62585 (Логические элементы на дополняющих МДП-транзисторах. Особенности логических элементов, реализуемых в составе БИС), страница 2
Описание файла
Документ из архива "Логические элементы на дополняющих МДП-транзисторах. Особенности логических элементов, реализуемых в составе БИС", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "коммуникации и связь" из , которые можно найти в файловом архиве . Не смотря на прямую связь этого архива с , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "рефераты, доклады и презентации", в предмете "коммуникации и связь" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "62585"
Текст 2 страницы из документа "62585"
а) схема элемента 4И-НЕ; 6) функциональное обозначение
Рис. 6. Логический элемент на КМДП с ВБ:
а) схема элемента НЕ, И-ИЛИ-НЕ; б) функциональное обозначение
Рассмотренные типовые схемы ЛЭ TTL-, T-TTL, ECL-, И Л-типов характеризуются универсальностью, так как предназначены для автономного применения в цифровых устройствах, при котором должно быть обеспечено высокое быстродействие передачи сигналов при хорошей помехоустойчивости и сравнительно высокой нагрузочной способности (типовые значения n=5…10). Однако использование этих элементов в составе кристалла БИС, где внутрисхемные связи имеют невысокую протяженность, сравнительно небольшую нагрузку и, следовательно, имеют низкую помехоустойчивость, позволяет упростить их конфигурацию и резко увеличить плотность упаковки ЛЭ в кристалле БИС. Упрощение схем ЛЭ позволяет значительно уменьшить число компонентов на реализацию вентилей И-НЕ, ИЛИ-НЕ, уменьшить потребляемую мощность и обеспечить качественный скачок при создании СБИС большой функциональной сложности.
Оценивая многообразие реализаций ЛЭ ИМС, необходимо выделить ряд наиболее приемлемых технологий БИС и СБИС, получивших наиболее широкое применение. К таким технологиям относятся биполярные и маломощные TTL-микросхемы с диодами Шотки, инжекционные логические микросхемы (И Л), микросхемы эмиттерно-связанной логики (ECL) и в части МДП-технологии микросхемы на полевых транзисторах. Сравнительные характеристики ЛЭ БИС для этих технологий приведены в табл.1, где отражены относительные величины важнейших параметров.
Таблица 1. Сравнительные характеристики типовых элементов
биполярной и МДП-технологий.
Тип ИМС | Относительная плотность упаковки* | Удельная мощность мВт/вентиль | Достижимая задержка на вентиль, нс |
TTL-Ш | 6 | 6 | 1 |
И Л | 10 | 2 | 2 |
ECL | 1 | 20 | 0,3 |
n-МДП | 10 | 3 | 3 |
КМДП | 8 | 0,01 | 1 |
*) За единицу взята площадь размещения на кристалле ECL-вентиля.
Прогресс в отношении быстродействия и плотности ИС за последние десятилетия, отражает закон Мура, впервые сформулированный основателем фирмы Intel Гордоном Муром в 1965г. и состоящий в том, что число транзисторов, приходящихся на квадратный дюйм в ИС, каждый год удваивается.
В последние годы темп этого движения несколько замедлился: удвоение происходит теперь каждые 18 месяцев; но важно отметить, что одновременно с удвоением плотности также вдвое увеличивается быстродействие схем.
То есть полупроводниковая техника развивается по экспоненциальному закону.
Когда только появились ИС, в одном корпусе было порядка дюжины транзисторов. Сегодня в результате экспоненциального роста плотности упаковки микропроцессоры преодолели отметку в 10 миллионов транзисторов на один кристалл. Эксперты утверждают, что менее чем через 10 лет это число достигнет 100 миллионов.
ЛИТЕРАТУРА
1. Новиков Ю.В. Основы цифровой схемотехники. Базовые элементы и схемы. Методы проектирования. М.: Мир, 2001. - 379 с.
2. Новиков Ю.В., Скоробогатов П.К. Основы микропроцессорной техники. Курс лекций. М.: ИНТУИТ.РУ, 2003. - 440 с.
3. Пухальский Г.И., Новосельцева Т.Я. Цифровые устройства: Учеб. пособие для ВТУЗов. СПб.: Политехника, 2006. - 885 с.
4. Преснухин Л.Н., Воробьев Н.В., Шишкевич А.А. Расчет элементов цифровых устройств. М.: Высш. шк., 2001. - 526 с.
5. Букреев И.Н., Горячев В.И., Мансуров Б.М. Микроэлектронные схемы цифровых устройств. М.: Радио и связь, 2000. - 416 с.
6. Соломатин Н.М. Логические элементы ЭВМ. М.: Высш. шк., 2000. - 160 с.