Неофициальный список экзаменационных вопросов «Оптоэлектроника»

Неофициальный список экзаменационных вопросов «Оптоэлектроника»

(Оптоэлектроника, январь 2010)

Распределение вопросов по билетам

(на основе анализа вопросов из билетов №№ 2,5,6(8),7,13,17,19,20).

НЕ СЕКРЕТНО

(но преподавателю

лучше НЕ показывай )

1.

2.

3.

Вопрос в экзаменационном билете (формулировки иногда НЕ дословны, но смысл сохранён)

Б5

1. Лазер. Режимы работы.

2. Дисперсия.

3. Основные типы полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.

4. Физика полупроводников. Зонная структура.

Б5

5. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Концентрация носителей заряда в полупроводниках при термодинамическом равновесии.

Б7

6. Время жизни неравновесных носителей заряда. Диффузия и дрейф носителей заряда. Подвижность.

Б17

7. Гетеропереход, гетероструктура, двойная гетероструктура.

Б2

8. Зонная диаграмма р-п - перехода в отсутствии внешнего напряжения и при прямом смещении.

9. Планарные конструкции.

10. Основные понятия электроники. Монохроматичность, когерентность, поляризация, генерация, рекомбинация.

11. Открытие лазера. Шкала электромагнитных волн. Примеры конкретных лазеров. Корпускулярно-волновой дуализм.

12. Энергетический спектр частицы. Уравнение Шрёдингера. Вырожденный

и невырожденный уровни.

Б(6/8)

13. Монохроматичность, расходимость, пространственная и временная когерентность.

Б13

14. Оптический диапазон. Границы длин волн и частот.

Б20

15. Рекомбинация. Люминисценция.

16. Энергетические зоны полупроводников.

17. Диффузия и дрейф носителей заряда.

Б5

18. Светодиоды, физические принципы, материалы, характеристики, конструкция.

Б2

19. Фотодетекторы, лавинный диод.

20. Электролюминисцентные пленочные излучатели, физические принципы, материалы, характеристики, конструкция.

21. Фототранзисторы, устройство, характеристики, использование фототранзисторов.

Б(6/8)

22. Фотодиоды, физические принципы, материалы, характеристики, конструкция.

Б13

23. Лавинные фотодиоды.

24. Полупроводниковые фотоэлементы, физические принципы, характеристики, конструкция.

25. Фоторезисторы, физические принципы, материалы, характеристики, конструкция.

26. Фотодетекторы (p-i-n фотодиоды). Оптический приемный модуль.

Б19

27. Излучающие и фотоэлектронные полупроводниковые приборы. Оптопары.

Б7

28. Фототок. Коэфициент усиления. Технология изготовления и конструкция фоторезистора.

29. Фотодиоды. Основные характеристики ФД.

Б17

30. Светодиод. Внутренний квантовый выход, внешняя квантовая эффективность, квантовый выход.

31. ВОЛС. Оптоэлектронные приборы.

32. Оптические приемники.

Б2

33. Оптические усилители, виды ОУ, рабочие диапазоны ОУ.

Б20

34. Принципиальная схема ВОЛС.

Б13

35. Оптоэлектроника. Предмет оптоэлектроники, основные элементы оптоэлектроники.

Б7

36. Волоконные световоды, виды ВС, условие распространения света в ВС.

37. Светоизлучательные диоды (СИД). Основные характеристики и параметры СИД. Видность.

39. Оптоэлектроника. Предмет оптоэлектроники, основные элементы оптоэлектроники и физические явления, на которых они связаны.

Б17

40. Оптические передающие модули.

Б20

41. Оптоэлектронные приборы. Источники излучения. Параметры ИК диодов.

Б19

42. Полупроводниковые лазеры. Когерентное излучение.

43. Классификация лазеров. Режимы работы.

45. Принцип работы лазера. Инверсная населенность в полупроводниках. Пороговый ток.

Б(6/8)

46. Лазер. Основные элементы лазера.

47. Инверсная населенность в полупроводниках.

Б19

Диод Шоттки.