Контрольные вопросы к лабораторным работам
Описание файла
Документ из архива "Контрольные вопросы к лабораторным работам", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физические основы электроники (фоэ)" из 3 семестр, которые можно найти в файловом архиве НГТУ. Не смотря на прямую связь этого архива с НГТУ, его также можно найти и в других разделах. .
Онлайн просмотр документа "Контрольные вопросы к лабораторным работам"
Текст из документа "Контрольные вопросы к лабораторным работам"
Контрольные вопросы
-
Температурная зависимость удельной электропроводности собственного и примесного полупроводника. Нарисовать в координатах lnσ(1/T).
-
При каких условиях удельное электрическое сопротивление полупроводника достигает максимального значения?
-
При каких условиях удельное сопротивление полупроводника будет возрастать при нагревании?
-
Физический смысл ширины запрещенной зоны. Как ее можно экспериментально определить?
-
Чем определяется собственная концентрация носителей заряда в полупроводнике? В каком полупроводнике собственная концентрация носителей заряда выше, если Eg(Ge)=0,66 эВ, Eg(Si)=1,12 эВ, Eg(GaAs)=1,44 эВ?
-
К чему на зонной диаграмме Е(х) стремится уровень Ферми в полупроводнике n-типа с ростом температуры?
-
Определить условие, при котором уровень Ферми в собственном полупроводнике не зависит от температуры.
-
Как изменится положение уровня Ферми относительно границ разрешенных зон в примесном полупроводнике при увеличении концентрации примеси?
-
Как образуются в примесном полупроводнике основные носители заряда? Объяснить с использованием зонной энергетической диаграммы Е(х).
-
Как зависит концентрация основных носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа от температуры? Нарисовать в координатах lnp(1/T) для двух концентраций акцепторной примеси, различающихся в 10 раз.
-
Что такое подвижность носителей заряда, от каких физических параметров она зависит, в какие формулы входит?
-
Что такое коэффициент диффузии? Как он зависит от температуры, в каких единицах измеряется?
-
Какую часть электрического тока переносят дырки в собственном Si, если подвижность электронов равна 1350 см2 В-1 с-1, а дырок – 450 см2 В-1 с-1?
-
Как изменится удельное электрическое сопротивление полупроводника с концентрацией доноров Nd, если в него добавить равное количество акцепторной примеси Na?
-
Что такое основные и неосновные носители? Как они образуются в примесном полупроводнике p-типа?
-
В каком случае распределение Ферми - Дирака переходит в распределение Максвелла Больцмана?
-
Что такое собственная концентрация носителей заряда?
-
Запишите формулы для диффузионных составляющих токов.
-
Как связаны диффузионная длина и время жизни неосновных носителей?