09

C2

Вход тактовый

10

Вход установки нуля триггера Т1

11

K2

Вход управляющий К триггера Т2

12

C1

Вход тактовый

13

Вход установки нуля триггера Т2

14

U

Вывод питания от источника питания

Входы

Выход

C

J

K

Q

0

X

X

X

0

1

1

1/0

0

1

0

1

1

1/0

1

1

СЧЕТНЫЙ РЕЖИМ

1

1/0

0

0

Q₀

1

1/0

1

0

1

0

1

1

X

X

Q₀

Обозна­чение

Наименование параметра

Норма

Единица измере­ния

Режим измерения

не менее

не более

tp_LH

Время задержки распространения сигнала при выключении

20

НС

и_сс=5,ОЕ+10%

_rL=o,5кom

t=2nc

tpHL

Время задержки распространения сигнала при включении

15

НС

Urr=5,OB+-10% R_L=0.5кОм С_L=50пФ t=2Hc

Обозна­чение

Наименование параметра

Норма

Единица

Режим измерения

не менее

не более

измерения

U_oh

Выходное напряжение высокого уровня

^UCC-²

В

U_cc=4,5В U_ih~2,OB U_IL=0,8В 1лн=-0,4мА I_OL=-0.4MA

u_ol

Выходное напряжение низкого уровня

0,4 0,5

В В

U_cc=4,58 U_IH=2,OB U_IL=0,8В

I_OL=4MA I_OL=8мА

I_IH

Входной ток высокого уровня - по выводам 01,04, 03. 11 - по выводам 09, 10, 12, 13

20 40

мкА

U_CC=5,5B U_IH=2,7B

i_il

Входной ток низкого уоовня - по выводам 01, 04, С 3,11 - по выводам 09, 10, 12, 13

|-0,2| |-0,4|

мА

U_CC=5,5B UT_L=0.4B

I_o

Выходной ток

I-30I

|-112|

мА

U_CC=5,5B U₀=2.25B

u_cdi

Прямое падение напряжения на антизвонном диоде

1-1,51

В

U_гр=4,53, I_L=-18мА

U_cc

Ток потребления

4,5

мА

U_CC=5,5B

Назначение, функциональные возможности

Тип

133, Н133, КМ133

134, К134, КР134

155, К155, КМ155

199

530, М530, Н530, КМ530

К531, КМ531, КР531

533, Н533

555, К555, КМ555

К599

КР1531

1533, КР1533

JК - триггер с логикой ЗИ на входе

ТВ1

+

+

+

Два JK-триггера со сбросом

ТВ6

+

+

Два JK-триггера с установкой «О» и «1»

ТВ9

+

+

+

+

Два JK-триггера с установкой «1»

ТВ10

+

+

Два JK-триггера с установкой «1» и общей установкой нуля и синхронизацией

ТВ11

+

+

Два JK-триггера

ТВ14

+

ТВ 15

+

+

+

5. Технология изготовления

Особенностью полупроводниковых ИМС является то, что все элементы изготавливают одновременно в едином технологическом цикле, отдельные операции которого (окис­ление и травление, диффузия, эпитаксия) выполняются в одной и той же среде.

При создании активных и пассивных элементов современных ИМС используют следующие основные технологические операции: окисление, травление, литографию, диффузию, ионное легирование, эпитаксию, напыление и нанесение пленок.

Окисление. Кремниевую пластину нагревают до 800 —1200 °С и подвергают воздействию кислорода или насыщенных водяных па­ров. В такой окислительной среде атомы на поверхности пластины взаимодействуют с кислородом и образуют тонкий диэлектрический слой. На начальных этапах изготовления ИМС слой толщи­ной 1—3 мкм используют как маску для проведения избирательной диффузии на участках пластины, не покрытых этим слоем. При помощи это­го слоя предотвращается диффузия примесей в полупроводник, находящийся под слоем, так как коэффициент диффузии примесей в двуоки­си кремния значительно меньше, чем в полупроводнике. Диэлектриче­скую пленку используют также в качестве диэлектрика для затвора МДП-транзисторов. На последнем этапе изготовления ИМС диэлектрический слой применяют для пассивации кристалла: этот слой, покрывая всю поверхность кристалла, предохраняет ИМС от воздействия окружающей среды.

Более современным является анодное окисление кремния, позво­ляющее формировать диэлектрическую пленку на поверхности крем­ния почти любой толщины путем выбора режима анодного окисления. В отличие от термического окисления это низкотемпературный про­цесс, который избавляет от нескольких высокотемпературных обрабо­ток, связанных с выполнением термического окисления при формирований масок.

Травление проводится в плавиковой кислоте, в которой этот слой рас­творяется. На тех участках пластины, на которых необходимо прово­дить диффузию, в слое при. помощи плавиковой кислоты вытравливают окна требуемых размеров.

Литография. Окна на поверхности пластины, используемые для проведения диффузии, наносятся фотолитографическим методом. При этом поверх слоя; на пластину наносят фоторезистор, представляющий собой тонкую пленку светочувствительного органического материала. Затем накладывается фотошаблон в виде стеклянной контактной ма­ски, на которой имеется рисунок, состоящий из прозрачных и непроз­рачных областей. Через маску фоторезистор подвергается облучению ультрафиолетовыми лучами, в результате чего при действии проявите­ля на облученных участках фоторезистор не проявляется. Таким образом, на поверхности пластины остается рисунок определенной конфигура­ции и соответствующих размеров. При травлении пластины в плавиковой кислоте для удаления слоя фоторезистор не растворяется, по­этому окна вскрываются только на участках, не покрытых экспони­рованным фоторезистором. Через эти окна и проводится, диф­фузия.

Фотолитография позволяет создавать рисунки с размерами элементов не менее- 2 мкм. Этим размером ограничивается плотность компоновки элементов на пластинах.