моё!!!!!!!! (КР - Бескорпусная микросборка (МСБ))
Описание файла
Файл "моё!!!!!!!!" внутри архива находится в папке "КР - Бескорпусная микросборка (МСБ)". Документ из архива "КР - Бескорпусная микросборка (МСБ)", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "основы конструирования и технологии приборостроения радиоэлектронных средств (окитпрэс)" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве МАИ. Не смотря на прямую связь этого архива с МАИ, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "основы конструирования и технологии рэс" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "моё!!!!!!!!"
Текст из документа "моё!!!!!!!!"
18
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНА ОКТЯБРЬСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ
АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ имени СЕРГО ОРДЖОНИКИДЗЕ
_______
Кафедра 404
Курсовая работа по дисциплине:
"Основы конструирования и технологии РЭС"
Выполнил студент: в С. А.
Группа: 04-306
Проверил преподаватель: Мухин А. А.
МОСКВА 2003
СОДЕРЖАНИЕ.
Стр.
Содержание 2
Введение 3
Задание на курсовую работу 4
1. Разработка технического задания на изделие. 5
2. Анализ схемы электрической принципиальной. 9
2.1. Краткое описание принципа работы.
2.2. Расчет схемы по постоянному току.
2.3. Выбор радиоэлементов.
3. Выбор технологии изготовления и материала ПП.
4. Расчет элементов ПП.
5. Определение размера ПП.
6. Разработка конструкции модуля
7.Расчет теплового режима, вибропрочности и надежности изделия.
7.1. Расчет теплового режима.
7.2. Расчет вибропрочности.
7.3. Расчет надежности.
8. Список литературы.
Введение.
Курсовая работа по дисциплине "Основы конструирования и технологии радиоэлектронных средств" представляет собой заключительный этап изучения данной дисциплины. Ее цель - подготовить студентов к самостоятельному решению проектно-конструкторских задач при выполнении дипломного проекта и последующей работе на предприятиях промышленности.
Задачами курсовой работы являются:
-систематизация, расширение и углубление теоретических знаний по дисциплине;
- развитие и закрепление практических навыков разработки конструкций и технологии радиоэлектронных средств (РЭС);
- приобретение опыта работы с нормативно-технической документацией, технической литературой и разработки конструкторской и технологической документации на РЭС.
В курсовой работе студенту предлагается разработать конструкцию бортового или наземного РЭС функционального различного назначения. Содержание конструкторских и технологических задач курсового проекта соответствует стадиям технического предложения, эскизного и технического проектирования. По сложности разрабатываемое РЭС относится к изделиям первого и более высоких структурных уровней.
Задание на курсовую работу.
Заданием на курсовую работу является схема электрическая принципиальная, на основе которой следует разработать изделие в одном из двух конструкторско-технологических вариантах:
1. Бескорпусная микросборка (МСБ);
2. Изделие на печатной плате (ПП).
В первом случае изделие выполняется на тонкопленочной бескорпусированной микросборке, а во втором - на печатной плате с использованием дискретных радиоэлементов.
Реализуемая схема взята из книги Горошков Б.И. Элементы радиоэлектронных устройств. - М.: Радио и связь, 1988 (рис. 7.10). она будет реализовываться вторым методом, при этом будут решаться следующие задачи:
1. Разработка технического задания на изделие;
2. Анализ электрической принципиальной схемы;
3. Выбор технологии изготовления и материала ПП;
4. Расчет элементов ПП;
5. Определение размера ПП;
6. Разработка конструкции модуля;
7. Размещение элементов и трассировка ПП;
8. Разработка конструкции модуля;
9. Расчет теплового режима, вибропрочности и надежности изделия.
1. Разработка технического задания на изделие.
1.1. Наименование и область применения.
Охранное устройство на ИК-датчиках.
1.2. Основание для разработки.
Основанием для разработки служит задание на курсовую работу.
1.3. Цели и задачи разработки.
Цель разработки является комплект конструкторской технологической документации на изделие.
Задачами разработки являются:
- схемотехническая отработка конструкции;
- разработка конструкции изделия;
- расчет показателей качества конструкции;
- оформление схемной и конструкторской документации.
1.4. Источники разработки.
1.4.1. Литературные источники:
1. Горошков Б. И. Элементы радиоэлектронных устройств. - М.: Радио и связь, 1988.
2. Борисов В. Ф., Мухин В. В. и др. Основы конструирования и технологии РЭС (пособие для курсового проектирования). - М.: МАИ, 1998.
1.4.2. Описание работы устройства.
Устройство состоит из двух частей: генератора ИК излучения и приёмника этого излучения со встроенным усилителем и сигнализацией. Инфракрасный передатчик работает на звуковой частоте 1500 Гц. Мощность светодиода подобрана так, чтобы устройство реагировало на человека или подобных по объёму преград.
1.5. Технические требования.
1.5.1. Состав изделия и требования к его конструкции.
Изделие должно быть выполнено в виде двух модулей на печатных платах (ПП) размерами минимально допустимыми для обеспечения максимальной скрытности. Строгих требований к массе устройства нет. Для защиты от климатических воздействий (таких, как повышенная влажность, повышение и понижение температуры) изделие покрывается лаком.
1.5.2. Показатели назначения.
Стабилизирующий источник напряжения + 12 В;
Рабочая частота 1500 Гц;
Потребляемая мощность 0,8 Вт;
1.5.3. Требования к надежности.
Интенсивность отказов каждого элемента, i 10 1/час;
Вероятность безотказной работы, Р 0,99962;
Время наработки на отказ, Т0 62500 час.
1.5.4. Требования к уровню унификации и стандартизации.
Уровни унификации и стандартизации, оцениваемые коэффициентами унификации и стандартизации, должны быть не ниже 0,7 - 0,9.
1.5.5. Требования к безопасности.
Изделие должно быть электробезопасно в производстве и эксплуатации.
1.5.6. Эстетические и эргономические требования.
По эстетическим и эргономическим показателям изделие должно отвечать требованиям, предъявляемым к бытовой аппаратуре.
1.5.7. Условия эксплуатации.
Разрабатываемая конструкция относится к наземному виду конструкций РЭС. Для нее определены следующие фактору и параметру воздействия окружающей среды:
Вибрации: частота 10 - 70 Гц,
ускорение 1 - 4 g*;
Удары (перегрузки): сотрясения 10 - 15 g,
одиночные 5 - 100 g;
Линейные перегрузки: 2 - 4 g;
Интервал рабочих температур: { -40...+50 } С;
Относительная влажность при 50 С 80 - 93 %.
* - м/с^2
1.5.8. Дополнительные требования.
Ограничение: изделие должно быть выполнено на ПП.
1.5.9. Требования к транспортировке и хранению.
Транспортировка изделия должна производится всеми видами транспорта без ограничения расстояния в специальной упаковке.
Хранение изделия должно проводиться в капитально отапливаемом помещении при температуре t = { -10...+40} С и относительной влажности не более 60% при t = 20 С.
1.6. Стадии разработки.
Получение задания на разработку 23.02.2003,
Разработка ТЗ на изделие 23.02. - 23.03.2003,
Анализ электрической принципиальной схемы 23.03. - 12.04.2003,
Расчеты 12.04. - 16.05.2003,
Выполнение чертежей 16.05. - 08.06.2003,
Сдача выполненной работы на проверку 29.05.2003,
Защита 05.05.2003.
1.7. Комплектность документации.
- расчетно-пояснительная записка,
- схема электрическая принципиальная,
- топологический чертеж платы,
- сборочный чертеж платы,
- чертеж модуля.
1.8. Специальная литература.
1. Акимов Н.Н., Ващунов Е.П. И др. Резисторы, конденсаторы, трансформаторы, дроссели, коммутационные устройства РЭА (справочник). - Минск: Беларусь, 1994.
2. Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник)./Под ред. Горюнова Н.Н./ - М.: Энергоатомиздат, 1983.
3. Глюкман Л.И. Пьезоэлектрические кварцевые резонаторы. - М.: Радио и связь, 1981.
4. Сидоров М.Н., Бинатов М.Ф., Шведова Л.Г., Индуктивные элементы радиоэлектронной аппаратуры (справочник). - М.: Радио и связь, 1992.
5. Радио Мир 10/2000. –М.: Радио и сязь, 2000.
2. Анализ электрической принципиальной схемы.
2.1. Расчет схемы по постоянному току.
Для расчета схемы по постоянному току возьмем все транзисторы в режиме короткого замыкания (рис. 2.1). После этого проводится анализ схемы по законам Ома и Кирхгофа. Это дает следующие соотношения для расчета мощностей резисторов и напряжений на конденсаторах:
I(n) = E(n) / R(n), (2.2.1)
Uc(n)= . (2.2.2)
Где n-порядковый номер элемента
Подставляя в (2.2.1) и (2.2.2) номинальные значения элементов и значение напряжения источника питания (указаны на схеме электрической принципиальной), получаем:
PR1 = Вт,
UC1 =
Полученные значения мощностей и напряжений будут использоваться для выбора радиоэлементов.
2.3. Выбор радиоэлементов.
Радиоэлементы, входящие в состав изделия, выбираются из справочных данных, взятых из специальной литературы. Выбранные элементы, их количество и массогабаритные параметры приведены в таблице 2.1.
Таблица 2.1
Наименование | Тип | Установ. площ., мм | Масса, г | Кол. |
Конденсаторы * | К10-17-1б | 64,4 | 2 | |
Резисторы ** | С2-14 | 13,2 | 0,15 | |
Транзистор | 1 | |||
Транзистор | 1 | |||
* - конденсаторы выбираются в соответствии с номиналом емкостей на напряжение Uном = 50 В.
** - резисторы выбираются в соответствие в номиналами сопротивлений на мощность Р = 0,25 Вт.
3. Выбор технологии изготовления и материала ПП.
В настоящее время существует много различных методов изготовления печатных плат. Это комплексные методы, предполагающие перенос на диэлектрик рисунка проводников ПП, получение топологии ПП и металлизацию (соединение) слоев.
Перенос рисунка проводников на поверхность диэлектрика производится фотометодами, методами офсетной печати и, реже, методами механического переноса рисунка. Фотометоды предполагают изготовление фотошаблонов в результате фотографирования оригиналов. В методах офсетной печати рисунок проводников на поверхность диэлектрика переносится с помощью сетчатого трафарета, на котором пробельные участки платы закрываются (часто фоторезисторами), а участки, соответствующие проводникам, прозрачны для проникновения защитных лаков, красок и т. п.
В качестве методов получения топологии проводников применяются методы химического травления меди и методы электролитического осаждения меди на поверхность диэлектрика.
В современных технологиях изготовления ПП часто объединяются методы фотопереноса рисунка, химического травления меди и адетивные методы металлизации отверстий. Такие методы получили название комбинированных методов изготовления ПП. Они подразделяются на позитивные и негативные.
Для изготовления разрабатываемого изделия применяется комбинированный метод.
В качестве материала платы выбирается (как наиболее применимый) фольгированный стеклотекстолит СФ1-50-1,5.
4. Расчет элементов ПП.
Расчету подлежат: диаметры переходных и монтажных отверстий, размеры контактных площадок, ширина проводника, расстояние между проводниками.
Расчет будет проводиться исходя из того, что разрабатываемая конструкция имеет второй класс точности, для которого:
- ширина проводника, t 200 мкм;
- расстояние между проводниками, S 0,45 мм;
- коэффициент, определяющий отношение
диаметра отверстия к толщине ПП, КЭТ 0,5.
Расчет диаметров переходных отверстий:
dПО КЭТ hПП, (4.1)
где hПП = 1,5 мм - толщина печатной платы.
Следовательно: dПО = 0,75 мм.
Расчет диаметров монтажных отверстий:
dМО dВ +2hГ + +Д, (4.2)
где dВ - диаметр выводов радиоэлемента;
hГ - толщина гальванически осажденной меди в отверстии;
(0,05..0,06)мм;
- разность между dМО и dВ, (0,4..0,6) мм;
Д - погрешность выполнения отверстия, (0,12 мм).
Расчет минимального диаметра контактной площадки:
dКП 2( bН + dМО/2 + 0 + КП) + ФФ + 1,5hФ, (4.3)
где 0 = 0,07 - погрешность расположения отверстия;
КП = 0,15 - погрешность расположения контактной площадки;
ФФ = 0,06 - погрешность выполнения фотошаблона;
hФ = 50 мкм - толщина фольги.
Результаты расчетов приведены в таблице 3.1.
Таблица 3.1
dВ, мм | dМО, мм | dКП, мм | |
Резисторы | 0,6 | 1,3 | 2,2 |
Конденсаторы | 0,6 | 1,3 | 2,2 |
Расчет минимального расстояния между проводниками:
S = lОЛ - (bпр + СП) (4.5)
где lОЛ = 0,85 - расстояние между осевыми линиями проводников;