Пояснительная записка (Готовый курсовой проект, вариант 5.3.1), страница 5

b_техн – минимальная ширина резистора, обусловленная возможностями толстопленочной технологии (0,8мм);

b_р – ширина резистора из условия выделения заданной мощности:

где:

К_р – коэффициент запаса мощности, учитывающий подгонку резистора:

Расчетное значение длины определяем, как:

Расчетные значения ширины b_расч и длины l_расч корректируем.

За длину l и ширину b резистора принимаем значения, ближайшие к расчетным в сторону уменьшения сопротивления резистора R_i, кратные шагу координатной сетки (0,1 мм), причем ширину b_расч корректируем в большую, а длину l_расч в меньшую сторону. По откорректированному значению длины l в зависимости от ширины b из рисунка [Л.3 стр.64] находим исправленное значение длины резистора l_испр с учетом растекания паст.

Рассчитаем полное значение длины резистора:

где:

l – минимальный размер перекрытия (0,1мм).

Площадь резистора определяется:

Полученные значения занесем в табл. 5.

1. Расчет геометрических размеров резисторов с коэффициентом формы К_ф < 1

Расчет начнем с определения длины, значение которой должно быть не меньше наибольшего значения одной из двух величин:

где:

l_техн – минимальная длина резистора, обусловленная возможностями толстопленочной технологии (0,8мм);

l_р – длина резистора из условия выделения заданной мощности:

где:

К_р – коэффициент запаса мощности, учитывающий подгонку резистора:

Расчетное значение ширины определяем, как:

Расчетные значения длины l_расч и ширины b_расч корректируем.

За длину l и ширину b резистора принимаем значения, ближайшие к расчетным в сторону уменьшения сопротивления резистора R_i, кратные шагу координатной сетки (0,1 мм), причем ширину b_расч корректируем в большую, а длину l_расч в меньшую сторону. По откорректированному значению длины l в зависимости от ширины b из рисунка [Л.3 стр.64] находим исправленное значение длины резистора l_испр с учетом растекания паст.

Рассчитаем полное значение длины резистора:

где:

l – минимальный размер перекрытия (0,1мм).

Площадь резистора определяется:

Полученные значения занесем в табл. 5.

Таблица 5

	по мощности рассеяния		расчетное		уточненное		lиспр, мкм	lполн, мкм	S, мм2
	bр, мкм	lр, мкм	bрасч, мкм	lрасч, мкм	b, мкм	l, мкм
R1	368	–	800	1600	800	1600	1500	1700	1,36
R2	663	–	800	1256	800	1200	1150	1350	1,08
R3	949	–	949	3416	1000	3400	2700	2900	2,90
R4	949	–	949	949	1000	900	950	1150	1,15
R5	538	–	800	1096	800	1000	1030	1230	0,98
R6	220	–	800	1336	800	1300	1250	1450	1,16
R7	1040	–	1040	1040	1100	1000	1000	1200	1,32
R8	271	–	800	2136	800	2100	1860	2060	1,65
R9	35	–	800	2400	800	2400	2000	2200	1,76
R10	–	695	1194	800	1200	800	860	1060	1,27
R11	–	345	2424	800	2500	800	830	1030	2,57
R12	1017	–	1017	1017	1100	1000	1000	1200	1,32
R13	–	127	1176	800	1200	800	850	1050	1,26
R14	332	–	800	1600	800	1600	1400	1600	1,28
R15	–	712	1167	800	1200	800	850	1050	1,26

1. Расчет конструкций толстопленочных конденсаторов

1. Выбор материала паст

В зависимости от диапазона номинальных значений, из таблиц [Л.3 стр.17] выбираем:

для диэлектрика – пасту «ПК–12 » с характеристиками:

• толщина пленки, мкм – 40÷60;

• минимальный размер, мм – 1х1;

• диапазон номинальных значений, пФ – 100÷2500;

• отклонения емкости от номинала, % – ±15;

• удельная емкость, пФ/мм² – 100;

• tgδ·10² (при f=1,5МГц) – 3,5;

• пробивное напряжение, В – 500.

для верхней и нижней обкладок – пасту «ПП–1 » с характеристиками:

• толщина пленки, мкм – 10÷20;

• удельное поверхностное сопротивление, Ом/□ – 0,05;

• прочность сцепления с керамикой, ПА – 5·10⁶;

• растекаемость паст, мкм – не более 50;

• шероховатость поверхности пленки, мкм – 5.

1. Определение площади верхней обкладки конденсаторов

Площадь верхней обкладки конденсатора определяем по формуле:

;

.

1. Расчет размеров верхней обкладки конденсаторов

Геометрические размеры верхней обкладки конденсатора (для обкладок квадратной формы) рассчитываются по формуле:

;

.

1. Расчет размеров нижней обкладки конденсаторов

Геометрические размеры нижней обкладки конденсатора рассчитываются по формуле:

, где:

p – перекрытие между нижней и верхней обкладками (0,3мм).

;

.

1. Определение размеров диэлектрика

Геометрические размеры диэлектрика определяются по формуле:

, где:

f – перекрытие между нижней обкладкой и диэлектриком (0,2мм).

;

.

1. Вычисление площади конденсатора

Площадь, занимаемая конденсатором на плате, вычисляем:

.

;

.

1. Навесные компоненты ГИМС

1. Выбор конденсатора

В соответствии с исходными данными из таблицы [Л.3 стр.23] выберем конденсатор К10–17 с габаритными размерами:

L = 2мм; B = 1,7мм; H = 1,0мм; m = 0,2÷0,7мм.

Для установки конденсатора на плату необходимы две контактные площадки площадью каждая.

1. Транзисторы

В данной ГИМС используются пять транзисторов типа КТ319 с характеристиками:

структура – n-p-n; fТ, МГц – 100; UКЭmax, В – 5; IКmax, мА – 15; СК, пФ – 15; PКmax, мВт – 15; h21Э – 15÷40; интервал рабочих температур, Сº – -60÷ +80.

С пособ установки на плату, габаритные и присоединительные размеры транзистора:

• м, мкм – 400;

• n, мкм – 300.

Рассчитаем площадь контактных площадок под один транзистор:

1. Выбор подложки и корпуса

Площадь подложки размещения элементов и компонентов микросхемы берется с некоторым запасом, определяемым конструктивно-технологическими соображениями. Полная площадь подложки определяется следующим выражением: