Экзаменационные вопросы
Описание файла
Документ из архива "Экзаменационные вопросы", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология производства электронных средств (иу-4/рт-2)" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "технология производства электронной аппаратуры" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Экзаменационные вопросы"
Текст из документа "Экзаменационные вопросы"
-
Два принципа разработки ТП.
-
Понятие качества изделий, показатели качества.
-
Точность, определение параметров точности и их оценка. Условия получения заданной точности.
-
Производственные погрешности. Методы оценки точности.
-
Настройка и поднастройка оборудования на получение изделий без брака.
-
Методы получения заданной точности.
-
Производительность труда и норма штучного времени. Хронометраж и фотография рабочего дня.
-
Норма штучного калькуляционного времени. Пути повышения производительности труда.
-
Технологическая себестоимость.
-
Выбор наиболее экономичного варианта ТП по себестоимости.
-
Виды ТП. Исходные данные для разработки ТП.
-
Основные этапы разработки ТП. Оценка изделия на технологичность.
-
Определение типа производства. Расчет такта выпуска.
-
Схема сборки и планировка участка сборки (предварительная) на базе типового ТП.
-
Разработка маршрутного ТП.
-
Разработка операционного ТП.
-
Варианты построения операций в зависимости от объема выпуска.
-
Разработка технического задания на проектирование специальной оснастки. Этапы проектирования специальной оснастки (приспособлений).
-
Структура приспособления. Понятие о степенях свободы заготовки. Обозначение опорных точек.
-
Понятие допустимой и фактической погрешности базирования. Базисный размер и его расчет.
-
Базирование заготовок на плоскость.
-
Базирование заготовок на призму.
-
Базирование заготовок на одну и две цилиндрические поверхности.
-
Базирование заготовок на коническую поверхность.
-
Определение допустимой погрешности базирования (условие собираемости) при сборке.
-
Определение фактических погрешностей базирования деталей при сборке: при базировании на плоскость, на призму, на цилиндрические поверхности.
-
Расчет силы зажима заготовок при обработке и силы при сборке.
-
Приводы приспособлений: пневмопривод, электропривод и др.
-
Классификация микросхем (МС). Степень интеграции МС. Используемые материалы. Планарное и эпитаксиально-планарное направления в технологии МС.
-
Основные этапы получения полупроводниковых (п/п) ИМС. Получение слитков и их маркировка. Материалы и режимы.
-
Подготовка слитков к обработке. Индексы Миллера.
-
Структура п/п МС. Биполярные и МДП структуры. Разработка топологии п/п МС. Фотошаблоны.
-
Разрезка слитков на пластины. Способы разрезки. Достоинства и недостатки.
-
Шлифование п/п пластин. Схемы, точность, производительность, инструменты.
-
Полирование пластин. Этапы, схемы, точность и т.п.
-
Отмывка пластин. Термическая пассивация (окисление) п/п пластин. Назначение, схемы окисления.
-
Фотолитография п/п пластин. Материалы, точность, этапы фотолитографии.
-
Рентгенолитография, электронолитография. Назначение, точность рисунка, этапы литографии.
-
Диффузионное внедрение примесей. Материалы диффузонтов. Режимы внедрения: загонка и разгонка примесей. Другие режимы.
-
Контроль глубины залегания р-n-перехода и концентрации легирующей примеси.
-
Получение межсоединений. Материалы, режимы, особенности в получении омических контактов.
-
Получение многослойных структур межсоединений для СБИС и др. Основные этапы.
-
Эпитаксиально-планарная технология п/п МС. Достоинство этих МС. Схема установки. Режимы.
-
Способы получения помехозащищенных МС.
-
Резка и разделение пластин на кристаллы.
-
Классификация МС по типу корпусов. Их достоинства и недостатки.
-
Сборка МС. Способы сборки с использованием групповых выводов. Герметизация МС.
-
Контроль и испытания п/п МС.
-
Тонкопленочные МС. Основные получаемые элементы. Материалы и требования к ним. Топология элементов МС и получение фотошаблонов.
-
Основные этапы получения тонкопленочных МС. Материалы подложек. Два варианта в технологии тонких пленок.
-
Маски. Материалы и требования к ним. Схемы получения масок.
-
Схема установки вакуумного напыления тонких пленок.
-
Режимы напыления. Особенности напыления.
-
Типы испарителей. Особенности напыления многокомпонентных структур.
-
Контроль R и B тонких пленок. Понятие «сопротивление на квадрат». Подгонка сопротивлений.
-
Многопозиционные вакуумные установки. Назначение, схемы, область применения.
-
Схема установки катодного распыления. Режимы, область применения.
-
Схема ионно-плазменной установки. Режимы, назначение, область применения.
-
Сборка тонкопленочных МС.
-
Толстопленочные МС. Основные получаемы элементы. Материалы.
-
Основные этапы получения толстопленочных МС. Разработка топологии МС.
-
Получение трафаретов толстопленочных МС и подложек. Материалы.
-
Пасты и их получение.
-
Нанесение паст. Режим их сушки и вжигания.
-
сборка толстопленочных МС.