Проэкционная фотолитография (Достижения современной проекционной фотолитографии), страница 2
Описание файла
Файл "Проэкционная фотолитография" внутри архива находится в папке "Достижения современной проекционной фотолитографии". Документ из архива "Достижения современной проекционной фотолитографии", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "основы наноэлектроники и нанотехнологии" из 8 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "рефераты, доклады и презентации", в предмете "основы наноэлектроники и нанотехнологий" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Проэкционная фотолитография"
Текст 2 страницы из документа "Проэкционная фотолитография"
-
Иммерсионная литография
Способ повышения разрешающей способности за счет заполнения воздушного промежутка между последней линзой и пленкой фоторезиста жидкостью с показателем преломления более 1 (метод иммерсии). Угловое разрешение увеличивается пропорционально показателю преломления. Современные литографические установки используют в качестве жидкости высокоочищенную воду, позволяя работать с техпроцессом менее 45 нм. Системы с использованием иммерсионной литографии выпускаются лишь ASML, Nikon и Canon. Улучшением данной технологии можно считать методику HydroLith, в которой измерения и позиционирование производится на сухой пластине, а экспонирование — на «мокрой»
В системах с воздушным зазором имеются ограничения увеличения разрешения (невозможность увеличения Числовой апертуры). При помощи иммерсионной жидкости можно увеличить показатель преломления пространства между линзой и объектом, увеличив тем самым апертуру. Так, вода в системе, работающей на ультрафиолетовом свете с длиной волны 193 нм (ArF), имеет показатель 1.44.
Разрешение оборудования увеличивается на 30-40 % (точное значение зависит от материалов).
В 2010 году был достигнут техпроцесс 32 нм с использованием иммерсионной литографии; продолжаются эксперименты по работе с 22нм. Теоретически возможно использование иммерсионной литографии вплоть до техпроцесса 11 нм.
Согласно данным, подготовленным RealWorldTech к 2009 году иммерсионная литография использовалась практически повсеместно при производстве микросхем по наиболее тонким техпроцессам.[9]
-
Двойное формирование рисунка
Способ повышения топологических норм , который состоит в использования фоторезиста с двойным проявлением, удалённые слои соответсвуют как минимумами (как у позитивного фоторезиста) так и максимумами (как у негативного фоторезиста) интенсивности актиничного излучения. Полученная топология имеет в 2 раза больше элементов чем сам фотошаблон. [10]
При производстве полупроводниковых приборов, для экспонирования больших по площади пластин (150, 200, 300 мм в диаметре) используют такие аппараты, как степперы и сканеры, в которых небольшой фотошаблон экспонируется на пластину многократно с помощью перемещения экспонируемой поверхности.
Обзор достижения фотолитографии:
KP | 180 | 130 | 90 | 65 | 45 | 32 | 22 | 15 |
Лазер | KrF | KrF | ArF | ArF | ArF | ArF | ArF | ArF |
λ,нм | 248 | 248 | 248 | 193 | 193 | 193 | 193 | 193 |
коррекция | OPC | OPC RET | OPC RET | Иммер. OPC RET | Иммер. OPC strong RET | DP | DP запрешеные зоны | Micro paterning |
[11]
Литература
-
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F
-
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%B3%D0%B5%D0%BD%D0%BE%D0%B2%D1%81%D0%BA%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F
-
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%98%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE-%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%B2%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F
-
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F_%D0%B2_%D0%B3%D0%BB%D1%83%D0%B1%D0%BE%D0%BA%D0%BE%D0%BC_%D1%83%D0%BB%D1%8C%D1%82%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D1%82%D0%B5
-
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F
-
https://en.wikipedia.org/wiki/Optical_proximity_correction
-
https://en.wikipedia.org/wiki/Off-axis_illumination
-
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B7%D0%BE%D1%81%D0%B4%D0%B2%D0%B8%D0%B3%D0%B0%D1%8E%D1%89%D0%B8%D0%B5_%D0%BC%D0%B0%D1%81%D0%BA%D0%B8
-
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%98%D0%BC%D0%BC%D0%B5%D1%80%D1%81%D0%B8%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F
-
https://en.wikipedia.org/wiki/Multiple_patterning
-
https://en.wikipedia.org/wiki/Next-generation_lithography