13538-1 (Нойс Роберт (Noyce Robert Norton))
Описание файла
Документ из архива "Нойс Роберт (Noyce Robert Norton)", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "биографии" из , которые можно найти в файловом архиве . Не смотря на прямую связь этого архива с , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "рефераты, доклады и презентации", в предмете "биографии" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "13538-1"
Текст из документа "13538-1"
Нойс Роберт (Noyce Robert Norton)
Нойс Роберт (Noyce Robert Norton) (12 декабря 1927, Берлингтон, шт. Айова - 3 июня 1990, Остин, шт. Техас), американский инженер, изобретатель (1959) интегральной схемы, системы взаимосвязанных транзисторов на единой кремниевой пластинке, основатель (1968, совместно с Г. Муром) корпорации Intel.
В 1949 году Нойс окончил Гриннелл-колледж в Айове со степенью бакалавра, а в 1953 году стал доктором философии Массачусетского технологического института. В 1956-57 годах работал в полупроводниковой лаборатории изобретателя транзисторов Уильяма Шокли, а затем вместе с семью коллегами уволился и основал одну из первых электронных фирм по производству кремниевых полупроводников - Fairchild Semiconductor (Фэрчайлд Семикондактор), которая дала название Силиконовой долине в Северной Калифорнии. Одновременно, но независимо друг от друга Нойс и Килби изобрели интегральную микросхему.
В 1968 году Нойс и его давний коллега Гордон Мур основали корпорацию Intel. Спустя два года они создали 1103-ю запоминающую микросхему из кремния и поликремния, которая заменила собой прежние малоэффективные керамические сердечники в запоминающих устройствах компьютеров. В 1971 Intel представила микропроцессор, объединяющий в одной микросхеме функции запоминающего устройства и процессора. Вскоре корпорация Intel стала лидером по производству микропроцессоров. В 1988 году Нойс стал президентом корпорации Sematech, исследовательского консорциума, совместно финансируемого промышленным капиталом и правительством США с целью развития передовых технологий в американской полупроводниковой промышленности.
Список литературы
Для подготовки данной работы были использованы материалы с сайта http://www.infhist.h1.ru/