rpd000007986 (210601 (11.05.01).С6 Лазерные информационные системы и комплексы)
Описание файла
Файл "rpd000007986" внутри архива находится в следующих папках: 210601 (11.05.01).С6 Лазерные информационные системы и комплексы, 210601.С6. Документ из архива "210601 (11.05.01).С6 Лазерные информационные системы и комплексы", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "вспомогательные материалы для первокурсников" из 1 семестр, которые можно найти в файловом архиве МАИ. Не смотря на прямую связь этого архива с МАИ, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "вспомогательные материалы для первокурсников" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "rpd000007986"
Текст из документа "rpd000007986"
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Московский авиационный институт
(национальный исследовательский университет)
УТВЕРЖДАЮ
Проректор по учебной работе
______________Куприков М.Ю.
“____“ ___________20__
РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ (000007986)
Электроника
(указывается наименование дисциплины по учебному плану)
| Направление подготовки | Радиоэлектронные системы и комплексы | |||||
| Квалификация (степень) выпускника | Специалист | |||||
| Специализация подготовки | 210601.С1, 210601.С2, 210601.С3, 210601.С5, 210601.С6, 210601.С7 | |||||
| Форма обучения | очная | |||||
| (очная, очно-заочная и др.) | ||||||
| Выпускающая кафедра | 401, 402, 405, 407, 406 | |||||
| Обеспечивающая кафедра | 408 | |||||
| Кафедра-разработчик рабочей программы | 408 | |||||
| Семестр | Трудоем-кость, час. | Лек-ций, час. | Практич. занятий, час. | Лаборат. работ, час. | СРС, час. | Экзаменов, час. | Форма промежуточного контроля |
| 3 | 72 | 16 | 10 | 16 | 30 | 0 | Зч |
| 4 | 108 | 34 | 0 | 16 | 31 | 27 | Э |
| Итого | 180 | 50 | 10 | 32 | 61 | 27 |
Москва
2011 г.
РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ
Разделы рабочей программы
-
Цели освоения дисциплины
-
Структура и содержание дисциплины
-
Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины
-
Материально-техническое обеспечение дисциплины
Приложения к рабочей программе дисциплины
Приложение 1. Аннотация рабочей программы
Приложение 2. Cодержание учебных занятий
Приложение 3. Прикрепленные файлы
Программа составлена в соответствии с требованиями ФГОС ВПО по направлению подготовки 210601 Радиоэлектронные системы и комплексы
по профилям:
210601.С1 Радиолокационные системы и комплексы
210601.С2 Радиоэлектронные системы передачи информации
210601.С3 Радиосистемы и комплексы управления
210601.С5 Радиоэлектронная борьба
210601.С6 Лазерные информационные системы и комплексы
210601.С7 Антенные системы и устройства
Авторы программы :
| Шишкин Г.Г. | _________________________ |
| Заведующий обеспечивающей кафедрой 408 | _________________________ |
Программа одобрена:
| Заведующий выпускающей кафедрой 401 _________________________ | Декан выпускающего факультета 4 _________________________ |
| Заведующий выпускающей кафедрой 402 _________________________ | |
| Заведующий выпускающей кафедрой 405 _________________________ | |
| Заведующий выпускающей кафедрой 407 _________________________ | |
| Заведующий выпускающей кафедрой 406 _________________________ | |
-
ЦЕЛИ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ
Целью освоения дисциплины Электроника является достижение следующих результатов образования (РО):
| N | Шифр | Результат освоения |
| 1 | Владеть методами и средствами проектирования, модернизации и модификации информационных систем |
Перечисленные РО являются основой для формирования следующих компетенций: (в соответствии с ФГОС ВПО и требованиями к результатам освоения основной образовательной программы (ООП))
| N | Шифр | Компетенция |
| 1 | ПК-3 | Готов учитывать современные тенденции развития электроники, измерительной и вычислительной техники, информационных технологий в своей профессиональной деятельности |
| 2 | Способность способностью выбирать и применять программно-аппаратные и криптографические средства защиты информации |
-
СТРУКТУРА И СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ
Общая трудоемкость дисциплины составляет 5 зачетных(ые) единиц(ы), 180 часа(ов).
