Тест по оксидированию
Описание файла
Документ из архива "Тест по оксидированию", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "контрольные работы и аттестации", в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Тест по оксидированию"
Текст из документа "Тест по оксидированию"
Тест 12 ноября 2013г. Группа ___________ Фамилия, Имя_____________________________
1. При термическом оксидировании часть слоя SiO2 врастает в исходную поверхность кремниевой пластины, а часть – нарастает над ней, следуя определенному соотношению. Получите аналитически это соотношение. 0,6
2. Используя первоисточник, дайте точное определение явлениям и параметрам, определяющим поток F1:
-
С какой стороны поверхности SiO2 (внешней или внутренней по отношению к среде O2) определена концентрация C*
-
Какой процесс описывается в данном случае законом Генри – уравнение (3). Что здесь концентрация C* , где она имеет место, от чего зависит. Что такое Н и PG в этом уравнении?
-
Объясните физический смысл концентрации Сo и коэффициента h в уравнении (1). 1,0
3. При окислении кремния во влажном кислороде при 950 oC получена следующая зависимость толщины диоксида кремния от времени:
t, часы | 0.11 | 0.30 | 0.40 | 0.50 | 0.60 |
xo , толщина SiO2, (мкм) | 0.041 | 0.100 | 0.128 | 0.153 | 0.177 |
Покажите, как графически определить линейную и параболическую константы скорости из этих экспериментальных данных. Можно считать, что для окисления кремния во влажном кислороде τ = 0. 1,0
4. Кремниевая пластина покрыта окислом толщиной 0,3мкм. Какое время необходимо для увеличения этой толщины до 0,5мкм:
-
во влажном кислороде (температура 1200oC, A = 0.05 мкм and B = 0.72 мкм2/час)
-
в сухом кислороде (температура 1200oC, A = 0.04 мкм and B = 0.045 мкм2/час) 0,4
Тест 12 ноября 2013г. Группа ___________ Фамилия, Имя_____________________________
1. При термическом оксидировании часть слоя SiO2 врастает в исходную поверхность кремниевой пластины, а часть – нарастает над ней, следуя определенному соотношению. Получите аналитически это соотношение. 0,6
2. Используя первоисточник, дайте точное определение явлениям и параметрам, определяющим поток F1:
-
С какой стороны поверхности SiO2 (внешней или внутренней по отношению к среде O2) определена концентрация C*
-
Дайте определение адсорбции, имеющей место в рассматриваемом случае.
-
Какой процесс описывается законом Генри – уравнение (3). Что такое Н и PG в этом уравнении?
-
Объясните физический смысл концентрации Сo и коэффициента h в уравнении(1). 1,0
3. При окислении кремния во влажном кислороде при 950 oC получена следующая зависимость толщины диоксида кремния от времени:
t, часы | 0.11 | 0.30 | 0.40 | 0.50 | 0.60 |
xo , толщина SiO2, (мкм) | 0.041 | 0.100 | 0.128 | 0.153 | 0.177 |
Покажите, как графически определить линейную и параболическую константы скорости из этих экспериментальных данных. Можно считать, что для окисления кремния во влажном кислороде τ = 0. 1,0
4. Кремниевая пластина покрыта окислом толщиной 0,3мкм. Какое время необходимо для увеличения этой толщины до 0,5мкм:
-
во влажном кислороде (температура 1200oC, A = 0.05 мкм and B = 0.72 мкм2/час)
-
в сухом кислороде (температура 1200oC, A = 0.04 мкм and B = 0.045 мкм2/час) 0,4
Тест 12 ноября 2013г. Группа ___________ Фамилия, Имя_____________________________
1. При термическом оксидировании часть слоя SiO2 врастает в исходную поверхность кремниевой пластины, а часть – нарастает над ней, следуя определенному соотношению. Получите аналитически это соотношение. 0,6
2. Используя первоисточник, дайте точное определение явлениям и параметрам, определяющим поток F1:
-
С какой стороны поверхности SiO2 (внешней или внутренней по отношению к среде O2) определена концентрация C*
-
Дайте определение адсорбции, имеющей место в рассматриваемом случае.
-
Какой процесс описывается законом Генри – уравнение (3). Что такое Н и PG в этом уравнении?
-
Объясните физический смысл концентрации Сo и коэффициента h в уравнении(1). 1,0
3. При окислении кремния во влажном кислороде при 950 oC получена следующая зависимость толщины диоксида кремния от времени:
t, часы | 0.11 | 0.30 | 0.40 | 0.50 | 0.60 |
xo , толщина SiO2, (мкм) | 0.041 | 0.100 | 0.128 | 0.153 | 0.177 |
Покажите, как графически определить линейную и параболическую константы скорости из этих экспериментальных данных. Можно считать, что для окисления кремния во влажном кислороде τ = 0. 1,0
4. Кремниевая пластина покрыта окислом толщиной 0,3мкм. Какое время необходимо для увеличения этой толщины до 0,5мкм:
-
во влажном кислороде (температура 1200oC, A = 0.05 мкм and B = 0.72 мкм2/час)
-
в сухом кислороде (температура 1200oC, A = 0.04 мкм and B = 0.045 мкм2/час) 0,4