Travlenie (Травление п/п ИМС)
Описание файла
Документ из архива "Травление п/п ИМС", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "радиофизика и электроника" из , которые можно найти в файловом архиве . Не смотря на прямую связь этого архива с , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "рефераты, доклады и презентации", в предмете "радиоэлектроника" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Travlenie"
Текст из документа "Travlenie"
НТУУ “КПИ” РТФ
Доклад
тема: “Травление п/п ИМС”
Выполнил:
студент 2-го курса
группы РТ-22
Кираль С. О.
Kиев 2004
Введение
Одним из определяющих технологических процессов в микроэлектронике в течение более 40 лет продолжает оставаться литография. Литография или микролитография, а сейчас может быть уместно, говорить о нанолитографии, предназначена для создания топологического рисунка на поверхности монокристаллической кремниевой пластины. Базовый литографический процесс представлен на рис. 1 и включает в себя, по крайней мере, 10 ступеней. Темой нашей лекции будут только два этапа, связанные с непосредственным переносом изображения маски на поверхность полупроводниковой структуры (ступени 8 и 9).
1. подготовка поверхности (промывка и сушка) | |
2. нанесение резиста (тонкая пленка полимера наносится ценрифугированием) | |
3. сушка (удаление растворителя и перевод резиста в твердую растворимую фазу) | |
4. совмещение фотошаблона и экспонирование (положительный резист под действием света переходит в нерастворимую фазу) | |
5. проявление резиста (промывка в растворителе, удаляющем неэкспонированный резист) | |
6. стабилизирующий отжиг (удаление остатков растворителя) | |
7. контроль и исправление дефектов | |
8. травление (непосредственный перенос рисунка маски на поверхность полупроводниковой структуры) | |
9. удаление фоторезиста | |
10. финишный контроль | |
| |
Рис. 1 10 ступеней литографического процесса |
Долгие годы для проведения травления использовались различные влажные химические процессы (термин влажные подразумевает использование для травления полупроводниковых структур водных и безводных растворов химически активных компонентов). Однако необходимость непрерывного повышения степени интеграции и информационной емкости микросхем привело к тому, что влажные процессы не могли обеспечить необходимого разрешения.
Для демонстрации этого утверждения рассмотрим один из элементов таких широко применяемых микросхем как динамическую память с произвольным доступом (DRAM).
Благодаря тому, что новые поколения компьютеров требуют все большей и большей емкости память, а также тому, что в составе этих микросхем используются огромное количество однотипных элементов, эти микросхемы обладают наивысшей степенью интеграции
Рис. 2 ячейка памяти с trench конденсатором |
На рис. 2 показана одна из ячеек памяти DRAM чипа разработанного фирмой IBM. В состав ячейки входят МОП транзистор и конденсатор для хранения информационного заряда. В данном случае конденсатор имеет конфигурацию так называемого траншейного (trench) конденсатора. Он имеет ширину 0,25 мкм и технология его изготовления включает несколько литографических операций с разрешением 0,15 мкм. Всего же для изготовления такой микросхемы необходимо более 20 литографических операций с травлением самых различных материалов: кремния, диоксида кремния двух типов, поликремния, алюминия или меди, вольфрама.
Влажные процессы травления имеют очень высокую селективность и с успехом ис-пользуются при изготовлении микросхем с размерами микронного масштаба. Однако при травлении линий с субмикронным разрешением и одновременно с высоким отношением высоты линии к ее ширине влажные процессы перестают работать. Можно выделить следующие причины, лимитирующие применение влажных процессов.
1. Размер рисунка не может быть меньше 2 мкм.
2. Влажное травление – изотропный процесс, что приводит к формированию рисунка с наклонными стенками.
3. Влажное травление требует многоступенчатой промывки и сушки.
4. Используемые химикаты, как правило, сильноядовиты и токсичны.
5. Влажные процессы вносят дополнительные загрязнения.
Все это привело к тому, что вначале 70 годов основным технологическим процессом травления стали различные формы плазменной обработки.
Обычно выделяют две разновидности плазменных процессов травления – непосредственно плазменные и ионнолучевые. Под плазменными понимаются процессы, в которых обрабатываемая подложка или ее держатель являются в той или иной мере элементами плазменного реактора и участвуют в ионизации рабочего газа. Так как удаляемые травлением слои, как правило, имеют высокое сопротивление (изоляторы или полупроводники), то для исключения зарядки поверхности используют высокочастотный разряд. В ионнолучевых процессах обработка подложек происходит потоком ионов или нейтральных частиц, образованных в автономном источнике.
