Темы занятий и контрольных работ
Описание файла
Документ из архива "Темы занятий и контрольных работ", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "основы проектирования наноприборов и систем на их основе" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "основы проектирования наноприборов и систем на их основе" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Темы занятий и контрольных работ"
Текст из документа "Темы занятий и контрольных работ"
Основы проектирования наноприборов и систем на их основе весна 2014
-
От проектирования микро- к проектированию наноприборов
-
Системный подход к проектированию. Механистический и синергетический подходы. (1 п.)
-
Структура процесса проектирования наноприборов. (1 п.)
-
Структура КР «Исследование квантового каскадного лазера терагерцового диапазона».(1 п.)
-
Наноэлектронные нелинейные клеточные сети
-
Параллельная фильтрация зашумленного радиосигнала. (1 п.)
-
Лаб.раб. Исследование фильтрации радиосигнала в наноэлектронной клеточной нелинейной сети (2,5 п.)
-
Параллельное преобразование изображения. (1 п.)
-
Лаб.раб. Исследование преобразования изображения в наноэлектронной клеточной нелинейной сети (2,5 п.)
---------------------------------РК (1 п.)-----------------------------
-
Приборы на горячих и баллистических электронах
-
От дрейфово-диффузионных ВАХ к формуле Цу-Есаки. (2 п.)
-
Формула Цу-Есаки для приборов на слоистых наноструктурах. (2 п.)
-
Лаб.раб. Исследование вольтамперных характеристик туннельных гетероструктур (2 п.)
-
ВАХ гетероструктурного транзистора на горячих электронах. (2 п.)
-
ВАХ биполярного гетероструктурного транзистора. (1 п.)
-
Температурная зависимость ВАХ наноэлектронных элементов. (1 п.)
-
Туннельные и резонансно-туннельные диоды и транзисторы
-
Расчет электронной туннельной прозрачности методом матрицы переноса. (1 п.)
-
Формула Шульмана –Брокерта. AlGaAs-резонансно-туннельный диод. Резонансно-туннельные транзисторы. (1 п.)
-
Лаб.раб. Исследование ВАХ резонансно-туннельных гетероструктур (2 п.)
---------------------------------РК (1 п.)-----------------------------
-
Полупроводниковые сверхрешетки. (1 п.)
-
Лаб.раб. Исследование ВАХ AlGaAs сверхрешеток (2 п.)
-
Оптонаноэлектронные приборы
-
Терагерцовый квантовый каскадный лазер. (1 п.)
-
Лаб.раб. Исследование частотно-полевых характеристик квантового каскадного лазера (2 п.)
-
Лазеры на квантовых точках. (1 п.)
-
Лаб.раб. Исследование диэлектрофоретической сборки кластеров из металлических наночастиц (2 п.)
-
КВЧ-волноводы из металлических наночастиц. (1 п.)
-
Лаб.раб. Исследование диэлектрофоретической сборки наноколец (2 п.)
---------------------------------РК (1 п.)-----------------------------
------------------экзамен
5