Вопросы к экзамену

Вопросы по электронике:

1. Физические процессы в равновесном p-n переходе.

2. p-n переход при прямом и обратном смещении.

3. Реальный ВАХ р-п перехода и причины отличия от идеального.

4. Ёмкости р-п перехода и вольт-фарадная характеристика.

5. Диоды Гана.

6. Лавинно-пролётные диоды.

7. Устройство биполярных транзисторов. Распределение примеси, схемы включения, режимы работы.

8. Физические процессы в биполярном транзисторе. Эффект Эрли.

9. Коэффициенты передачи тока в транзисторе.

10. ВАХ транзистора для схемы с общей базой. Режимы работы,
    h-параметры.

11. ВАХ транзистора с общим эмиттером. Режимы работы, h-параметры.

12. Высокочастотные свойства транзистора и эквивалентные схемы.

13. Работа транзистора в ключевом режиме, импульсные параметры.

14. Особенности транзисторов интегральных схем. Паразитный транзистор, скрытая п⁺-область.

15. Диодное включение транзистора интегральных схем и их параметры.

16. Физические процессы в МДП транзисторе. Режим обеднения, инверсии, обогащения, пороговое напряжение.

17. Структура дискретного МДП транзистора с индуцированным р-каналом. Принцип управления током, ВАХ.

18. Механизм образования канала и протекание тока в МДП транзисторе ВАХ.

19. Параметры полевых транзисторов.

20. Высокочастотные свойства полевого транзистора, эквивалентная схема.

21. Особенности полевых транзисторов интегральных схем.

22. Структура полевого транзистора с управляемым р-п переходом, принцип управления током, ВАХ.

23. Тиристор. Структура, принцип действия, ВАХ.

24. Вакуумные диоды. Устройство, назначение, характеристики.

25. Вакуумные триоды. Устройство, назначение, характеристики.

26. Вакуумные триоды. Устройство, назначение, характеристики.

27. Особенности диапазона приборов СВЧ. Физические процессы в двух резонаторном клистроне.

28. Клистроны. Классификация, устройство двух резонаторного клистрона, назначение элементов, резонатор.

29. Отражательный клистрон. Устройство, назначение элементов.

30. Устройство Лампы бегущей волны типа “O”. Назначение элементов, замедляющая система, свойства.

31. Физические процессы, параметры, характеристики ЛБВ-О.

32. Устройство ЛБВ, принцип действия.

33. Принцип действия приборов типа “H”, движение электронов в скрещенных полях.

34. Колебательная система магнетронов. Процесс образования спиц.

35. Рабочие характеристики магнетрона.

36. Физические процессы в ЛБВ-О. Физические процессы усиления колебаний.

37. Метроны. Устройство, назначение, характеристики.

38. Амплитроны. Устройство, назначение, характеристики.

39. Устройство и принцип работы ЭЛТ. Электромагнитная и электростатическая отклоняющие системы.

40. Экран ЭЛТ. Отклоняющая система.

41. Цветной кинескоп.

42. Фоторезистивный и фотогальванические эффекты и их применение.

43. Фоторезисторы. Устройство, принцип действия, параметры характеристики.

44. Лавинные фотодиоды. Устройство, принцип действия, параметры характеристики.

45. p-i-n фотодиоды. Устройство, принцип действия, параметры характеристики.

46. Фото ПЗС. Устройство, принцип действия, параметры характеристики.

47. Оптроны. Устройство, принцип действия, параметры характеристики.

48. Светодиоды. Устройство, принцип действия, параметры характеристики.

49. Плазменные панели. Устройство, принцип действия, параметры характеристики.

50. ЖКИ. Устройство, принцип действия, параметры характеристики.

51. Физические основы квантового усиления. Спонтанные и индуцированные переходы, характеристики и взаимосвязь.

52. Инверсия населенности и методы её получения. Взаимодействие с инверсной средой. Ширина контура спектральной линии.

53. Оптические резонаторы. Спектр излучения лазеров и условия генерации.

54. Гелий-неоновый атомарный лазер.

55. Твердотельный лазер. Лазер на рубине.

56. Полупроводниковые инжекционные лазеры.