rpd000007986 (210601 (11.05.01).С6 Лазерные информационные системы и комплексы), страница 2
Описание файла
Файл "rpd000007986" внутри архива находится в следующих папках: 210601 (11.05.01).С6 Лазерные информационные системы и комплексы, 210601.С6. Документ из архива "210601 (11.05.01).С6 Лазерные информационные системы и комплексы", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "вспомогательные материалы для первокурсников" из 1 семестр, которые можно найти в файловом архиве МАИ. Не смотря на прямую связь этого архива с МАИ, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "вспомогательные материалы для первокурсников" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "rpd000007986"
Текст 2 страницы из документа "rpd000007986"
Прикрепленные файлы: вопросы 3 сем.doc
Вопросы для подготовки к экзамену/зачету:
1.
2. Экзамен (4 семестр)
Прикрепленные файлы: вопросы 4 сем.doc
-
УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОЕ И ИНФОРМАЦИОННОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ
а)основная литература:
1. Шишкин Г.Г., Агеев И.М. Наноэлектроника: элементы, приборы, устройства. Уч. пособие. – М.:БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011.
2. Шишкин Г.Г., Шишкин А.Г. Электроника. Учебник для вузов. – М.: Дрофа, 2009, − 703 с.
3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. Учебное пособие для вузов. – 2-изд., перераб. и доп. ― М.: – Санкт-Петербург: Лаб. Баз. Знаний Невский Диалект физматлит, 2001.
4. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. Учебное пособие для вузов.- М.: Радио и связь,1991, 288с.
5. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985.
6. К.П. Кирдяшев. Моделирование физических процессов в электронных приборах. -М.: Издательство МАИ,2007, стр. 6-10, 13-17.
7. Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника: Учеб. для вузов. – М.: Высш. школа, 2001. – 573с.
8. Методические указания к лабораторным работам. МАИ (НИУ), каф. 408 (www.kaf408.ru), 2011 -2012 г.г.
б)дополнительная литература:
1. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: учебное пособие для вузов / Ю.Л. Бобровский, С.А.Корнилов, И.А.Кратиров и др.; Под ред. Проф.Н.Д.Федорова. – М.: Радио и связь, 1998.- 560 с
2. Маллер Р., Кейлинс Т. Элементы интегральных схем - М.: Мир, 1989, 628 с.
3. У.Тилл, Дж.Лаксон. Интегральные схемы: материалы, приборы, изготовление.- М.Мир, 1985, 504 с.
4. Л.Росадо. Физическая электроника и микроэлектроника. М.: Высшая школа, 1991. – 352 с.
5. Петухов В.М. Транзисторы и их зарубежные аналоги: справочник; в 5 т./ В.М.Петухов – М.: «ИП РадиоСофт», 1997-2002.
в)программное обеспечение, Интернет-ресурсы, электронные библиотечные системы:
-
МАТЕРИАЛЬНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ
1. Лекционные занятия:
- комплект электронных презентаций/слайдов,
- аудитория, оснащенная презентационной техникой (проектор, экран, компьютер/ноутбук).
2. Практические занятия:
- компьютерный класс,
- презентационная техника (проектор, экран, компьютер/ноутбук),
- пакеты ПО общего назначения (текстовые редакторы, графические редакторы),
- специализированное ПО.
3. Лабораторные работы,
- лаборатория «Полупроводниковая электроника», оснащенная полупроводниковыми приборами, средствами измерительной техники, компьютерами источниками электропитания;
- лаборатория «СВЧ электроники», оснащенная СВЧ приборами, средствами измерительной техники, источниками электропитания;
- лаборатория «Квантовой и оптической электроники», оснащенная квантовыми и оптическими приборами, средствами измерительной техники, компьютерами источниками электропитания;
- шаблоны отчетов по лабораторным работам (см. сайт каф.408).
4. Прочее
- рабочее место преподавателя, оснащенное компьютером с доступом в Интернет,
- рабочие места студентов, оснащенные компьютерами с доступом в Интернет, предназначенные для работы в электронной образовательной среде,
- комплект лабораторных стендов для исследования статических характеристик диодов и транзисторов, измерения параметров их эквивалентных схем, изучения поведения активных приборов в простейших ячейках функциональных узлов;
- наглядные пособия для изучения конструкций ИМС;
- измерительные средства для обеспечения методик измерения на названных стендах;
- стенды на основе компьютеров, используемые для проведения экспериментов и выполнения измерений, а также выхода в Интернет для получения справочных данных, проведения расчетов и выполнения виртуальных лабораторных работ.
