В.М. Микитин - Методические указания по курсовому проектированию, страница 3

Завершающим этапом основной работы студента над проектом является выбор и обоснование технических решений по конструкции разъемных соединителей для установки БИС, СБИС и МКМ. Это важный этап, так как конструкция устройства на последнем и предпослед­нем уровнях компоновки характеризуется большим числом внешних контактов. Студент проводит сравнительный анализ вариантов конс­трукции соединителей и предлагает свой собственный вариант.

В процессе выполнения перечисленных этапов работы формиру­ются текстовый и графический материалы, которые в дальнейшем составят основу расчетно-пояснительной записки и графической части проекта.

5. РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ИСПОЛЬЗОВАНИЮ ЛИТЕРАТУРЫ

Основные сведения по анализу параметров БИС и СБИС, совре­менным тенденциям, проблемам и путям развития степени

17

интеграции логических элементов на кристалле, их быстро-действия, уровня технологии и типа схемотехники, а также ме-тоды расчета основных компоновочных характеристик обраба-тывающих устройств изложены (см. Приложение 6 ) в лите-ратуре [ 1,2,3,4,5,6,8,9,11,12 ].

Сведения по обеспечению тепловых режимов в конструк-циях СВТ, методам их расчета и особенностям их практического применения изложены в [4,18,19,20,24 ].

Сведения о помехах в конструкциях устройств ЭВМ, поня-тии электромагнитной совместимости (ЭМС), схемотехнических и конс­труктивно-технологических способах обеспечения помехоустойчивос­ти на любом уровне конструкции приведены в [ 1,6,18-20,22,23 ].

Основные сведения по методам расчета многоуровневых конс­трукций коммутационных элементов, расчету длин связей и цепей, трассировочной способности и слойности, расчету структуры изло­жены в [ 1,6,16,18,19,20,21,22 ].

Описания конструкций устройств ЭВМ, характеристики корпусов БИС, СБИС, МКМ, Панелей, рам и разъемных соединителей, способы монтажа кристаллов в корпусы, корпусов и соединителей на печат­ные платы изложены в [ 2,3,4,6,9,10, 18,19,20,25 ].

Основные сведения по системному и функциональному быстро­действию устройств, методам расчета их параметров приведены в [ 1,13,14,17 ].

Сведения по внешним воздействующим факторам при эксплуата­ции средств ВТ, методам расчета устойчивости к механическим воз­действиям изложены в [ 18, 19,20,21 ].

Основные сведения по многоконтактным разъемным соединителям с разным принципом сочленения, применяемых для установки БИС, СБИС и МКМ на печатные платы, а также для вывода внешних связей функциональных узлов и блоков приведены в [ 4,19,20,25 ].

18

6. ЗАЩИТА КУРСОВОГО ПРОЕКТА

Полностью подготовленный курсовой проект сдается на провер­ку руководителю. При наличии замечаний в рецензии на проект сту­дент обязан дать на них письменные ответы, а в случае необходи­мости исправлений - внести их в курсовой проект. После доработки проекта студент допускается к защите. Качество доработки оцени­вается руководителем, который на титульном листе ставит визу о допуске студента к защите.

Защита курсового проекта проводится индивидуально каждым студентом на заседании комиссии, назначаемой заведующим кафедрой. Студенту отводится 15 минут на изло-жение содержания выполненной работы. Доклад иллюстри-руется графическим материалом. В процессе защиты проекта могут быть заданы вопросы по теоретической его части и содер-жательной стороне, соответствию требованиям ЕСКД, ЕСТД и другим нормативным материалам. За форму и качество проекта ответственность несет его ис­полнитель - студент.

Комиссия оценивает проект по его качеству и уровню защиты (доклад, ответы на вопросы) и проставляет оценку на титульном листе проекта и в зачетной книжке студента.

По завершении защиты студент обязан сложить листы, сшить их и сдать вместе с пояснительной запиской руководителю проекта.

19

Приложение 1.

ПРИМЕР ТЕМЫ ЗАДАНИЯ НА КУРСОВОЙ ПРОЕКТ ПО ВАРИАНТУ 1

ТЕМА: Спроектировать конструкцию быстродействующего обра­батывающего устройства ЭВМ в объеме одной СБИС.

Обеспечить помехоустойчивость конструкции и разъем­ный принцип монтажа СБИС на печатные платы.

Оценить уровень системного и функционального быст­родействия устройства на уровне СБИС.

ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ:

1
.Максимальная эффективная интеграция устройства составляет: Nmax = ХХХХХХ элэ; 2.Принцип компоновки элементов в СБИС на всех уровнях – микропроцессорный; 3. Общее число уровней компоновки элементов в СБИС – четыре (i=1,2,3,4); 4.Число элементов на 4-м уровне компоновки составляет: М4 = ХХ (см. табл. 1); 5. Библиотечные функции СБИС характеризуются двумя уровнями компоновки (i=1,2) и составляют: М1 = 10 ; М2 = ХХ (см. таб. 1); 6. Критерий качества конструкции - максимальное быстродей-ствие и плотность компоновки устройства; 7. Условия трассировки соединений на кристалле СБИС – трас-сировка соединений по всем уровням компоновки, кроме пер-вого, осуществляется на единых отдельных слоях металлизации; 8. Условие монтажа СБИС на МПП – разъемный принцип установки.

20

Приложение 2.

ПРИМЕР ТЕМЫ ЗАДАНИЯ НА КУРСОВОЙ ПРОЕКТ

ПО ВАРИАНТУ 2

ТЕМА: Спроектировать конструкцию быстродействующего обра­батывающего устройства ЭВМ в объеме одного многокрис­тального модуля (МКМ) на бескорпусных БИС.

Обеспечить монтаж МКМ на печатные платы с помощью НУС - соединителя.

Обеспечить помехоустойчивость конструкции МКМ, его ремонтопригодность и оценить уровень его системного и функционального быстродействия.

ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ:

1. Максимальная эффективная интеграция устройства составляет: Nmax= ХХХХХХ элэ (см. табл. 1); 2. Принцип компоновки элементов в СБИС на всех уровнях - микропроцессорный; 3. Общее число уровней компоновки элементов в СБИС - четыре (i=1,2,3,4); 4. Число элементов на 4-м уровне компоновки (уровне микропроцессорных БИС) составляет: М4 = ХХ (см. табл. 1); 5. Библиотечные функции БИС характеризуются двумя уровнями компоновки (i=1,2) и составляют: М1 = 10 ; М2 = ХХ (см. табл. 1); 6. Критерий качества конструкции - максимальное быстродействие и плотность компоновки стройства; 7. Коммутационный элемент МКМ - кремниевая многоуровневая подложка (как пример); 8. Условие монтажа МКМ на МПП – разъемный способ установки с использованием НУС-соединителя;

21

Приложение 3

ПРИМЕР ТЕМЫ ЗАДАНИЯ НА КУРСОВОЙ ПРОЕКТ

ПО ВАРИАНТУ 3

Тема: Спроектировать конструкцию быстродействующего обра­батывающего устройства ЭВМ в объеме одной ПАНЕЛИ на корпусных БИС.

Обеспечить плоскостной разъемный способ монтажа ПАНЕЛИ в конструкциях более высокого уровня.

Обеспечить помехоустойчивость конструкции устрой-ст­ва и оценить уровень его системного и функциональ-ного быстродействия.

ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ:

1. Максимальная эффективная интеграция устройства составляет: Nmax= ХХХХХХ элэ (см. табл. 1); 2. Общее число уровней компоновки элементов в устройстве – четыре (i=1,2,3,4); 3. Принцип компоновки элементов на всех уровнях – микропроцессорный; 4. Число элементов на 4-м уровне компоновки составляет: М4= ХХ (см. табл. 1); 5. Библиотечные функции БИС характеризуются двумя уровнями компоновки (i=1,2) и составляют: М1 = 10 ; М2 = 50 (см. табл.1); 6. Критерий качества конструкции - максимальное быстродействие и плотность компоновки устройства; 7. Условия трассировки соединений на логических слоях МПП - 1…2 проводника в шаге отверстий 1,25 мм (как пример); 8. Условие монтажа ПАНЕЛИ на конструктивном модуле более высокого уровня – разъемный, плоскостной;

22

Приложение 4

Министеpство обpазования Российской Федеpации

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

Факультет - ВМС

Кафедра - ВТ

Специальность - 220100

З А Д А Н И Е

на курсовой проект по дисциплине "Конструкторско-технологическое обеспечение производства ЭВМ”

