 1,1 2,2 1,1 0,2 |
| Конденсаторы: К53–14–32В – 15,0 мкФ30% К73–11а-250В – 10,33 мкФ10% К73–11а-630В – 0,022 мкФ10% К73–11а-250В – 1,0 мкФ10% КМ-5б-Н90–0.1 мкФ10% | С1 С2, С3 С4, С5 С6 С7…С13 | 1 2 2 1 7 | 0,6 0,035 0,035 0,035 0,6 | 0,56 0,9 0,9 0,9 0,9 | 40 40 40 40 | 2 0,9 0,9 0,9 0,7 | 1,2 0,0315 0,0315 0,0315 0,42 | 1,2 0,063 0,063 0,0315 2,94 |
| Трансформатор Транзистор КТ819В Транзистор КТ605ЕМ Диод полупроводниковый КД424А Вилка СНП58–64/94х9В-23–2-Вилка Онп-ВС-39–16/40,5х62-В53 Пайка Провода | T1 V1, V2 V12…V37 V4…V8 X1, X2 X3, X4 | 1 2 26 5 2 2 184 130 | 0,025 0,56 0,5 0,2 0,01 0,01 0,004 0,015 | 1 0,8 0,8 0,8 1 1 1 1 | 40 40 40 40 40 40 | 5,2 0,9 0,9 1,19 1 1 1 1 | 0,13 0,504 0.504 0,238 0,01 0,01 0,004 0,015 | 0,13 1,008 13,1 1,19 0,02 0,02 0,736 1,95 |
=I=28,110-6
3. Технологическая часть
3.1 Разработка методики испытания микроконтроллера
3.1.1 Назначение и состав устройства для испытания
Устройство предназначено для статической и динамической проверки электрических плат построенных и разработанных для микропроцессорных систем.