На рис. 3 представлена классификация процессов, используемых в микроэлектронике для травления полупроводниковых структур.
Плазменное травление
В плазменном травлении, которое иногда называют физическим травлением, реализуется хорошо известный и широко применяемый (например, для осаждения тонких пленок) процесс катодного распыления подложки ионами инертного газа. Однако эта техника не получила широкого применения по причине низкой селективности процесса.
Высокая селективность достигается в реактивном плазменном процессе. Суть этой техники достаточно прозрачна. Различные формы разряда формируют в плазмообразующем газе химически активные частицы, которые, взаимодействуя с поверхностью полупроводника или металла, образуют легко летучие химические соединения, удаляемые вакуумной системой.
|
Первыми были разработаны реакторы цилиндрического типа (barrel etcher). В подобных реакторах обрабатываемые подложки помещаются в центре вакуумной камеры, а ВЧН-разряд создается внешней катушкой (см. рис.4).
Таблица 1. Материалы для которых необходимы процессы травления
Материал | Применение |
Моно Si | Базовые кристаллы |
Термическая SiO2 | Маска при травлении Si |
Химически осажденная SiO2 | Подзатворный диэлектрик, изоляция между слоями |
Si3N4 | Маска в некоторых операциях травления, диэлектрик в структурах с накоплением заряда |
Al, Cu, W | Металлизация |
Сr | Фотошаблоны |
Та, Ti, Mo | Подслой |
Та2O5 | Диэлектрик в структурах с накоплением заряда |
TiN | Подслой |
В таких реакторах ионы движутся не перпендикулярно к подложке, что приводит к изотропному травлению и формированию рисунка с наклонными стенками. Другим недостатком цилиндрических реакторов является то, что в подобных системах ионы приобретают достаточно высокую энергию. Это приводит к созданию различного рода радиационных дефектов в полупроводниковых структурах. Для снижения плотности дефектов в цилиндрических реакторах вводится дополнительная экранирую-щая сетка, которая изолирует зону разряда от обрабатываемых пластин (см. рис. 5). В этом случае реализуется так называемое радикальное травление – происходит химическое взаимодействие поверхностных слоев с электрически нейтральными реактивными свободными радикалами, всегда присутствующими в плазме используемых реактивных газов.
Цилиндрические реакторы широко применяются для создания микроструктур с низкой и средней степенью интеграции, когда размер топологических линий не превышает 1-2 мкм.
Рис. 4 цилиндрический плазменный реактор |
|
Увеличение производительности планарных реакторов требует применения более сложных плазменных систем, в которых используются различные приемы увеличения плотности плазмы. В первую очередь разрабатывались реакторы, в которых для увеличения длины свободного пробега электронов вводится параллельное подложке магнитное поле. Такой тип разряда известен как разряд Пеннинга, магнетронный разряд или разряд в скрещенных электрических и магнитных полях. Действие силы Лоренца приводит к сложному криволи-нейному движению электронов вблизи рабочей поверхности, что увеличивает число актов ионизации и приводит к формированию плотного плазменного поля вблизи поверхности подложки.
Отметим, что применение таких систем для создания субмикронных рисунков выдвигает очень высокие требования к однородности магнитного поля.
Разработка новых плазменных систем для травления микроструктур продолжается по самым различным направлениям. Для получения плазмы высокой плотности, но горящей при низком давлении используется системы с СВЧ возбуждением разряда. При этом часто создаются сложные системы электрических и магнитных полей позволяющие реализовать режимы электронного циклотронного резонанса, возбуждения геликоидальных волн и т.д.
В настоящее время наиболее перспективным считаются системы, которые получили название реакторы с индуктивно-возбуждаемой плазмой (inductively coupled plasma, ICP etcher). Высокую анизотропию травления можно достичь в системах, когда ионы атакуют поверхность травления, двигаясь по перпендикулярным к ней направлениям. Такой режим легко реализуется в плазменных система с конденсаторным расположением электродов (Е-разряд), т.е. в обычных планарных реакторах (рис. 6).