Пояснительная записка (Готовый курсовой проект, вариант 5.3.1), страница 6

, где:

К_s – коэффициент заполнения или коэффициент плотности топологической структуры платы микросхемы;

S_Ri – площадь i-ого резистивного элемента;

S_Ci – площадь i-ого емкостного элемента;

S_Hi – площадь i-ого навесного элемента;

S_k – площадь контактной площадки;

N – число контактных площадок.

_{Для подложки, из таблицы [Л.3 стр.6], выберем материал: «Стекло С41-1 » с характеристиками:}

• ТКЛР α·10⁷, 1/град – 41;

• температура размягчения Т, ºС – 700;

• теплопроводность λ, Вт/м К – 1,3;

• диэлектрическая проницаемость ε (при f = 1МГц, Т = 20ºС) – 7,5;

• tgδ·10⁴ (при f = 1МГц, Т = 20ºС) – 20;

• электрическая прочность Е, кВ/мм – 40;

• удельное объемное сопротивление (Т = 25ºС), Ом/см – 10¹⁷.

Размеры подложки:

• номинальный размер, мм – 10х12;

• предельные отклонения, мм – -0,1;

• толщина, мм – 0,6.

Корпус предназначен для защиты микросхемы от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов. Конструкция корпуса должна удовлетворять следующим требованиям: надежно защищать элементы и соединения микросхемы от воздействий окружающей среды; обеспечивать чистоту и стабильность характеристик материалов, находящихся в непосредственном соприкосновении с кристаллом полупроводниковой микросхемы или платой гибридной микросхемы; обеспечивать удобство и надёжность монтажа и сборки микросхемы в корпус; отводить от неё тепло; обеспечивать электрическую изоляцию между токопроводящими элементами микросхемы и корпусом; обладать коррозийной и радиационной стойкостью; обеспечивать надежное крепление, удобство монтажа и сборки корпусов в составе конструкции ячеек и блоков микроэлектронной аппаратуры; быть простой и дешёвой в изготовлении; обладать высокой надёжностью.

_{Выбор типоразмера корпуса произведен с таким расчетом, чтобы подложка стандартных размеров с размещенными на ней элементами помещалась в выбранный корпус. Корпус 1206.14-5 ГОСТ 17467-88 [Л.5 стр.6]. Корпус металлостеклянный пря­моугольной формы с продольным расположением выводов. Он обладает следующими достоинствами:}

• _{хорошо экранирует плату от внешних наводок;}

• _{изоляция коваровых выводов стеклом обеспечивает наилучшую герметизацию и устойчивость к термоциклированию;}

• _{крепление крышки контактной сваркой обеспечивает хорошую герметизацию и прочность;}

• _{хорошо согласовывается с координатной сеткой.}

1. Выбор технологического процесса изготовления ГИМС

Основными методами нанесения тонких пленок в технологии ГИМС являются: термическое вакуумное напыление, ионно-плазменное распыление и электрохимическое осаждение. Учитывая, что резистивные материалы являются сплавами, для их нанесения будем использовать ионно-плазменное распыление. Для того, чтобы не увеличивать номенклатуру используемого оборудования, остальные пленки будем наносить этим же методом.

Метод ионно-плазменного распыления

При ионно-плазменном распылении бомбардируется мишень. Между катодом и анодом создаётся дуговой разряд. Электроны при соударении вызывают ионизацию газа. На мишень подаётся отрицательный потенциал, сама мишень сделана из материала будущей плёнки. Положительные ионы, бомбардирующие мишень выбивают электроны, и они устремляются к подложке. На подложке формируется плёнка материала.

Достоинства:

• так как распыление производится при низком давлении, то длина свободного пробега достаточно велика и позволяет распыляемому веществу запасти большую энергию, что улучшает адгезию с подложкой;

• мало число столкновений с остаточным газом, что существенно снижает степень загрязнения пленки;

• из-за того, что разряд автономный, имеется возможность сократить расстояние между мишенью и подложкой;

• состав пленки мало отличается от исходного вещества;

• есть возможность напылять тугоплавкие материалы;

• малая инерционность;

• большая равномерность напыляемой пленки.

Недостатки:

• катод имеет малый срок службы.

Схема последовательности нанесения слоев на подложку:

Заключение

В ходе курсового проектирования были выбраны: технология получения тонких пленок, тонкопленочных элементов, материал подложки, тонкопленочных резисторов, конденсаторов, проводников и контактных площадок, защиты, метод получения конфигурации, навесные компоненты, корпус.

Была разработана схема соединений, проведен расчет пленочных резисторов, конденсаторов, площади подложки, разработана и вычерчена топология.

Список литературы

1. Х.-И. Ханке, Х. Фабиан. Технология производства радиоэлектронной аппаратуры. – М.: Энергия, 1980.

2. Э.Т. Романычева, А.К. Иванова, А.С. Куликов, Н.Г. Миронова, А.В. Антипов. Разработка и оформление конструкторской документации РЭА: Справочник. – М.: Радио и связь, 1989.

3. Ю.В. Дронов, В.Б. Звягин, А.А. Мушинский, Ю.Г. Семенов. Интегральные устройства радиоэлектроники: Учебное пособие по выполнению курсового проекта, МИРЭА. – М., 2006.

4. Интегральные устройства радиоэлектроники: Конспект лекций за 2007 – 2008 учебный год.

5. ГОСТ 17467-88. Микросхемы интегральные. Основные размеры. – М.: Издательство стандартов, 1989.

МИРЭА.ВРТ.07.001ПЗ

N документа

Изм.

Лист

Подпись

Дата

Лист

44