63332 (Физические основы измерительных преобразователей), страница 2

R_Т = R₀ (1 + aT + bT), (8)

где а = 3,96847 · 10^-3 1/град; b = -5,847 · 10 ⁷ 1/град. Т –температура ⁰С

Для медных терморезисторов эта зависимость имеет вид:

R_Т = R₀ (1 + aT ), (9)

где а = 4,26 · 10^-3 1/град; R₀ – сопротивление при 0⁰С

Для большинства чистых металлов а ≈ 4 · 10^-3 1/град.

Полупроводниковые терморезисторы имеют более высокую чувствительность. Температурный коэффициент сопротивления полупроводниковых терморезисторов 3 · 10^-2 – 4 · 10^-2 1/град. Он отрицателен и уменьшается пропорционально квадрату абсолютной температуры.

В узком температурном интервале зависимость сопротивления от температуры полупроводниковых терморезисторов выражается уравнением:

R = A exp или lnR = A + , (10)

где А и В - постоянные коэффициенты, зависящие от физических свойств проводника.

Для изготовления полупроводниковых терморезисторов применяют кристаллы некоторых металлов (например, германия) и окислы титана, магния, никеля, меди и др.

Форма, габариты и конструктивные особенности полупроводниковых терморезисторов весьма разнообразны: их выполняют в виде дисков, миниатюрных бусинок , плоских прямоугольников и др.

В зависимости от типа используемого полупроводникового материала и габаритов чувствительного элемента исходное сопротивление терморезисторов составляет от нескольких Ом до десятков Мегом. Если взять простейшую электрическую схему, состоящую из последовательно соединённых терморезистора и линейного резистора, величина которого не зависит от температуры, и приложить к этой цепи напряжение, то в ней установится некоторый ток I. Зависимость падения напряжения на терморезисторе от этого тока в установившемся режиме представляет собой вольтамперную характеристику терморезистора. Вольтамперная характеристика состоит из трёх основных участков. Средний участок далёк от линейного и показывает, что с ростом тока температура терморезистора повышается, а его сопротивление ( вследствие увеличения числа электронов и дырок проводимости в материале полупроводника) уменьшается. При дальнейшем увеличении тока уменьшение сопротивления оказывается столь значительным, что рост тока ведёт к уменьшению напряжения на терморезисторе. Это и позволяет использовать некоторые типы терморезисторов для стабилизации напряжения. Характерным для цепи, содержащей терморезистор и линейный резистор , является резкое, скачкообразное нарастание или убывание тока, вызванное изменением сопротивления терморезистора. Это явление получило название релейного эффекта. Релейный эффект может произойти в результате изменения температуры окружающей среды или величины приложенного к цепи напряжения. При повышении окружающей температуры от Т1 до Т2 ток вначале возрастает плавно, а далее при небольшом повышении температуры скачком возрастает и устойчиво сохраняет своё значение при постоянстве температуры. Это явление называется прямым релейным эффектом. Уменьшение температуры приводит к плавному и в конце к скачкообразному уменьшению тока. Это явление называется обратным релейным эффектом. Релейный эффект используется в разнообразных схемах тепловой защиты, температурной сигнализации, автоматического регулирования температуры. Помимо вольтамперной характеристики, важнейшей характеристикой терморезистора является зависимость его сопротивления от температуры (температурная характеристика). Важнейшими параметрами терморезисторов являются : номинальное (холодное) сопротивление- сопротивление рабочего тела терморезистора при температуре окружающей среды 20 °С и температурный коэффициент сопротивления, выражающий в процентах изменение абсолютной величины сопротивления рабочего тела терморезистора при изменении температуры на 1 °С

Температурный коэффициент сопротивления можно обозначить αт.

Тогда αт = -В/Т² (11)

Где В- коэффициент температурной чувствительности, зависящий от физических свойств материала.

В=Т1*Т2 / Т1-Т2*Ln Rт1/ Rт2 (12)

Т1-исходная температура рабочего тела, Т2-конечная температура рабочего тела, для которой определяется значение αт.

Rт1 и Rт2-сопротивление рабочего тела терморезистора при температурах соответственно Т1 и Т2.

Также важным параметром терморезистора является наибольшая мощность рассеивания- мощность при которой терморезистор, находящийся при температуре 20 °С, разогреется протекающим током до максимальной рабочей температуры.

Максимальная рабочая температура- температура при которой характеристики терморезистора остаются стабильными длительной время ( в течение указанного срока службы).

Параметр τ- характеризует тепловую инерцию терморезистора. То есть время в течение которого температура терморезистора становится равной 63°С при перенесении его из воздушной среды с температурой 0°С в воздушную среду с температурой 100°С.

Терморезисторы с отрицательным температурным коэффициентом используются для измерения и регулирования температуры, термокомпенсации различных элементов электрической цепи, работающих в широком интервале температур, измерения мощности высокочастотных колебаний и индикации лучистой энергии, стабилизации напряжения в цепях постоянного и переменного токов, в качестве регулируемых бесконтактных резисторов. Терморезисторы с положительным температурным коэффициентом (позисторы) изготовляют на основе титана бария , легированного специальными примесями, которые в определённом интервале температур увеличивают своё удельное сопротивление на несколько порядков. Существующие технологии позволяют изготовлять позисторы с положительным αт, составляющим 0,15-0,2 (1°С). По своему конструктивному оформлению позисторы аналогичны терморезисторам таблеточного типа, диаметром около 5мм.Сопротивление позистора возрастает с возрастанием его температуры, что используется для ограничения тока в цепи нагрузки.

Литература

1. Трофимов А.Н. Автоматика, телемеханика, вычислительная техника в химических производствах. Учебник. Энергоатомиздат. 1985.

2. Фарзане Н.Г., Илясов П.В., Азим-заде А.Ю. Технологические измерения и приборы. Учебник. Москва. Высшая школа.1989.

3. Жарковский Б.И. Приборы автоматического контроля и управления. Учебник. Высшая школа. 1989.

4. Попов И.А., Грунтович Н.В. Сборник заданий для самостоятельной работы по основам теории автоматического управления (регулирования). Учебное пособие. ВМФ. 1982.

5. Трофимов В.В. Справочник АСУТП. Справочник. Киев. Техника. 1988.

6. Измерительно-информационные системы. Учебник. ВМФ. Ч.1. 1990 г.

7. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники. Киев.Вища шк.1987.