СТУДЕНТ _____________________ Группа (шифр) _____________

I. ТЕМА ПРОЕКТА:__________________________________________

______________________(Вариант типового задания)____________ __________________________________________________________

II. ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ:

1) Максимальная эффективная интеграция устройства _________

2) Принцип компоновки элементов в устройстве_______________

3) Число уровней компоновки ______________________________

4) Число элементов на последнем уровне компоновки __________

5) Характеристики функциональной библиотеки элементов______

6) Критерий качества конструкции __________________________

23

7) Тип коммутационного элемента устройства и условия трас-

сировки ________________________________________________

8) Условия монтажа в конструктивном модуле более высокого уровня _________________________________________________

III. СОДЕРЖАНИЕ РАСЧЕТНО-ПОЯСНИТЕЛЬНОЙ ЗАПИСКИ ______________________________________________________ _____(Перечень вопросов, подлежащих разработке)__________ ______________________________________________________

IV. ПЕРЕЧЕНЬ ГРАФИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ________________ _________________________________________________________________(С точным указанием обязательных чертежей)_______________ ____________________________________________________________

Задание выдано " " 200 г.

Руководитель _____________________________

Студент___________________________________

ОТЗЫВ РУКОВОДИТЕЛЯ_____________________________________ _____________________________________________________________

Защита курсового проекта " " 200 г. Комиссия: ______________________________________ _______________________________________________

Оценка _______________

Особое мнение комиссии__________________________

________________________________________________

24

Приложение 5

Министеpство обpазования Российской Федеpации

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ

РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

Факультет - ВМС Кафедра - ВТ Специальность - 220100

КУРСОВОЙ ПРОЕКТ

Тема: КОНСТРУКЦИЯ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕГО ОБРАБАТЫВА-ЮЩЕГО УСТРОЙСТВА ЭВМ С ИНТЕГРАЦИЕЙ ХХХХХХ ЛЭ В ОБЪЕМЕ …__________________________________________________

Дисциплина: "Конструкторско-технологическое обеспечение производства ЭВМ”

Задание N __________

Студент _____________________

Группа (шифр)________________

Начало работы _________ Окончание работы __________

Руководитель _________________

Допущен к защите _______________

"____"___________ 200 г.

Москва 200

25

Приложение 6

РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. Микитин В.М., Смирнов Н.А., Тювин Ю.Д. Электронное конструирование ЭВМ. Основы компоновки и расчета парамет-ров конструкций: Учебное пособие. Под общей редакцией Б.Н. Файзулаева / Моск. гос. институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет).- М., 2000.-118 с.

2. Коваленко С.М., Тювин Ю.Д. Элементная и конструк-тивная база высокопроизводительных ЭВМ: Учебное пособие / Моск. гос. институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет).- М., 1997. - 44 с.

3. Коваленко С.М. Технология и основные характеристики интегральных схем и микропроцессоров: Учебное пособие / Моск. гос. институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет).- М., 1998. - 27 с.

4. Новиков А.А. Состояние и основные направления развития технической базы суперЭВМ. - ЭВТ. - 1989.- Вып.3.- С.66-96.

5. Микитин В.М. Абстрактная модель и система взаимосвязи компоновочных параметров в многоуровневых конструкциях устройств ЭВМ. Труды международного научно-технического семинара "Совре­менные технологии в задачах управления, автоматики и обработки информации". Алушта, 1998, с.207-209.

6. Применение интегральных микросхем в электронной вычи-слите­льной технике: Справочник / Р.В.Данилов, С.А.Ельцова, Ю.П.Иванов, В.М.Микитин и др.; Под ред. Б.Н.Файзулаева, Б.В. Тарабрина.- М.: Радио и связь, 1987. - 384с.

7. Файзулаев Б.Н., Микитин В.М., Каменский В.В. Проблемы конструирования быстродействующих процессорных модулей. - Вычис­лительная техника социалистических стран, 1989, вып.26, с.95-103.

8. Файзулаев Б.Н., Кастрюлев А.Н., Микитин В.М. Разработка конструктивно-технологических методов создания высококаче-ствен­ных изделий кремниевой микроэлектроники. Сборник "Электронная промышленность", N 4/5, 1994. с.

26

9. Многочипные модули для высокопроизводительных систем. - Hybrid circuit. - 1990. - N 21. - p.28-32.

10. Патент РФ RU 2091906 C1, 6 H 01 L 23/02 . Многокриста­льный модуль / Файзулаев Б.Н., Микитин В.М. / Б.И. N 27, 1997г.

11. Файзулаев Б.Н. Проблемы и прогноз развития сверхскоро-ст­ных сверх-БИС ЭВМ. - Микроэлектроника. - 1986. - Т.15. - Вып.2. - С. 114-125.