расчёт_элементов (Курсовик - 16-канальный преобразователь амплитуды входного сигнала в ширину выходного импульса)
Описание файла
Файл "расчёт_элементов" внутри архива находится в папке "Курсовик - 16-канальный преобразователь амплитуды входного сигнала в ширину выходного импульса". Документ из архива "Курсовик - 16-канальный преобразователь амплитуды входного сигнала в ширину выходного импульса", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "основы конструирования и технологии приборостроения радиоэлектронных средств (окитпрэс)" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве МАИ. Не смотря на прямую связь этого архива с МАИ, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "основы конструирования и технологии рэс" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "расчёт_элементов"
Текст из документа "расчёт_элементов"
Расчет тонкопленочных резисторов
R1 =
Определяют оптимальное значение величины сопротивления квадрата резистивной пленки
= 10000 Ом/кв
| Резистивный материал | ρкв опт, Ом/кв | Р0, Вт/см2 | αR, 1/оС | ТУ на резистивный материал | Материал контактных площадок и проводников |
| Кермет К50-С | 10000 | 2 ... З | -5 ... +3 | ЕТО.021.048.ТУ | Au, Al |
k1 =
=
≤ 5% 
≤ 3%
≤ 5% 
= 1…2%
Масочный метод изготовления обеспечивает предельные отклонения
резистора 
=10...15%, а фотолитографический метод -
= 5...10%
| Позиционное обозначение | Номинал, допуск, мощность | Материал | Ом/кв | k | % | | b , мм | l , мм | | n |
| R1 | кОм + % - мВт | Кермет | 10000 | _ | ||||||
| R2 | кОм + % - мВт | |||||||||
| R3 | кОм + % - мВт | |||||||||
| R4 | кОм + % - мВт | |||||||||
| R5 | кОм + % - мВт | |||||||||
| R6 | кОм + % - мВт | |||||||||
| R7 | кОм + % - мВт | |||||||||
| R8 | кОм + % - мВт | |||||||||
| R9 | кОм + % - мВт | |||||||||
| R10 | кОм + % - мВт | |||||||||
| R11 | кОм + % - мВт |
Расчет тонкопленочных конденсаторов
С1 =
Если в схеме имеется несколько конденсаторов, то для изготовления их в едином технологическом цикле целесообразно выбирать для всех конденсаторов один и тот же диэлектрик с одинаковой толщиной, а следовательно, и с одинаковой удельной емкостью 
. Для нескольких конденсаторов на одной подложке расчет начинают с конденсатора, имеющего наименьший номинал емкости. Исходные данные: номинальная емкость конденсатора С; масочный метод изготовления обеспечивает предельные отклонения конденсатора 
= 15...20%; рабочее напряжение на конденсаторе 
, определяемое по результатам расчета схемы по постоянному току; время работы 
в ч.
1.Выбирается материал диэлектрика (табл.2.3.). Это позволяет установить удельную емкость , электрическую прочность Е, ориентируясь по значениям из табл.2.3, а также диэлектрическую проницаемость 
и температурный коэффициент емкости 
.
| Наименование материала диэлектрика | | | Е В / cм | | 1 / | ТУ на материал |
| Моноокись кремния | 5 10 | 60 30 | 2...3 | 5...6 | 2 | БКО.028.004 ТУ |
| Моноокись германия | 5 10 15 | 10 7 5 | 1.0 | 11...12 | 3 | ЕТО.021.014 ТУ |
| Боро-силикатное стекло | 2.5 5 10 | 24 15 10 | 3...4 | 4 | 0.36 | ЕТО.035.015 ТУ |
| Стекло электро- вакуумное С41-1 | 15 20 30 40 | 12.6 10...12,6 6,3...10 6,3 | 3...4 | 5.2 | 1,5...1,8 | НПО.027.600 |
Наилучшим материалом для обкладок конденсаторов является алюминий А99 (ГОСТ 11069-64) при толщине 0,5 мкм, имеющий плохую адгезию к подложке. для предотвращения отслаивания нижней обкладки вначале напыляют подслой титана или ванадия. Относительная погрешность обеспечения - 
=3...10%. Относительная погрешность емкости при старении 
=2...10% за 1000 ч работы. ТКЕ указан для температуры (+25 ...+125)
С.
2.Рассчитывается толщина диэлектрического слоя, обеспечивающая электрическую прочность конденсатора, 
, и соответствующий уровень удельной емкости 
, где d выражается в см, 
- в пФ/см
.
3.Определяются составляющие эксплуатационной погрешности емкости 
(аналогично п. 3 порядка расчета резисторов): температурная - 
=
, учитывая перегрев внутри конструкции целесообразно рабочую температуру конденсатора t увеличить на 10...15 C относительно плюсовой температуры по ТЗ; за счет старения 
; погрешность активной площади конденсатора (площадь верхней обкладки) 
- - -
4.Рассчитывается удельная емкость, обусловленная конечной точностью изготовления размеров верхней обкладки конденсатора 
=
, где 
- коэффициент формы тонкопленочного конденсатора. Если нет особых требований к форме конденсатора, принимают 
; 
- производственные погрешности изготовления длины и ширины конденсатора. При 
=1; 
=50...100 мкм и более, в зависимости от L (B).
5.Используемое в дальнейших оценках расчетное значение 
должно отвечать технически реализуемым уровням , которое выбирается из табл. 2.3.
6.Определяется фактическое значение толщины диэлектрического слоя
, где d выражается в см, - в пФ/см , мкФ/см . Безотказность и долговечность тонкопленочных конденсаторов обеспечивается при 
.
7.Определяются геометрические размеры конденсаторов.
Площадь верхней обкладки
, тогда
.
Размеры нижней обкладки:
=L+
; 
=B+
,
где h1~hb.(0,1...0,2) мм - припуски на совмещение слоев.
Размеры диэлектрического слоя:
= + ; 
= + .
8.Находится фактическое значение погрешности площади верхней обкладки конденсатора 
=
.Необходимо, чтобы s, где s из п. 3. Фактическая напряженность электрического поля в конденсаторе 
. Необходимо, чтобы 
из табл.2.3.
