реферат (Проблемы современной наноэлектроники), страница 2
Описание файла
Файл "реферат" внутри архива находится в папке "Проблемы современной наноэлектроники". Документ из архива "Проблемы современной наноэлектроники", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "основы наноэлектроники и нанотехнологии" из 8 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "рефераты, доклады и презентации", в предмете "основы наноэлектроники и нанотехнологий" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "реферат"
Текст 2 страницы из документа "реферат"
Как уже отмечалось, микроволновый диапазон – это та часть электромагнитного спектра, где классическая электротехника уже не работает, а относительно простые законы оптики еще не работают. Поэтому при решении электродинамических проблем в указанном диапазоне приходится либо изощряться, приспосабливая законы оптики и классической электротехники к СВЧ, либо пытаться решать уравнения Максвелла, что в некоторых случаях приносит свои плоды. По Максвеллу источником магнитного поля могут служить либо протекающий ток, либо меняющееся во времени электрическое поле. В некотором смысле это сходные вещи, поскольку электрический ток представляет собой движение электрических зарядов, а каждый движущийся заряд меняет окружающее электрическое поле и тем самым создает вокруг себя магнитное поле.
Заключение
Базой современной электроники являются достижения в различных областях фундаментальных наук, в первую очередь в области физики твёрдого тела, физики полупроводников, а также твердотельной технологии. До недавнего времени повышение функциональной сложности и быстродействия систем достигалось за счет увеличения плотности размещения и уменьшения размера элементов. Однако настало время, когда элементная база, основанная на использовании разнообразных низкоразмерных структур, является наиболее перспективной для электронной техники новых поколений. Так, при переходе к системам нанометрового масштаба начинают проявляться квантовые эффекты (размерное квантование, туннелирование, интерференция электронных состояний и др.), которые будут играть определяющую роль в функционировании приборов на их основе.
Список использованных источников и литературы
-
Шишкин Г.Г. Наноэлектроника. Элементы, приборы, устройства / Г.Г. Шишкин, И.М. Агеев – Москва: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011.
-
Шелованова Г.Н. Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники / Г.Н. Шелованова – Красноярск: ИПК СФУ, 2009.
-
Борисенко В.Е. Наноэлектроника. Теория и практика / В.Е.Борисенко – Москва: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2013.