Лекция 14 (лекции по УГФС), страница 4
Описание файла
Файл "Лекция 14" внутри архива находится в папке "лекции по УГФС". Документ из архива "лекции по УГФС", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "радиопередающие устройства" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лекции и семинары", в предмете "радиопередающие устройства" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Лекция 14"
Текст 4 страницы из документа "Лекция 14"
Через индуктивности LН протекает ток накала, который в мощных лампах составляет десятки-сотни ампер, что может вызвать заметное падение напряжения от источника накала на этих индуктивностях. Чем больше индуктивности LН , тем больше на них падение напряжения от источника накала и это необходимо учитывать, так как возможен недокал (недонагрев) катода и не будет получен нужный ток анода, а соответственно и нереализован рассчитанный режим генератора. Если индуктивности LН выполняются в виде катушек, то с укорочением рабочей длины волны генератора λ необходимо следить, чтобы полная длина провода намотки индуктивности LН не оказалась близкой к λ/2. В противном случае катушка индуктивности LН проявляет себя как полуволновой отрезок длинной линии, короткозамкнутый на одном конце через ёмкость СБЛ, и соответственно обеспечивает короткое замыкание сигнала возбуждения, что недопустимо.
В генераторах с ОС может быть применена как последовательная, так и параллельная схема питания анода. Выбор схемы питания и номиналы блокировочных и разделительных элементов определяется теми же соображениями, что и в генераторе с ОК. Однако при использовании контуров из сосредоточенных элементов (конденсатор СК, катушка индуктивности LК) с повышением рабочей частоты генератора затрудняется реализация блокировочного дросселя в параллельной схеме питания анода LБЛ А (по тем же соображениям, что и индуктивностей LН с укорочением рабочей длины волны) и может оказаться возможным осуществление только последовательной схемы питания анода.
В схеме (рис.14.4,г) конденсаторы СБЛ и СН выравнивают потенциал нити накала с катодом по высокой (рабочей) частоте. На схеме показана лампа, у которой вывод катода объединён с одним из выводов накала.
Приведенные на рис.14.4 примеры хотя и не исчерпывают всего многообразия схем генераторов с ОС, но дают полное представление, с учётом сделанных выше замечаний, о принципах построения таких генераторов.
Особенности транзисторного генератора с общей базой (ОБ) и его применение
Возможная схема транзисторного ГВВ с ОБ показана на рис.14.5. База является общим электродом для входной и выходной цепей генератора.
На относительно низких частотах, когда с инерционностью процессов в транзисторе можно не считаться, генератор с ОБ в сравнении с генератором по схеме с общим эмиттером (ОЭ) полностью аналогичен по принципу работы и энергетическим показателям ламповому генератору с ОС по сравнению с генератором с ОК.
Так как входным током в генераторе с ОБ является ток эмиттера iЭ = iБ + iК, который значительно больше тока базы iБ, являющегося входным током в генераторе с ОЭ, то входное сопротивление и коэффициент усиления по мощности генератора с ОБ существенно меньше, чем генератора с ОЭ. В то же время в генераторе с ОБ за счёт проходной мощности возможно получение большей мощности в нагрузке.
Однако биполярные транзисторы являются существенно инерционными приборами и коэффициент усиления по мощности транзисторного генератора изменяется с частотой, причём на более высоких частотах у генератора с ОБ коэффициент усиления по мощности оказывается выше, чем у генератора с ОЭ.
В настоящей лекции мы ограничимся лишь соотношениями, которые демонстрируют зависимость коэффициента усиления по мощности транзисторного генератора от частоты.9
Коэффициент усиления по мощности ГВВ
где, применительно к транзисторному генератору, P~ - колебательная мощность в нагрузке (контуре) коллекторной цепи транзистора, равная ; UMK - амплитуда переменного (колебательного) напряжения на нагрузке (контуре); IK1 - амплитуда первой гармоники коллекторного тока; PВОЗБ - мощность возбуждения, равная ; IВХ1- амплитуда первой гармоники входного тока: IВХ1 = IБ1- в генераторе с ОЭ и IВХ1 = (IБ1 + IК1) - в генераторе с ОБ; IБ1- амплитуда первой гармоники базового тока.
Учитывая приведенные выше соотношения, можно записать
где Ki - коэффициент усиления по току, Ku - коэффициент усиления по напряжению транзисторного генератора.
