Монокристаллические осадки значительной толщины (до 1 мм) получаются при относительно высоких температурах и низких концентрациях паров исходных компонентов. При низких температурах или высоких концентрациях паров получается аморфный или криптокристаллический SiC; ниже 1900°С неизменно образуется кубическая модификация карбида кремния, если только в качестве подложки не используется гексагональный SiC. Но даже и на гексагональном SiC главным фактором, препятствующим эпитаксиальному росту, является образование кубического SiC и дефектов упаковки. Чтобы свести к минимуму эти эффекты, пытались проводить эксперименты при наибольшей возможной температуре. Однако при высоких температурах SiC интенсивно травится водородом. При осаждении на монокристаллическом кремнии осадок SiC уже при очень небольшой толщине становится поликристаллическим, возможно из-за низкой температуры осаждения (1100° С). Применению более высоких температур в этом случае препятствуют высокие скорости диффузии примесей в кремнии и низкая температура плавления кремния. Что касается сапфира, то при температурах выше 1550° С он заметно восстанавливается водородом, а при более низких температурах трудно получить пленки высокого качества.

Более или менее хорошие результаты, по-видимому, должны получаться только при эпитаксиальной осаждении кубического SiC на подложках из кубического же SiC (β-SiC) в температурном интервале 1200—1800° С. В качестве подложек для эпитаксиального осаждения β-SiC из газовой фазы используются монокристаллические

пластиночки с гранями {111}, выращиваемые из расплава кремния, насыщенного углеродом. Главными структурными дефектами в этих кристаллах являются дефекты упаковки и двойники по {111}.

Аппаратура и методика

Для осаждения использовалась проточная система. Газы-реагенты и легирующие добавки вводятся в поток газа-носителя (водород) и пропускаются над поверхностью подложек из SiC. Скорость потока водорода достаточно большая, чтобы предотвратить попадание газообразных примесей через выходное отверстие.

Подложки из SiC подвергаются травлению в плавиковой кислоте, ополаскиваются водой, высушиваются и помещаются на графитовую подставку, которая нагревается токами высокой частоты. Перед заполнением водородом водоохлаждаемый кварцевый реакционный сосуд откачивается с помощью диффузионного насоса до 10^-6 мм рт. ст.; для предотвращения попадания в реактор газообразных примесей, особенно азота, используются ловушки, охлаждаемые жидким азотом. Осаждение проводилось при общем давлении 1 атм и низких парциальных давлениях газов-реагентов. В качестве источника углерода и кремния применялись метилтрихлорсилан CH₃SiCl₃ и смеси SiH₄ + C₃H8; и в том, и в другом случае получаются осадки n-типа. Легирование акцепторными примесями производится с помощью В₂Н₆ и А1С1₃. Широкое применение фторопласта, стекла и кварца взамен металлических компонентов исключает возможность загрязнения осадка за счет побочных химических реакций.

Температура испарителя с СНз81С1з поддерживается постоянной с точностью до ±0, 1° С с помощью газового термометра и реле, отключающего и включающего подогрев охлаждающей ванны. Температуру подложек определяют измерением температуры подставки (вблизи подложки) с помощью оптического пирометра с исчезающей нитью. При определении температуры учитываются поправки на поглощение в окошке и зеркалах, используемых для изменения направления хода лучей. Для изготовления электрических контактов к подложке необходимо часть осажденного слоя удалять. Это производится или сошлифовыванием на алмазном порошке, или травлением при высокой температуре в смеси хлор + кислород с применением окисных масок, получаемых термическим окислением Для окисления и травления в хлоро-кислородных смесях используются две футерованные кварцем горизонтальные трубчатые печи с пропорциональными регуляторами температуры.

Структура и морфология слоев β-SiC, осажденных из газовой фазы

При температурах выше 1400° С и низких скоростях осаждения осадки β-SiC, как правило, эпитаксиальные; ниже 1400° С в осадках встречаются беспорядочно ориентированные частицы β-SiC. Эти результаты получаются при использовании как CH₃SiCl₃, так и смесей SiH₄ + C₃H₈. Однако эпитаксиальные осадки, получаемые в различных условиях, сильно различаются по совершенству. На гранях (111) («кремниевых») получены гладкие эпитаксиальные осадки толщиной больше 30 мкм. Характерной особенностью морфологии эпитаксиальных осадков на этих гранях является наличие низких треугольных ступенчатых образований. Главными несовершенствами являются шестиконечные звездообразные холмики; они образуются только на гранях (111) («углеродных»). Эти холмики, по-видимому, обусловлены двойникованием. В случае пленок, осажденных на гранях (111), как правило, при низких температурах получается неровная или матовая поверхность, на которой холмики настолько многочисленны и малы, что не поддаются разрешению в оптическом микроскопе; с увеличением температуры осаждения индивидуальные холмики, образующие матовую поверхность, увеличиваются в размере, а число их уменьшается. При использовании графитовых подставок индивидуальные холмики роста обычно можно наблюдать только на осадках, получаемых при температурах ~ 1600° С и выше. При использовании подставок из вольфрама, дисилицида вольфрама и карбида вольфрама шероховатость поверхности пленок SiC, осаждаемых при 1700° С, такая же, как в случае пленок, выращенных на графитовых подставках при 1400° С (тонкая матовая текстура, в которой невозможно различить отдельные холмики вследствие их маленького размера и большой поверхностной плотности).