Приложение 1
к рабочей программе дисциплины
«Электроника »
Аннотация рабочей программы
Дисциплина Электроника является частью Профессионального цикла дисциплин подготовки студентов по направлению подготовки Радиоэлектронные системы и комплексы. Дисциплина реализуется на 4 факультете «Московского авиационного института (национального исследовательского университета)» кафедрой (кафедрами) 408.
Дисциплина нацелена на формирование следующих компетенций: ПК-3.
Содержание дисциплины охватывает круг вопросов, связанных с: полупроводниковой, вакуумной, газоразрядной, оптической, квантовой электроникой и наноэлектроникой
Преподавание дисциплины предусматривает следующие формы организации учебного процесса: Лекция, мастер-класс, Практическое занятие, Лабораторная работа.
Программой дисциплины предусмотрены следующие виды контроля: промежуточная аттестация в форме Зачет (3 семестр) ,Экзамен (4 семестр).
Общая трудоемкость освоения дисциплины составляет 5 зачетных единиц, 180 часов. Программой дисциплины предусмотрены лекционные (50 часов), практические (10 часов), лабораторные (32 часов) занятия и (61 часов) самостоятельной работы студента.
Приложение 2
к рабочей программе дисциплины
«Электроника »
Cодержание учебных занятий
-
Лекции
1.1.1. Введение. Свойства полупроводников(АЗ: 2, СРС: 1)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
1.1.2. Движение свободных носителей, электропроводность полупроводников(АЗ: 2, СРС: 1)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
1.1.3. Электрические переходы (АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
1.1.4. Полупроводниковые диоды (АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
1.1.5. Биполярный транзистор: устройство, принцип действия(АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
1.1.6. Биполярный транзистор: ВАХ, малосигнальные параметры (АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
1.1.7. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и переходом Шотки (АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
1.1.8. Полевой транзистор с переходом МДП, ВАХ и параметры (АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.1.1. Полупроводниковые диоды СВЧ (АЗ: 2, СРС: 1)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.1.2. Динамическое управление электронами в вакуумных СВЧ приборах (АЗ: 2, СРС: 1)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.1.3. 2-х резонаторный усилительный пролетный клистрон (АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.1.4. Замедляющие системы. Устройство усилительной ЛБВО (АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.1.5. ЛБВО: принцип действия, характеристики и параметры (АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.1.6. Замкнутые ЗС. Многорезонаторный магнетрон (АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.2.1. Поглощение излучения в полупроводнике. Фотопроводимость (АЗ: 2, СРС: 1)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.2.2. Фоторезистор (АЗ: 2, СРС: 1)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.2.3. Фотоприемники на основе p-n перехода (АЗ: 2, СРС: 1)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.2.4. Светодиоды. Оптроны. Фото-ПЗС (АЗ: 2, СРС: 1)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.3.1. Физические основы работы квантовых приборов (АЗ: 2, СРС: 1)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.3.2. Квантовый парамагнитный усилитель(АЗ: 2, СРС: 1)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.3.3. Принцип действия оптического квантового генератора (АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.3.4. Газовые лазеры (АЗ: 2, СРС: 1)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.3.5. Твердотельные лазеры (АЗ: 2, СРС: 1)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.3.6. Полупроводниковый лазер на гомопереходе (АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
2.3.7. Лазер на гетеропереходе. Заключение (АЗ: 2, СРС: 1)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
-
Практические занятия
1.1.1. Расчет концентрации электронов в полупроводнике, расчет идеальной и реальной ВАХ p-n перехода(АЗ: 6, СРС: 4)
Форма организации: Практическое занятие
1.1.2. Барьерная емкость полупроводникового диода и электронная перестройка частоты колебательного контура.(АЗ: 4, СРС: 4)
Форма организации: Практическое занятие
-
Лабораторные работы
1.1.1. Изучение статических характеристик p-n переходов(АЗ: 4, СРС: 2)
Форма организации: Лабораторная работа
1.1.2. Исследование характеристик полупроводниковых диодов(АЗ: 4, СРС: 2)
Форма организации: Лабораторная работа
1.1.3. Исследование характеристик биполярного транзистора(АЗ: 4, СРС: 2)
Форма организации: Лабораторная работа
1.1.4. Исследование характеристик полевого транзистора(АЗ: 4, СРС: 2)
Форма организации: Лабораторная работа
2.1.1. Исследование отражательного клистрона(АЗ: 4, СРС: 2)
Форма организации: Лабораторная работа
2.2.1. Исследование оптронов(АЗ: 4, СРС: 2)
Форма организации: Лабораторная работа
2.2.2. Исследование фотоприемника на приборах
с зарядовой связью
(АЗ: 4, СРС: 2)
Форма организации: Лабораторная работа
2.3.1. Исследование квантового генератора
на основе смеси газов гелия и неона
(АЗ: 4, СРС: 2)
Форма организации: Лабораторная работа
-
Типовые задания
Приложение 3
к рабочей программе дисциплины
«Электроника »
Прикрепленные файлы
вопросы 3 сем.doc
-
Энергетическая диаграмма полупроводника. Донорные и акцепторные полупроводники.