| Модуль | Раздел | Лекции | Практич. занятия | Лаборат. работы | СРС | Всего часов | Всего с экзаменами и курсовыми |
| Электроника (часть1) | Полупроводниковая электроника | 16 | 10 | 16 | 30 | 72 | 72 |
| Электроника (часть2) | СВЧ электроника | 12 | 0 | 4 | 12 | 28 | 108 |
| Оптоэлектроника | 8 | 0 | 8 | 8 | 24 | ||
| Квантовая электроника | 14 | 0 | 4 | 11 | 29 | ||
| Всего | 50 | 10 | 32 | 61 | 153 | 180 | |
-
Содержание (дидактика) дисциплины
В разделе приводится полный перечень дидактических единиц, подлежащих усвоению при изучении данной дисциплины.
1. Полупроводниковая электроника
- 1.1. Физические основы полупроводниковой электроники
- 1.2. Контактная разность потенциалов, внутренне поле p-n перехода, энергетическая диаграмма
- 1.3. Неравновесное состояние p-n перехода
- 1.4. ВАХ идеализированного и реального переходов
- 1.5. Параметры p-n перехода, разновидности электрических переходов
- 1.6. Полупроводниковые диоды: выпрямительные, импульсные, варикапы, стабилитроны, на основе p-i-n структуры
- 1.7. Диоды на вырожденных полупроводниках: туннельные и обращенные
- 1.8. Принцип действия биполярного транзистора
- 1.9. Статические характеристики БТ, малосигнальные параметры
- 1.10. Модели биполярного транзистора, особенности интегральных БТ
- 1.11. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, ВАХ и параметры
- 1.12. Полевые транзисторы с управляющим переходом МДП, ВАХ и параметры
- 1.13. Модели полевых транзисторов, особенности интегральных ПТ
3. СВЧ электроника
- 3.1. Полупроводниковые диоды СВЧ
- 3.2. Принцип динамического управления электронным потоком в вакуумных СВЧ приборах
- 3.3. 2-х резонаторный усилительный пролетный клистрон
- 3.4. Усилительная лампа бегущей волны
- 3.5. Многорезонаторный генераторный магнетрон
4. Оптоэлектроника
- 4.1. Фотопроводимость, фоторезистор: принцип действия, характеристики и параметры
- 4.2. Фотоэлектрические эффекты в p-n переходе, фотодиоды, солнечные преобразователи, фототранзисторы
- 4.3. Излучательная рекомбинация носителей заряда в p-n переходе, светодиоды
- 4.4. Оптоэлектронные пары: принцип действия, особенности конструкции, параметры
- 4.5. Накопление и перенос зарядов в приборах с зарядовой связью, параметры и характеристики ФПЗС
5. Квантовая электроника
- 5.1. Квантовые переходы, усиление и генерация в квантовых системах
- 5.2. Квантовый парамагнитный усилитель СВЧ
- 5.3. Оптический квантовый генератор: устройство, условия генерации
- 5.4. Газовый атомарный He-Ne лазер
- 5.5. Твердотельный рубиновый лазер
- 5.6. Полупроводниковые лазеры
-
Лекции
| № п/п | Раздел дисциплины | Объем, часов | Тема лекции | Дидакт. единицы |
| 1 | 1.1.Полупроводниковая электроника | 2 | Введение. Свойства полупроводников | 1.1 |
| 2 | 1.1.Полупроводниковая электроника | 2 | Движение свободных носителей, электропроводность полупроводников | 1.1 |
| 3 | 1.1.Полупроводниковая электроника | 2 | Электрические переходы | 1.3 |
| 4 | 1.1.Полупроводниковая электроника | 2 | Полупроводниковые диоды | 1.6 |
| 5 | 1.1.Полупроводниковая электроника | 2 | Биполярный транзистор: устройство, принцип действия | 1.8 |
| 6 | 1.1.Полупроводниковая электроника | 2 | Биполярный транзистор: ВАХ, малосигнальные параметры | 1.9 |