В присутствии примесей или при низких температурах холмики зарождаются гораздо чаще, чем при отсутствии примесей или когда осаждение производится при более высоких температурах. Возникновению холмиков способствует введение в газовую фазу В₂Н₆ или паров А1С1₃ в количестве, достаточном для выращивания SiC n-типа. Увеличение количества холмиков и образование матовой поверхности происходит также, если перед осаждением в испаритель с CH₃SiCl₃ попадает небольшое количество воздуха.

Исследование структуры осажденных слоев SiC производится с помощью метода электронной дифракции на отражение. В этом методе используется электронный луч, направленный (параллельно главной габитусной поверхности {111} пластинки SiC) таким образом, что он едва касается исследуемого кристалла. Когда луч пересекает материал на поверхности, происходит дифракция электронов; следовательно, получаемая информация касается только внешней области осадка. Используются также и рентгеновское исследование, однако получаемая при этом дифракционная картина по большей части слишком сложна и несет в себе меньше информации, чем электронно-дифракционная картина.

Ребра пластинок β-SiC параллельны направлениям . Вращение кубического кристалла вокруг оси, перпендикулярной наиболее развитой грани пластинки, т. е. вокруг направления , приводит к совпадению направления электронного луча с некоторыми из осей, принадлежащих семействам , и ; если осадок ориентирован относительно подложки строго эпитаксиально, при каждом таком совпадении будет наблюдаться соответствующая дифракционная картина. Так как положение направлений подложки может быть установлено визуально по положению столика электронного микроскопа, эпитаксиальный характер осадка может быть подтвержден появлением каждой из указанных дифракционных картин при правильной ортогональной ориентации электронного луча. Это было проделано для полученных пленок. Кроме того, наблюдаемые дифракционные пятна соответствуют узлам обратной решетки β-SiC.

Н а электронограммах часто наблюдаются добавочные пятна, обусловленные двойникованием в осадке. Перемещение кристалла относительно луча в боковом направлении показывает, что степень двойникования на различных участках поверхности оказывается разной.

Дифракционные картины, ортогональные оси , лежащей в плоскости (-1-1-1), имели вид, показанный (в форме проекции обратной решетки) на фиг. 2. Подобная картина получается при наличии двойникования по плоскостям {111}. Лишние пятна располагаются в позициях, отстоящих на одну треть и две трети расстояния между основными пятнами. Это указывает на то, что двойникование имеет место как по плоскостям, параллельным главной габитусной грани подложки (-1-1-1), так и по плоскостям (-11-1), наклонным к этой грани (двойники второго порядка).

Поскольку электронно-дифракционное исследование поверхности эпитаксиальных пленок показывает, что в осадках с матовой поверхностью имеет место двойникование первого порядка (параллельно главной габитусной плоскости (-1-1-1) подложки и осаждаемого слоя) и в несколько меньшей степени — второго порядка, звездообразные холмики предположительно отождествлены с этим двойникованием. Однако в нескольких случаях рентгеновское исследование (методом качания) эпитаксиальных пленок, выращенных при 1600° С, показывает наличие следов гексагонального SiC. Шестиконечная форма холмиков на поверхности осадка может быть следствием и гексагональной симметрии α-SiC, и тройной симметрии β-SiC (при октаэдрической ориентации кристалла). В обоих случаях холмики имеют ориентацию относительно подложки, отвечающую эпитаксиальному росту.

Эти холмики, по-видимому, зарождаются во время роста пленки, а не на поверхности раздела подложка — осадок, так как при оптимальных условиях роста холмики обычно появляются лишь после долгого периода роста гладкой пленки.

Заключение

Вообще говоря, никогда нельзя заранее знать, какой политип получится. Даже при казалось бы абсолютно одинаковых условиях многократно повторяющегося опыта, иногда получаются разные политипы SiC.

Список использованной литературы:

• "Карбид кремния", под ред. Г.Хениша, издательство "Мир", Москва 1972

• "Карбид кремния", под ред. И.Н.Францевича, Киев 1966

• Курс лекций "Материалы и компоненты электронной техники" В.А.Зыкова

Содержание

Основные моменты и явление политипизма………………………………………………………1

Политипизм в SiC…………………………………………………………………………………...1

Выращивание кристаллов SiC из пара методом Бриджмена-Стокбаргера……………………...2

Эпитаксиальный рост кубического SiC……………………………………………………………6

Заключение…………………………………………………………………………………………10

Список использованной литературы……………………………………………………………..10

10