Задача № 1.1

Дано: VT1-Si, _N=50, _I=2, m_т=30мВ I_Э=I₁₀(e^{U бэ/(m т)}-1), , I_К=I₂₀(e^{U кб/(m т)}-1), I₁₀=210^-10А, I₂₀=310^-10А, r_Б=200 Ом, r_КS=50 Ом., R_К=1к, R_Б= 5к.

Опр: U_ВЫХ= f(E_Г),

U_КЭН= при S=I_Б/ I_БН =2.

Задача № 1.2

Дано: VT1-Si, =50, I_к0=0,1мкА, I_Э=I₁₀(e^{U бэ/(m т)}-1), m_т=30мВ,

I₁₀=110^-13А, I₂₀=310^-13А, r_Б=200 Ом, r_КS=100 Ом

R_К=5к, R_Б= 5к, С_КБ= 5Ф, С_ЭБ=10Ф

_=10^-7с.

Опр: U_ВЫХ, I_К = f(t), если Е_Г = 3В= =идеальный прямоугольный импульс (Ти =1мС).

Задача № 1.3

Дано: VT1-Si, =50, I_к0=0,1мкА, R_К=1к, R_Б= 5к, С_КБС_ЭБ0, С_Н=1000Ф, _=10^-10с.

Опр: U_ВЫХ, I_К = f(t), если Е_Г =5В = идеальный прямоугольный импульс.

Задача № 1.4

Дано: VT1-Si, =50, I_к0=0,1мкА, R_Э=1к, R_Б= 5к, С_КБС_ЭБ0, C_Н=0,01мкФ,

_=10^-10с.

Опр: U_ВЫХ, = f(t), если Е_Г =5В = идеальный прямоугольный импульс.

Задача № 1.5

Дано: VT1, VT2=Si, =50, I_к0=0,1мкА, R_Н=1к, R_Б= 5к, С_КБС_ЭБ0, C_Н=0,01мкФ,

_=10^-10с.

Опр: U_ВЫХ, = f(t), если Е_Г =10В = идеальный прямоугольный импульс.

Задача № 1.6

Дано: VT1=Si, =50, I_к0=0,1мкА, VD =Si, R_Н=0.2к, L=20мГн, R_Б= 5к, С_КБ10Ф, С_ЭБ20Ф, _=10^-10с.

Опр: U_ВЫХ, I_K, I_L = f(t), если Е_Г =10В = идеальный прямоугольный импульс.

Задача № 1.7

Дано: VT1,VT2=Si, b₁=5мА/В², b₂=5мА/В²

U₀₁=2В, U₀₂=3В.

Опр: U_ВЫХ, I_ПИТ = f(Е_Г),
Выполняемая логическая функция..

Задача № 1.7,а

Дано: VT1,VT2=Si, b₁=5мА/В², b₂=5мА/В²

U₀₁=2В, U₀₂=3В.

Опр I_ВЫХ^/=f(Е_Г^/)
при Е_Г1=0, и при Е_Г2=10В, Выполняемая логическая функция..

Задача № 1.8

Дано: VT1,VT2=Si, b₁=5мА/В², b₂=5мА/В²

U₀₁=2В, U₀₂=3В.

С_Н=200Ф.

Опр: U_ВЫХ, I_VT1 ,I_VT2 = f(t)
при Е_Г=10В - идеальном прямоугольном импульсе.

Задача №1.9

Дано: E_ПИТ =+9 В,  U_О1 = U_О2 = 3В,

 U_О3 = U_О4 = 4В,

b_n = 0,1 мА/B, b_p = 0,2 мА/B.

Опр: U¹, U⁰ , вывести логическую функцию, выполняемую схемой.

Задача № 1.10

Дано: E_ПИТ =+9 В,  U_О1 = U_О2 = 3В,

 U_О3 = U_О4 = 4В,

b_n = 0,1 мА/B, b_p = 0,2 мА/B.

Опр: U¹, U⁰ , вывести логическую функцию, выполняемую схемой.

Задача № 1.11

Дано: E_ПИТ = +5 В, V_МЭТ, VT1 = Si , _N=50,
_I = 4, R_К = 1 к, R_б = 3 к.

Опр: 1) выполняемую логическую функцию,

2) Iвх = f (Uвх),

3) Uвых = f (Uвх),

4) Iвых^ = f (Eг^),

5) Форму импульса Uвых(t) при управлении ЛЭ идеальным импульсным сигналом.

Задача № 1.12

Дано: E_ПИТ = +5 В, V_МЭТ, VT1, VT2, VT3, VD = Si, _N=50, _I = 4, R_б = 4,3 к, R1 = 3,3к, R2 = 1,5к,
R3 = 0,18к.

Опр: 1) выполняемую логическую функцию,

2) Iвх = f (Uвх),

3) Uвых = f (Uвх),

4) Iвых^ = f (Eг^),

Задача № 2.1

Дано: VT1, VT2 =Si, =50, I_К0=0,1мкА.

Принять: U_БЭ, =0,7В, U_{КЭН =} 0,1В. Опр: _К1, _К2, _Б1, _Б2.