| 7 | 1.1.Полупроводниковая электроника | 2 | Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и переходом Шотки | 1.11 |
| 8 | 1.1.Полупроводниковая электроника | 2 | Полевой транзистор с переходом МДП, ВАХ и параметры | 1.12 |
| 9 | 2.1.СВЧ электроника | 2 | Полупроводниковые диоды СВЧ | 3.1 |
| 10 | 2.1.СВЧ электроника | 2 | Динамическое управление электронами в вакуумных СВЧ приборах | 3.2 |
| 11 | 2.1.СВЧ электроника | 2 | 2-х резонаторный усилительный пролетный клистрон | 3.3 |
| 12 | 2.1.СВЧ электроника | 2 | Замедляющие системы. Устройство усилительной ЛБВО | 3.4 |
| 13 | 2.1.СВЧ электроника | 2 | ЛБВО: принцип действия, характеристики и параметры | 3.4 |
| 14 | 2.1.СВЧ электроника | 2 | Замкнутые ЗС. Многорезонаторный магнетрон | 3.5 |
| 15 | 2.2.Оптоэлектроника | 2 | Поглощение излучения в полупроводнике. Фотопроводимость | 4.1 |
| 16 | 2.2.Оптоэлектроника | 2 | Фоторезистор | 4.1 |
| 17 | 2.2.Оптоэлектроника | 2 | Фотоприемники на основе p-n перехода | 4.2 |
| 18 | 2.2.Оптоэлектроника | 2 | Светодиоды. Оптроны. Фото-ПЗС | 4.3, 4.4, 4.5 |
| 19 | 2.3.Квантовая электроника | 2 | Физические основы работы квантовых приборов | 5.1 |
| 20 | 2.3.Квантовая электроника | 2 | Квантовый парамагнитный усилитель | 5.2 |
| 21 | 2.3.Квантовая электроника | 2 | Принцип действия оптического квантового генератора | 5.3 |
| 22 | 2.3.Квантовая электроника | 2 | Газовые лазеры | 5.4 |
| 23 | 2.3.Квантовая электроника | 2 | Твердотельные лазеры | 5.5 |
| 24 | 2.3.Квантовая электроника | 2 | Полупроводниковый лазер на гомопереходе | 5.6 |
| 25 | 2.3.Квантовая электроника | 2 | Лазер на гетеропереходе. Заключение | 5.6 |
| Итого: | 50 | |||
-
Практические занятия
| № п/п | Раздел дисциплины | Объем, часов | Тема практического занятия | Дидакт. единицы |
| 1 | 1.1.Полупроводниковая электроника | 6 | Расчет концентрации электронов в полупроводнике, расчет идеальной и реальной ВАХ p-n перехода | 1.4, 1.2 |
| 2 | 1.1.Полупроводниковая электроника | 4 | Барьерная емкость полупроводникового диода и электронная перестройка частоты колебательного контура. | 1.5 |
| Итого: | 10 | |||
-
Лабораторные работы
| № п/п | Раздел дисциплины | Наименование лабораторной работы | Наименование лаборатории | Объем, часов | Дидакт. единицы |
| 1 | 1.1.Полупроводниковая электроника | Изучение статических характеристик p-n переходов | 4 | 1.4 | |
| 2 | 1.1.Полупроводниковая электроника | Исследование характеристик полупроводниковых диодов | 4 | 1.6, 1.7 | |
| 3 | 1.1.Полупроводниковая электроника | Исследование характеристик биполярного транзистора | 4 | 1.9, 1.10 | |
| 4 | 1.1.Полупроводниковая электроника | Исследование характеристик полевого транзистора | 4 | 1.11, 1.13 | |
| 5 | 2.1.СВЧ электроника | Исследование отражательного клистрона | 4 | 3.2 | |
| 6 | 2.2.Оптоэлектроника | Исследование оптронов | 4 | 4.4 | |
| 7 | 2.2.Оптоэлектроника | Исследование фотоприемника на приборах с зарядовой связью | 4 | 4.5 | |
| 8 | 2.3.Квантовая электроника | Исследование квантового генератора на основе смеси газов гелия и неона | 4 | 5.4, 5.6 | |
| Итого: | 32 | ||||
-
Типовые задания
| № п/п | Раздел дисциплины | Объем, часов | Наименование типового задания |
| Итого: | |||
-
Курсовые работы и проекты по дисциплине
-
Рубежный контроль
-
Промежуточная аттестация
1. Зачет (3 семестр)
