1_1_Modul_Tekhnologichesky_analiz_izdely (Лекции Цветкова), страница 7
Описание файла
Файл "1_1_Modul_Tekhnologichesky_analiz_izdely" внутри архива находится в папке "Лекции Цветкова". Документ из архива "Лекции Цветкова", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лекции и семинары", в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "1_1_Modul_Tekhnologichesky_analiz_izdely "
Текст 7 страницы из документа "1_1_Modul_Tekhnologichesky_analiz_izdely "
При достижении топологической нормы в 65 нм толщина подзатворного диэлектрика, изолирующего затвор транзистора от канала, сократилась до 1,2 нм, т.е. до 5 атомов (рис. 1.27, а). При столь малой толщине слоя недопустимо увеличиваются токи утечки через диэлектрик.
| Рис. 1.27. Подзатворные диэлектрики а – диоксид кремния, б – материалы с высокой диэлектрической проницаемостью | |
Поэтому при переходе к норме в 45 нм, потребовалось заменить в подзатворном изоляторе диоксид кремния (k = 3,9) на материалы с более высокой диэлектрической проницаемостью (high-k, k =10-12). Это позволило увеличить толщину диэлектрика (рис. 1.27, б) и уменьшить ток утечки через него.
В качестве материалов с высокой диэлектрической проницаемостью используют диоксид гафния (HfO2), диоксид циркония (ZrO2) и диоксид титана (TiO2)
Отметим, что новые диэлектрические материалы плохо сочетаются с поликристаллическим кремнием, из которого до этого изготавливался затвор. Поэтому при переходе к 32-нм норме, его начали делать из металлического сплава.
В свою очередь, диэлектрики с малым значением k (low-k dielectric) являются хорошими изоляторами. Это делает их перспективными для использования в многослойных интегральных схемах в качестве материала межслойной изоляции, поскольку они позволяют уменьшить паразитные токи утечки между проводниками. Сейчас в качестве межслойного изолятора используется преимущественно SiO2, однако ведутся исследования по использованию альтернативных материалов, таких как:
-
легированный фтором диоксид кремния - фторсиликатное стекло (k=3.5),
-
легированный углеродом диоксид кремния (k=3.0),
-
пористый диоксид кремния (k=2).
Список литературы
-
Quirk M., Serda J., IC Fabrication Process Overview, Prentice Hall, October 2001.
http://ece424.cankaya.edu.tr/uploads/files/ICmanufacturing_SMT_ProcessFlow_TUTORIAL.pdf
-
Киреев В. Ю. Введение в технологии микроэлектроники и нанотехнологии. – М.:ФГУП «ЦНИИХМ», 2008. – 432 с.
-
Jones S.W., An Overview of Semiconductor Technology, http://www.icknowledge.com/misc_technology/Overview%20Post.pdf. April 25, 2008.
-
Allen P.E., Deep Submicron CMOS technology, http://www.aicdesign.org/SCNOTES/2010notes/Lect2UP030_(100324).pdf. 2010.
-
Ming-Bo Lin, Introduction to VLSI Systems: A Logic, Circuit, and System Perspective, CRC Press, November 2011, 915 pages.
-
Данилина Т.И., Кагадей В.А., Анищенко Е.В. Технология кремниевой наноэлектроники: Учебное пособие. – Томск: В-Спектр, 2011. – 263 с.
-
Hierlemann A., Introduction to Silicon Process Technology, ETH Zürich, 2011.
http://n.ethz.ch/~geric/download/5.%20Semester/Microtechnology%20and%20Microelectronics/MTME_4_Si_Process_Tech.pdf
