rpd000007986 (210601 (11.05.01).С2 Радиоэлектронные системы передачи информации), страница 3

1. Типовые задания

Приложение 3
к рабочей программе дисциплины
«Электроника »

Прикрепленные файлы

вопросы 3 сем.doc

1. Энергетическая диаграмма полупроводника. Донорные и акцепторные полупроводники.

2. Зависимости концентрации свободных носителей от температуры в чистом и примесном полупроводниках.

3. Тепловое, дрейфовое и диффузионное движения свободных носителей в полупроводнике.

4. Удельная электропроводность полупроводника.

5. Разновидности и особенности электрических переходов.

6. P-n переход в равновесном состоянии.

7. P-n переход в неравновесном состоянии.

8. ВАХ идеализированного p-n перехода.

9. ВАХ реального p-n перехода.

10. Емкости p-n перехода.

11. Переходы металл/полупроводник.

12. МДП-переходы.

13. Гетеропереходы.

14. Выпрямительные диоды.

15. Импульсные диоды.

16. Стабилитроны и стабисторы.

17. Варикапы.

18. Туннельный и обращенный диоды.

19. P-i-n диоды.

20. Структуры БТ и схемы включения ОЭ, ОБ, ОК.

21. Режимы работы БТ.

22. Энергетическая диаграмма БТ и общий принцип действия.

23. Токи БТ в активном режиме.

24. Коэффициенты передачи тока БТ и.

25. ВАХ БТ в схеме ОЭ.

26. ВАХ БТ в схеме ОБ.

27. h-параметры БТ и их расчет по ВАХ.

28. БТ в режиме малого сигнала.

29. БТ в режиме большого сигнала.

30. БТ на высокой частоте.

31. БТ интегральных схем.

32. Гетероструктурный варизонный БТ.

33. Устройство и принцип действия ПТ с управляющим p-n переходом.

34. ВАХ ПТ с управляющим p-n переходом.

35. ПТ с затвором Шотки.

36. ПТ МДП с встроенным каналом.

37. ПТ МДП с индуцированным каналом.

38. Параметры ПТ и их расчет по ВАХ.

39. Полевой транзистор МДП на высокой частоте.

40. Полевой транзистор в режиме малого сигнала.

вопросы 4 сем.doc

1. Лавино-пролетный диод.

2. Объемная неустойчивость заряда и отрицательная дифференциальная подвижность электронов в GaAs.

3. Устройство и принцип действия диода Ганна.

4. Принципы статического и динамического управления электронным потоком. Классификация вакуумных приборов СВЧ по времени взаимодействия и типу энергообмена.

5. Двухрезонаторный ПК: устройство и принцип действия.

6. Двухрезонаторный ПК: параметры и характеристики.

7. Отражательный ПК.

8. Замедляющие системы приборов с длительным взаимодействием.

9. Пространственные гармоники замедляющих систем.

10. ЛБВО: устройство и принцип действия.

11. ЛБВО: параметры и характеристики.

12. Движение электронов в скрещенных полях B и E.

13. Движение электронов в скрещенных полях В и Е в присутствии СВЧ поля.

14. Многорезонаторный магнетрон: устройство и принцип действия.

15. Многорезонаторный магнетрон: виды колебаний, диаграмма рабочих режимов, характеристики и параметры.

16. Механизмы поглощения излучения в полупроводнике.

17. Фоторезистор.

18. Фотоэлектрические эффекты в электрическом переходе.

19. Фотодиоды.

20. Лавинный фотодиод.

21. Биполярный фототранзистор.

22. Солнечные преобразователи.

23. Светодиоды.

24. Оптоэлектронные пары.

25. Фото-ПЗС.

26. Виды движения и квантовые уровни различных микрочастиц.

27. Квантовые переходы.

28. Ширина спектральной линии излучения.

29. Усиление и генерация излучения в квантовых системах

30. Квантовый парамагнитный усилитель СВЧ.

31. Устройство и принцип действия лазера.

32. Свойства оптического резонатора.

33. Условия самовозбуждения лазера.

34. Мощность излучения лазера.

35. Спектр излучения лазера.

36. Свойства лазерного излучения.

37. Атомарный гелий-неоновый газовый лазер.

38. Рубиновый твердотельный лазер.

39. Полупроводниковый лазер.

40. Гетероструктурный полупроводниковый лазер.

Версия: AAAAAARxQAk Код: 000007986