Шаблон отчета Исследование гальваномагнитных эффектов в полупроводниковых материалах (Шаблон отчета «Исследование гальваномагнитных эффектов в полупроводниковых материалах»)
Описание файла
Документ из архива "Шаблон отчета «Исследование гальваномагнитных эффектов в полупроводниковых материалах» ", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "радиоматериалы и радиокомпоненты" из 3 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. .
Онлайн просмотр документа "Шаблон отчета Исследование гальваномагнитных эффектов в полупроводниковых материалах"
Текст из документа "Шаблон отчета Исследование гальваномагнитных эффектов в полупроводниковых материалах"
Московский Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции и Ордена Трудового Красного Знамени
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н.Э.БАУМАНА
Кафедра РЛ-1, Секция № 3
Дисциплина
« Радиоматериалы и радиокомпоненты »
Отчёт по лабораторной работе
«Исследование гальваномагнитных эффектов в полупроводниковых материалах »
| Студент | ||
| Подготовка | ||
| Выполнение | ||
| Защита | ||
Результаты исследований и вычислений заполняются студентом индивидуально, ручкой
МОСКВА 2010 г.
Цель работы
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Схема лабораторной установки
|
Б5-7   М198/3 Б5-8    | 1 – Электомагнит постоянного тока, запитываемый от источника Б5-7 2 – Датчик Холла, запитываемый от источника Б5-8 3 – Щуп измерителя магнитной индукции Ш1-8 |
Дать определения
Сила Лоренца – ______________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Сила Кулона – _______________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
ЭДС Холла – ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Постоянная Холла– ___________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Ток датчика I0 не должен превышать значения 40 мА !
Результаты измерений
-
Построить зависимость ЭДС Холла (Uх) от тока датчика (I0) для трёх значений магнитной индукции (В). На графике указать размерность
I0
-
Построить зависимость ЭДС Холла (Uх) от магнитной индукции (В) для трёх значений тока датчика (I0). На графике указать размерность
-
Рассчитать постоянную Холла по формуле (2) МУ, (где b=0,3 мм)
-
Рассчитать концентрацию носителей по формуле (3) МУ
Контрольные вопросы
-
В чем заключается эффект Холла?
-
В каких материалах проявляется эффект Холла и почему?
-
Чем определяется полярность ЭДС Холла?
-
Каким образом ЭДС Холла связана с концентрацией носителей электричества в полупроводнике?
-
Как зависят концентрация носителей в полупроводнике и ЭДС Холла от температуры?
-
Где применяется Эффект Холла в технике?
-
Какие эффекты, явления и технические решения основаны на проявлении силы Лоренца?
-
Оцените проявление эффекта Холла в металлах.
