ЛР2 сапфир (Подборка отчетов по практике 2009)
Описание файла
Документ из архива "Подборка отчетов по практике 2009", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология полупроводниковых приборов" из 9 семестр (1 семестр магистратуры), которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "технология полупроводниковых приборов" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "ЛР2 сапфир"
Текст из документа "ЛР2 сапфир"
Московский Энергетический Институт (ТУ).
ОАО НПП «Сапфир»: производство
БИС КМОП КНС на гибком носителе.
Выполнила: ст. гр. ЭЛ-15-04
Ожогина Ю.М.
Проверила: Шеметова В.К.
Москва.
2008 г.
В настоящее время на НПП ″Сапфир″ одним из основных направлений деятельности является изготовление микросхем по технологии КНС на гибком носителе. Одно из преимуществ такой технологии – малые массогабаритные показатели. В КНС технологии в качестве подложки используется сапфир - Al2O3. На него эпитаксиальным способом наносят слои полупроводников, например, кремния или арсенида галия. Поскольку материалы подложки и полупроводника не являются "родственными" и имеет место автолегирование Al из подложки, то полупроводник обладает высокой плотностью дефектов. Эти дефекты обуславливают значительные токи утечки p-n переходов, малое время жизни и низкую подвижность носителей. Для уменьшения автолегирования Al из подложки полупроводники наносят молекулярно-лучевым способом, имеющим низкие температуры процесса.
Рис. 1. Внешний вид микросхем на гибком носителе с ленточными выводами после сборки на носитель (а), в таре для проверки работоспособности и технологических испытаний (б) и после вырубки перед монтажом на плату (в).
Гибкий носитель в такой технологии – алюминий с нанесенным полиимидным слоем. В самом начале производится очисткаповерхности алюминиевой ленты.
Рис. 2. Машина для химической очистки поверхности алюминиевой ленты.
Рис. 3. Фотошаблон
Затем наносится на нее негативный фоторезист и экспонируется рисунок фотошаблона. Далее поверхность ленты травится и удаляется резист. Лента покрывается защитным лаком; разрезается на отдельные носители. Затем производится контроль качества полученных изделий.
Готовый гибкий носитель.
После успешного завершения испытания носителя на него ″сажается″ кристалл, изготовленный по технологии КНС.
Изготовление ИС по технологии КНС начинается с того, что сначала поверхность сапфировой пластины очищается от загрязнений. После этого на ней выращивается пленка монокристалличекого кремния, в которой и осуществляетя формирование необходимой структуры статических неоднородностей. Затем пластина режется на отдельные микросхемы.
Далее производится сварка выводов микросхемы и гибкого носителя.
После завершения сборки микросхема подвергается различным видам испытаний. Контроль качества полученных приборов происходит в специально оборудованных стендах. Прибор помещается туда на время испытания и подвергается всевозможным экстремальным воздействиям (отрицательная температура окружающей среды, большие ток или напряжение и т.д.). Иногда время одного испытания может достигать нескольеих суток. При успешном завершении этого этапа готовые изделия направляются к заказчику.
Рис. 4. Пластина, изготовленная по технологии КНС, разрезанная на отдельные кристаллики.
5
