ZAD2-82 (Курсовой проект (готовый) вариант 82)
Описание файла
Файл "ZAD2-82" внутри архива находится в следующих папках: Курсовой проект (готовый) вариант 82, 82. Документ из архива "Курсовой проект (готовый) вариант 82", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электронные вычислительные машины (эвм)" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "эксплуатация эвм" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "ZAD2-82"
Текст из документа "ZAD2-82"
Генератор синхроимпульсов на базе мультивибратора
Задание:
1. Частота импульсов f= № вар.*0,15 = 82 * 0,15 = 12,3 кГц
2. Скважность импульсов Q=0.4
3. Уровень сигналов TTL
4. Нагрузочная способность 30 входов ИМС 155 серии.
5. Напряжение питания 5 В
Решение:
Для построения генератора используем ИМС таймера типа КР1006ВИ1, которая обеспечивает выполнение всех требований задания.
Основные параметры ИМС КР1006ВИ1
Uип = 5..15В
Uвых = TTL уровни
Iвых max = 200 мА
t вых 0/1,1/0 = 300 нс
Принципиальная электрическая схема: [ 6 ]
+5B
R1
R2
DA1 КР1006ВИ1
Вых
VD1
VD2
C1
C2/0.1 МкФ
Диоды VD1 и VD2 служат для получения Q < 0,5.
tи R1
Из формулы Q= ------- = ------------ для Q = 0.4 R1 = 1.5 R2
T R1 +R2
Примем R1 =1 кОм, тогда R2 = 1.5 кОм
1
C1 = --------------------------------- = 0,04278 мкФ
0,76 * f * (R1+R2)
| Зона | Поз. обозн. | Наименование | Кол. | Примечание | |||||||||||||
| Микросхемы | |||||||||||||||||
| DA 1 | КР1006ВИ1 | 1 | |||||||||||||||
| Резисторы | |||||||||||||||||
| R1 | МЛТ - 0,125 – 1 кОм 5% | 1 | |||||||||||||||
| R2 | МЛТ - 0,125 - 1,5 кОм 5% | 1 | |||||||||||||||
Конденсаторы | |||||||||||||||||
| С1 | МБМ – 0,04 мкФ – 160в 5% параллельно с | 1 | |||||||||||||||
| КСО – 0,0024 мкФ – 500в 5% | 1 | ||||||||||||||||
| С2 | МБМ – 0,1 мкФ – 160в 5% | 1 | |||||||||||||||
Диоды | |||||||||||||||||
| VD1,VD2 | КД102 | 2 | |||||||||||||||
| кролор | |||||||||||||||||
| Изм. Лист | № докум. | Подп. | Дата | ||||||||||||||
|
| Разраб. | Лит. | Лист | Листов | |||||||||||||
| Провер. | Виноградов | Генератор | 1 | 1 | |||||||||||||
| Н.контр | |||||||||||||||||
| Утв. | |||||||||||||||||
При расчетах получаем значение емкости С1 равным 0,04278 мкФ, округляем до
0,0424 мкФ . Этот конденсатор можно составить из двух параллельно соединенных
с значениями емкости из стандартного ряда – 0,0024 мкФ и 0,04 мкФ и возможным отклонением от номинала 5%.
Рассчитаем погрешность частоты генератора тактовых импульсов ,
которая может возникнуть в связи с возможными отклонениями номиналов используемых элементов:
C1- 5%, R1 –5%, R2 – 5%
Расчетная частота 12,3 кГц
С учетом возможных отклонений номиналов в большую сторону:
f=1/(0,76*C1*1,05*(R1+R2)*1,05) = 11,25 кГц
С учетом возможных отклонений номиналов в меньшую сторону:
f=1/(0,76*C1*0,95*(R1+R2)*0,95) = 13,7 кГц
Таким образом, в процентах возможная погрешность частоты будет составлять
-8,5% и +11,3 %
Абсолютная погрешность будет составлять соответственно
-1,05 кГц и +1,4 кГц
Для увеличения точности параметров генератора необходимо применять в
схеме пассивные элементы с более низкими процентами возможного отклоне-
ния от номинала.
Список использованной литературы.
1) Методические указания к д.з. по курсу
архитектура ЭВМ.
2) Б.М. Каган Электронные вычислительные
машины и системы.
3) Справочник Цифровые интегральные микросхемы.
4) Курс лекций по архитектуре ЭВМ.
5) Г.И. Пухальский
Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах.
6) Коломбет
Электронные схемы цифровых устройств.
