Вопросы к тесту №5

1-й семестр, тест №5

1. Перечислить операции типового маршрута изготовления полупроводниковых микроструктур.

2. Перечислить методы нанесения тонких пленок в вакууме.

3. Перечислить методы вакуумно-плазменного травления.

4. Схема процесса ионной имплантации.

5. Перечислить варианты ионно-лучевой обработки.

6. Примеры измерения и контроля в вакууме.

7. Доказательство необходимости вакуума в элионных технологиях.

8. Факторы, определяющие высокую точность обработки в элионных технологиях.

9. Факторы, определяющие энергию атомных частиц (электронов, ионов и др.).

10. Понятие «температуры» электрона, иона и других атомных частиц.

11. Примеры областей применения тонких пленок.

12. Основные технологические режимы нанесения тонких пленок в вакууме.

13. Схема резистивного испарения материала в вакууме.

14. Схема электронно-лучевого испарения материалов в вакууме.

15. Схема лазерного испарения материалов в вакууме.

16. Схема ионно-плазменного распыления материалов в вакууме.

17. Схема ионно-лучевого распыления материалов в вакууме.

18. Плюсы и минусы нанесения тонких пленок термическим испарением и ионным распылением.

19. Схема термо-ионного осаждения тонких пленок в вакууме.

20. Схема осаждения тонких пленок из газовой фазы.

21. Схема осаждения тонких пленок дуговым испарением.

22. Схема реактивного осаждения тонких пленок в вакууме.

23. Какие материалы можно осаждать реактивным методом и как рассчитать давление реактивного газа?

24. Схемы осаждения многокомпонентных пленок в вакууме.

25. Принцип работы высокочастотного источника распыления материалов.

26. Плюсы и минусы ионного и химического травления микроструктур в вакууме.

27. Факторы, определяющие скорость испарения материалов в вакууме.

28. Факторы, определяющие скорость ионного распыления материалов.

29. Факторы, определяющие скорость осаждения тонких пленок в вакууме.

30. Факторы, определяющие скорость химического травления микроструктур.

31. Схема ионно-плазменного травления микроструктур.

32. Схема ионно-лучевого травления микроструктур.

33. Схема плазмо-химического травления микроструктур.

34. Объяснить возникновение погрешности при ионном, ионно-химическом и химическом травления микроструктур.

35. Материалы и способы изготовления маски для вакуумно-плазменного травления микроструктур.

36. Области применения и основные параметры установок ионной имплантации.

37. Основные элементы оборудования для ионной имплантации и их назначение.

38. Схемы приемных камер установок ионной имплантации с электростатическим, механическим и комбинированным сканированием.

39. Материалы, применяемые для имплантации в различных областях техники.

40. Принцип метода электронной Оже-спектроскопии.

41. Принцип метода вторичной ионной масс-спектрометрии.

42. Понятие удельного электрического сопротивления «ро-квадрат».

43. Понятие и объяснение появления «островковой» тонкой пленки.

44. Физический смысл коэффициента загрязнения тонкой пленки и факторы, влияющие на его величину.

45. Причины неравномерности тонкопленочного покрытия и факторы, влияющие на ее величину.