Задача № 2.2

Дано: VT1, VT2 =Si, =50, I_К0=0,1мкА.

Дать схемы замещения транзистора: 1) в насыщенном состоянии, 2)в отсечке

Опр: _К1, _К2, _Б1, _Б2.

Задача № 2.3

Дано: VT1=VT2=VT3=VT4=Si, =50, I_К0=0,1мкА.

R_К1= R_К2=5к, R_Б1=R_Б2=R_Б3=R_Б4=15к.

Дать схемы замещения транзистора: 1) в насыщен-ном состоянии, 2)в отсечке

Опр: _К1, _К2, _Б1, _Б2.

Опр: _ВЫХ1, _ВЫХ2=f(_ВХ1, _ВХ2).,

Составить словарь переходов.

Задача № 2.4

Дано: D1, D2 =К561ЛЕ5.

Определить выходы Q и Q^-,

Составить таблицу состояний.

Задача № 2.5

Дано: D1, D2 =К561ЛА7.

Определить выходы Q и Q^-,

Составить таблицу состояний.

Задача № 2.6

Дано: D1, D2, D3, D4 =К155ЛА3.

Составить таблицу состояний схемы.

Задача № 2.7

Дано: D1, D2, D3, D4 =К155ЛА3.

Составить таблицу состояний схемы.

Задача № 2.8

Обьяснить работу триггера.

Задача № 3.1

Дано: VT1, VT2 -Si, =50, I_К0= 0,1мкА

Рассчитать: пороги срабатывания, потенциалы _К1, _К2. Привести осциллограмму U_вых в случае, если
E_Г = А Sin t.

Задача № 3.2

Дано: A1 K_UД=10³, r_ВХД= 10⁵ Ом,

r_ВЫХ= 50 Ом. E_ПИТ1=+10В, E_ПИТ2=-10В. R1= 10к, R2= 5к.

Рассчитать: пороги срабатывания, потенциалы U_вых. Привести осциллограмму U_вых в случае, если
E_Г = А Sin t.

Задача № 3.3

Дано: A1 K_UД=10³, r_ВХД= 10⁵ Ом,

r_ВЫХ= 50 Ом. E_ПИТ1=+10В, E_ПИТ2=-10В. R1=5к, R2=10к.

Рассчитать: пороги срабатывания, потенциалы U_вых. Привести осциллограмму U_вых в случае, если
E_Г = А Sin t.

Задача № 3.4

Дано: D1, D2 - ЛЭ КМОП K561ЛА7. E_ПИТ1=+10В.

Рассчитать: пороги срабатывания, потенциалы U_вых. Привести осциллограмму U_вых в случае, если
E_Г = А Sin t.

Задача № 3.5

Дано: D1, D2 - ЛЭ ТТЛ K155ЛА3. E_ПИТ1=+5В.

Рассчитать: пороги срабатывания, потенциалы U_вых. Привести осциллограмму U_вых в случае, если
E_Г = А Sin t.

Задача № 4.1

Дано: VT1, VT2 -Si, =50,
I_К0= 0,1мкА

Рассчитать и привести осцилло-граммы _К1, _К2, _Б1, _Б2 (t). Вычислить полупериоды колебаний.

Задача № 4.2

Дано: D1D3 ЛЭ КМОП К561ЛН2,

Е_ПИТ =10В.

Нарисовать осциллограммы в характерных точках, вычислить

период и амплитуду колебаний.

Задача № 4.3

Дано: D1D2 ЛЭ КМОП К561ЛН2,

Е_ПИТ =10В.

Нарисовать осциллограммы в характерных точках, вычислить период и амплитуду колебаний.

Задача № 4.4

Дано: D1D5 ЛЭ КМОП К561ЛА7,

Е_ПИТ =10В, VD1=VD2=Si.

R1=50к, R2=100к, C1=C2=0,01мкФ.

Нарисовать осциллограммы в характерных точках, вычислить

период и амплитуду колебаний.

Задача № 4.5

Дано: D1D2 ЛЭ КМОП К561ЛА7,

Е_ПИТ =10В, VD1=VD2=Si.

R1=50к, R2=100к, C1=C2=0,01мкФ.

Нарисовать осциллограммы в характерных точках, вычислить

период и амплитуду колебаний.

Задача № 4.6

Дано: D1D3 ЛЭ ТТЛ К155ЛА3,

Е_ПИТ =5В.

Нарисовать осциллограммы в характерных точках, вычислить

период и амплитуду колебаний.

Задача № 4.7

Дано: D1D5 ЛЭ ТТЛ К155ЛА3,

Е_ПИТ =5В, VD1=VD2=Si.

R1=1к, R2=5,1к, С1=С2=0,1мкФ.

Обьяснитьработу схемы.

Нарисовать осциллограммы в характерных точках, вычислить

период и амплитуду колебаний.

Задача № 4.8

Дано: D1D4 ЛЭ ТТЛ К155ЛА3,

Е_ПИТ =5В, VD1=VD2=Si.

R1=R2=1к, С1=0.3мкФ, С2=0,1мкФ.

Нарисовать осциллограммы в характерных точках, вычислить

период и амплитуду колебаний.