Вопросы к РК №1
Описание файла
Документ из архива "Вопросы к РК №1", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "основы наноэлектроники и нанотехнологии" из 8 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "контрольные работы и аттестации", в предмете "основы наноэлектроники и нанотехнологий" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Вопросы к РК №1"
Текст из документа "Вопросы к РК №1"
-
Термин «нанотехнология»: происхождение, определение, области влияния.
-
Термодинамические функции состояния.
-
Оценка смачиваемости поверхности со сложным рельефом.
-
Почему сканирование в контактном режиме проводится обычно не очень быстро (для АСМ)?
-
Суть и особенности методов ДБЭ и ДМЭ.
-
Виды неуглеродных нанотрубок, методы получения, свойства.
-
Классификация наноматериалов.
-
Основные проблемы наноэлектроники.
-
Свободная энергия поверхности. Поверхностное натяжение и краевой угол смачивания.
-
Какой режим СЗМ быстрее: постоянной силы или постоянной высоты?
-
Эффект Тиндаля.
-
Методы локального анализа поверхности.
-
Термодинамические функции процесса.
-
Преимущества и недостатки метода кольца Дью Нуи.
-
Возможности сканирующей электронной микроскопии.
-
Области применения магнито-резонансных методов исследования.
-
Одноэлектронный транзистор.
-
Основные характеристики дисперсных систем.
-
Поверхностные явления (примеры). Когезия, адгезия, смачивание.
-
Измерение малого поверхностного натяжения.
-
Что определяет разрешение в АСМ, а что в СТМ? Возможно ли достижение атомарного разрешения в АСМ и почему?
-
Дисперсная система: определение и классификация.
-
Виды спектроскопии, отличия.
-
Принципиальная схема оптического зонда для БОМ (режим облучения зондом).
-
Оценка смачиваемости пористых материалов.
-
Связь поверхностного натяжения и объемных свойств веществ.
-
Размерный эффект: определение, особенности проявления, примеры.
-
Особенности ПЭМ и СЭМ.
-
Какое явление лежит в основе метода РФЭС?
-
Принципиальная схема оптического зонда для БОМ (режим просачивания света в зонд).
-
Причины применения кремния в электронике. Чем определяются особенности механической обработки кремниевых пластин?
-
Примеры устройств наноэлектроники.
-
Типы термодинамических процессов. Избыточные термодинамические функции.
-
Преимущества и недостатки метода пластины Вильгельми.
-
Каковы главные преимущества и недостатки СТМ в сравнении с АСМ?
-
На чем основана электронная Оже-спектроскопия, каково пространственное разрешение?
Вопросы к РК1
по курсу «Основы наноэлектроники и нанотехнологий»