-
Зависимости концентрации свободных носителей от температуры в чистом и примесном полупроводниках.
-
Тепловое, дрейфовое и диффузионное движения свободных носителей в полупроводнике.
-
Удельная электропроводность полупроводника.
-
Разновидности и особенности электрических переходов.
-
P-n переход в равновесном состоянии.
-
P-n переход в неравновесном состоянии.
-
ВАХ идеализированного p-n перехода.
-
ВАХ реального p-n перехода.
-
Емкости p-n перехода.
-
Переходы металл/полупроводник.
-
МДП-переходы.
-
Гетеропереходы.
-
Выпрямительные диоды.
-
Импульсные диоды.
-
Стабилитроны и стабисторы.
-
Варикапы.
-
Туннельный и обращенный диоды.
-
P-i-n диоды.
-
Структуры БТ и схемы включения ОЭ, ОБ, ОК.
-
Режимы работы БТ.
-
Энергетическая диаграмма БТ и общий принцип действия.
-
Токи БТ в активном режиме.
-
Коэффициенты передачи тока БТ и.
-
ВАХ БТ в схеме ОЭ.
-
ВАХ БТ в схеме ОБ.
-
h-параметры БТ и их расчет по ВАХ.
-
БТ в режиме малого сигнала.
-
БТ в режиме большого сигнала.
-
БТ на высокой частоте.
-
БТ интегральных схем.
-
Гетероструктурный варизонный БТ.
-
Устройство и принцип действия ПТ с управляющим p-n переходом.
-
ВАХ ПТ с управляющим p-n переходом.
-
ПТ с затвором Шотки.
-
ПТ МДП с встроенным каналом.
-
ПТ МДП с индуцированным каналом.
-
Параметры ПТ и их расчет по ВАХ.
-
Полевой транзистор МДП на высокой частоте.
-
Полевой транзистор в режиме малого сигнала.
вопросы 4 сем.doc
-
Лавино-пролетный диод.
-
Объемная неустойчивость заряда и отрицательная дифференциальная подвижность электронов в GaAs.
-
Устройство и принцип действия диода Ганна.
-
Принципы статического и динамического управления электронным потоком. Классификация вакуумных приборов СВЧ по времени взаимодействия и типу энергообмена.
-
Двухрезонаторный ПК: устройство и принцип действия.
-
Двухрезонаторный ПК: параметры и характеристики.
-
Отражательный ПК.
-
Замедляющие системы приборов с длительным взаимодействием.
-
Пространственные гармоники замедляющих систем.
-
ЛБВО: устройство и принцип действия.
-
ЛБВО: параметры и характеристики.
-
Движение электронов в скрещенных полях B и E.
-
Движение электронов в скрещенных полях В и Е в присутствии СВЧ поля.
-
Многорезонаторный магнетрон: устройство и принцип действия.
-
Многорезонаторный магнетрон: виды колебаний, диаграмма рабочих режимов, характеристики и параметры.
-
Механизмы поглощения излучения в полупроводнике.
-
Фоторезистор.
-
Фотоэлектрические эффекты в электрическом переходе.
-
Фотодиоды.
-
Лавинный фотодиод.
-
Биполярный фототранзистор.
-
Солнечные преобразователи.
-
Светодиоды.
-
Оптоэлектронные пары.
-
Фото-ПЗС.
-
Виды движения и квантовые уровни различных микрочастиц.
-
Квантовые переходы.
-
Ширина спектральной линии излучения.
-
Усиление и генерация излучения в квантовых системах
-
Квантовый парамагнитный усилитель СВЧ.
-
Устройство и принцип действия лазера.
-
Свойства оптического резонатора.
-
Условия самовозбуждения лазера.
-
Мощность излучения лазера.
-
Спектр излучения лазера.
-
Свойства лазерного излучения.
-
Атомарный гелий-неоновый газовый лазер.
-
Рубиновый твердотельный лазер.
-
Полупроводниковый лазер.
-
Гетероструктурный полупроводниковый лазер.
Версия: AAAAAARxQAk Код: 000007986