В генераторе с ОБ, как и в генераторе с ОС, возможно получение несколько большего значения Ku , чем в генераторе с ОЭ, но это различие невелико и можно считать Ku одинаковым в обеих схемах генераторов. Действительно, при работе транзисторов в одинаковом режиме в обеих схемах генераторов
Если Ku ОЭ >> 1, то можно считать Ku ОБ ≈ Ku ОЭ = Ku.
В генераторе с ОЭ
где - модуль коэффициента передачи по току транзистора при включении с ОЭ на частоте f; - значение коэффициента передачи по току транзистора
при f → 0 (статический коэффициент передачи по току транзистора в схеме с общим эмиттером); - частота, на которой модуль коэффициента передачи по току транзистора при включении с ОЭ уменьшается в раз по сравнению со статическим коэффициентом .
В генераторе с общей базой
Таким образом, можно считать:
-
в генераторе с ОЭ
-
в генераторе с ОБ
Коэффициент усиления по напряжению Ku в транзисторном генераторе уменьшается с ростом частоты.
Действительно, амплитуда переменного напряжения на нагрузке (контуре)
С ростом частоты следует ожидать уменьшения коэффициента использования напряжения питания коллектора , а значит, и уменьшения . Требуемая амплитуда напряжения возбуждения UМБ, напротив, будет расти с повышением частоты.
Поэтому в генераторе с ОБ коэффициент усиления по мощности также будет уменьшаться с ростом частоты, но в меньшей степени, чем в генераторе с ОЭ.
На рис.14.6 представлены зависимости KP для генераторов с ОЭ и ОБ при и
В близи граничной частоты коэффициент усиления по мощности KP генератора с ОЭ существенно снижается и при
f > fГР становится меньше, чем у генератора с ОБ. Поэтому на высоких частотах вблизи fГР и выше схема генератора с ОЭ становится неэффективной и лучшие результаты получаются в генераторе с ОБ.
Генератор с ОЭ используется на частотах f < (0,2…0,3) fГР, где он обеспечивает существенно большее значение KP. Генератор с ОБ используется с частот f > (0,2…0,3) fГР до частот (2…3) fГР, где он обеспечивает большее значение KP, нежели генератор с ОЭ.
В силу большего постоянства коэффициента усиления по мощности схема генератора с ОБ находит применение в широкополосных транзисторных генераторах – усилителях мощности, где требуется равномерная амплитудно-частотная характеристика.
Практически схема с ОБ, как отмечалось в начале лекции, применяется в генераторах, начиная с частоты 1 ГГц. До этой частоты предпочтение отдаётся схеме с ОЭ.
Вопросы для самоконтроля знаний по теме лекции 14:
1. Представьте схему и поясните нейтрализацию связи между входной и выходной цепями ГВВ по схеме с
ОК с помощью индуктивности, подключаемой параллельно ёмкости анод-сетка лампы.
2. Почему межэлектродная ёмкость САК меньше межэлектродной ёмкости САС?
3. Поясните особенности схем ГВВ с ОС, представленных на рис.14.4. Из каких требований следует исхо-
дить при выборе блокировочных и разделительных элементов?
4. Есть две идентичные лампы, два идентичных контура и необходимые источники питания и возбуждения.
Соответственно выполнены два ГВВ: один по схеме с ОК, другой по схеме с ОС. В обоих генераторах
обеспечивается амплитуда первой гармоники анодного тока 1 А. Охарактеризуйте энергетические пара-
метры генераторов. Что у них одинаково и в чём различие?
5. В чём сходство и в чём различие генераторов с ОС и ОБ?
1 В общем случае напряжение возбуждения возрастает также за счёт тока первой сетки и тока через входную ёмкость лампы. На индуктивности ввода катода образуется также напряжение высших гармоник. Подробно эти вопросы в лекции не рассматриваются. Частично затрагиваются в лекции 17.
2 Имеется в виду частота, на которой модуль коэффициента передачи по току биполярного транзистора при включении по схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала стремится к единице.
3 См. лекцию 1.
4 См. лекцию 1.
5 Принципиально вообще возможно отсутствие заземления какого-либо электрода.
6 См. лекцию 4.
7 См. лекцию 9.
8 Двухтактные генераторы рассматриваются в лекции 15.
9 Подробное рассмотрение транзисторных ГВВ с учётом инерционных процессов изложено, например, в работе автора: Дегтярь Г.А. Устройства генерирования и формирования радиосигналов: Учебное пособие/ Новосиб. гос. техн. ун-т. – Новосибирск, 1995. – 237 с.
231