ЛР1_Будкина (Подборка отчетов по практике 2009), страница 2
Описание файла
Документ из архива "Подборка отчетов по практике 2009", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология полупроводниковых приборов" из 9 семестр (1 семестр магистратуры), которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "технология полупроводниковых приборов" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "ЛР1_Будкина"
Текст 2 страницы из документа "ЛР1_Будкина"
Производство.
НПП «Сапфир» занимается производством микросхем микропроцессорного комплекта для построения цифровой аппаратуры преимущественно аэрокосмического назначения. Отличительными особенностями микросхем являются:
-
КМОП-технология на структурах КНС
-
бескорпусное исполнение на полиимидном носителе
-
высокое быстродействие (тактовая частота – 10МГц)
-
малая потребляемая мощность (не более 5 мВт)
-
высокая радиационная стойкость.
Проводится модернизация микросхем комплекта под индивидуальные требования заказчика и их производство.
Одним из основных принципов производства на НПП «Сапфир» является защита от статического электричества. На всех стадиях изготовления, испытания и поставки предотвращается возможность разряда статического электричества.
-
Первый элемент защиты – так называемый «спутник-носитель». Он представляет собой контейнер чёрного цвета, в котором размещаются микросхемы. С помощью «спутника-носителя» мы можем производить подключение микросхемы к компьютеру для контроля после каждого вида испытаний.
Такой контейнер производится из определённого материала.
С одной стороны, материал не должен быть изолятором, а с другой – должен быть плохим полупроводником (так как не должно быть шунтирования выводов помещенной в «спутник-носитель» микросхемы, но небольшая проводимость всё-таки должны быть). Статический потенциал такого материала Uст должен быть меньше 120 В.
Такие корпуса изготавливаются из композиционных материалов. В основе композита лежит полимерная матрица и дроблёное углеволокно. Если в составе содержится меньше 50% углеволокна, то материал становится слегка проводящим. Это новый класс материалов. Размер дроблёного углерода здесь составляет 300 мкм. Если же использовать в качестве наполнителя углеродные нанотрубки, то речь уже пойдёт о нанокомпозитах. Этот материал кроме нужных электрических характеристик будет прозрачным, что тоже немаловажно.
-
Второй элемент защиты – упаковка микросхемы в «спутнике-носителе» в фольгу.
-
Третий элемент – прозрачные антистатические пакеты, в которые упаковывается микросхема в «спутнике-носителе» и в фольге.
Для защиты от отрицательных воздействий статического электричества необходимо также соблюдать определённые требования в процессе производства:
-
Необходимо соблюдать определённый класс чистоты (несколько пылинок на см3)
-
Использовать антистатические шлемы, халаты и другие антистатические аксессуары
-
Применять в рабочих помещениях биполярные аэроионизаторы (по санитарным нормам благоприятными условиями для человека считаются от 400 до 50000 ионов на см3)
Чтобы контролировать количество аэроионов используются специальные малогабаритные счётчики.
Также контролируется и статическое напряжение с помощью переносных бесконтактных измерителей электростатического потенциала.
