Пояснительная записка (Готовый курсовой проект, вариант 5.3.1)
Описание файла
Файл "Пояснительная записка" внутри архива находится в папке "Готовый курсовой проект, вариант 5.3.1". Документ из архива "Готовый курсовой проект, вариант 5.3.1", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "интегральные устройства радиоэлектроники" из 8 семестр, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "интегральные устройства радиоэлектроники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Пояснительная записка"
Текст из документа "Пояснительная записка"
С О Д Е Р Ж А Н И Е
| 1. | Анализ исходных данных | 5 | ||
| 1.1. | Поверочный расчет резисторов | 6 | ||
| 1.2. | Поверочный расчет конденсаторов | 9 | ||
| 2. | Расчет конструкций тонкопленочных резисторов | 10 | ||
| 2.1. | Разбиение на группы | 10 | ||
| 2.2. | Выбор резистивного материала | 11 | ||
| 2.3. | Проверка соответствия выбранного материала требованиям по точности изготовления резисторов | 12 | ||
| 2.4. | Вычисление коэффициента формы резистора | 14 | ||
| 2.5. | Расчет геометрических размеров резисторов | 15 | ||
| 2.5.1. | Расчет геометрических размеров резисторов с коэффициентом формы: 1 Кф 10 | 15 | ||
| 2.5.2. | Расчет геометрических размеров резисторов с коэффициентом формы: 0,1 Кф 1 | 16 | ||
| 2.5.3. | Расчет геометрических размеров резистора повышенной точности | 19 | ||
| 3. | Расчет конструкций пленочных конденсаторов | 22 | ||
| 3.1. | Выбор материала диэлектрика | 22 | ||
| 3.2. | Определение минимальной толщины диэлектрика | 22 | ||
| 3.3. | Определение максимально допустимой относительной погрешности активной площади конденсатора | 23 | ||
| 3.4. | Определение удельной емкости конденсатора | 23 | ||
| 3.5. | Определение активной площади пленочного конденсатора | 24 | ||
| 3.6. | Определение размеров верхней обкладки конденсатора | 25 | ||
| 3.7. | Вычисление размеров нижних обкладок конденсатора | 25 | ||
| 3.8. | Вычисление размеров диэлектрика конденсатора | 25 | ||
| 3.9. | Определение площади, занимаемой пленочным конденсатором на подложке | 26 | ||
| 3.10. | Проведение поверочного расчета | 26 | ||
| 4. | Расчет конструкций толстопленочных резисторов | 27 | ||
| 4.1. | Разбиение на группы | 27 | ||
| 4.2. | Определение оптимального удельного сопротивления материала | 28 | ||
| 4.3. | Вычисление коэффициента формы резисторов | 30 | ||
| 4.4. | Расчет геометрических размеров резисторов | 30 | ||
| 4.4.1. | Расчет геометрических размеров резисторов с коэффициентом формы Кф ≥ 1 | 30 | ||
| 4.4.2. | Расчет геометрических размеров резисторов с коэффициентом формы Кф < 1 | 31 | ||
| 5. | Расчет конструкций толстопленочных конденсаторов | 34 | ||
| 5.1. | Выбор материала паст | 34 | ||
| 5.2. | Определение площади верхней обкладки конденсаторов | 34 | ||
| 5.3. | Расчет размеров верхней обкладки конденсаторов | 35 | ||
| 5.4. | Расчет размеров нижней обкладки конденсаторов | 35 | ||
| 5.5. | Определение размеров диэлектрика | 35 | ||
| 5.6. | Вычисление площади конденсатора | 35 | ||
| 6. | Навесные компоненты ГИМС | 36 | ||
| 6.1. | Выбор конденсатора | 36 | ||
| 6.2. | Транзисторы | 36 | ||
| 7. | Выбор подложки и корпуса | 37 | ||
| 8. | Выбор технологического процесса изготовления ГИМС | 39 | ||
| Заключение | 42 | |||
| Список литературы | 43 | |||
-
Анализ исходных данных
Исходными данными для выполнения курсового проекта по проектированию гибридных интегральных микросхем (ГИМС) являются принципиальная электрическая схема МИРЭА.ВРТ.07.001Э3 с перечнем входящих в нее электрорадиоэлементов и их номиналов (табл.1), электрические характеристики изделия, условия эксплуатации и программа выпуска (задание).
Таблица 1
| i | Ri, Ом | γRi, % | i | Ri, Ом | γRi, % | i | Сi, пФ | γСi, % | ||
| 1 | 12 000 | 10 | 9 | 300 | 10 | 1 | 100 | 2 | ||
| 2 | 4 700 | 10 | 10 | 2 000 | 10 | 2 | 1 500 | 10 | ||
| 3 | 360 | 10 | 11 | 1 000 | 10 | |||||
| 4 | 100 | 10 | 12 | 3 000 | 10 | |||||
| 5 | 8 200 | 10 | 13 | 68 | 10 | |||||
| 6 | 5 000 | 2 | 14 | 200 | 10 | |||||
| 7 | 3 000 | 10 | 15 | 75 | 10 | |||||
| 8 | 16 000 | 10 |
Микросхема усилителя может быть изготовлена по тонкопленочной технологии с применением навесных элементов.
Для формирования проводников, резисторов и контактных площадок используется метод фотолитографии, а для формирования конденсаторов – масочный. На поверхности подложки сформируем пленочные резисторы, конденсаторы, а также контактные площадки и межэлементные соединения.
Пленочная технология не предусматривает изготовление транзисторов, поэтому выполним их в виде навесных элементов, приклеенных на подложку микросхемы. Выводы транзисторов привариваются к соответствующим контактным площадкам.
Элементы повышенной точности будут выполнены: резистор R6 – по пленочной технологии, как подстраиваемый; конденсатор C1 – в виде навесного элемента.
-
Поверочный расчет резисторов
Резисторы ГИМС состоят из пленочных полосок различной конфигурации и контактных площадок, напыляемых на подложку. Расчет пленочных резисторов состоит в определении ширины (b) и длины (l) резистивной полоски. Исходными данными для расчета резистивных элементов являются:
-
номинальное значение сопротивления Ri, Ом (задано);
-
допуск на номинал ±γRi, % (задан);
-
мощность рассеяния Pi, Вт (рассчитывается);
-
сопротивление квадрата резистивной пленки R0, Ом/ (зависит от материала резистивной пленки);
-
максимально допустимая удельная мощность рассеяния резистивной пленки P0, Вт/см2 (зависит от материала резистивной пленки);
-
минимальный размер ширины/длины пленочного резистора, определяемый технологическими возможностями изготовления – bмин = lмин = 100мкм;
-
погрешность линейных размеров – b = l = 10мкм;
-
рабочий диапазон температур Т, С (задан).
Н
еобходимо рассчитать мощность рассеяния на каждом резисторе. Для этого сначала определим вероятные расчетные схемы:
Р
асчет мощности производится по формуле:
Сначала вычислим ток:
