fom (Определение параметров p-n перехода)
Описание файла
Документ из архива "Определение параметров p-n перехода", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "радиофизика и электроника" из , которые можно найти в файловом архиве . Не смотря на прямую связь этого архива с , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "рефераты, доклады и презентации", в предмете "радиоэлектроника" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "fom"
Текст из документа "fom"
«МАТИ»-РГТУ
им. К. Э. Циолковского
тема: «Определение параметров p-n перехода»
Кафедра: "Xxxxxxxxxx xxxxxxxxxx
xxxxxxxxxxxxxxxx"
Курсовая работа
студент Хxxxxxxx X. X. группа XX-X-XX |
дата сдачи |
оценка |
г. Москва 2001 год
Оглавление:
1. Исходные данные | 3 | |
2. Анализ исходных данных | 3 | |
3. Расчет физических параметров p- и n- областей | 3 | |
а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны | 3 | |
б) собственная концентрация | 3 | |
в) положение уровня Ферми | 3 | |
г) концентрации основных и неосновных носителей заряда | 4 | |
д) удельные электропроводности p- и n- областей | 4 | |
е) коэффициенты диффузий электронов и дырок | 4 | |
ж) диффузионные длины электронов и дырок | 4 | |
4. Расчет параметров p-n перехода | 4 | |
a) величина равновесного потенциального барьера | 4 | |
б) контактная разность потенциалов | 4 | |
в) ширина ОПЗ | 5 | |
г) барьерная ёмкость при нулевом смещении | 5 | |
д) тепловой обратный ток перехода | 5 | |
е) график ВФХ | 5 | |
ж) график ВАХ | 6, 7 | |
5. Вывод | 7 | |
6. Литература | 8 |
X Ev Ec Ei EF Eg |
X Ev Ec Ei EF Eg |
(рис. 1) | (рис. 2) |
г) концентрации основных и неосновных носителей заряда | |
д) удельные электропроводности p- и n- областей | |
е) коэффициенты диффузий электронов и дырок | |
ж) диффузионные длины электронов и дырок | |
4. Расчет параметров p-n перехода | |
a) величина равновесного потенциального барьера б) контактная разность потенциалов |
г) барьерная ёмкость при нулевом смещении д) тепловой обратный ток перехода | ||
– общий вид функции для построения ВФХ | ||
9