2009AD (Экзаменационная программа по Бородулину)

Активные диэлектрики 2009/2010

1.Активные диэлектрики. Определение, основные группы и характерные свойства.

2.Основные этапы и история изучения сегнето- и пьезоэлектрических материалов.

3. Нелинейность, как параметр активных диэлектриков. Методы оценки нелинейности.

4. Классификации сегнетоэлектриков.

5. Термодинамическая теория фазовых переходов второго рода в сегнетоэлектриках. Основные положения.

6. Термодинамическая теория фазовых переходов в сегнетоэлектриках. Параэлектрическая фаза (основные соотношения и закономерности изменения параметров).

7. Термодинамическая теория фазовых переходов в сегнетоэлектриках. Полярная фаза.

8. Изменение  от температуры и постоянного поля смещения в в параэлектрической фазе с.э. (общие соотношения и графическая интерпретация).

9. Условие получения максимальной нелинейности с.э. в парафазе (уравнения и графическая интерпретация).

10. Динамическая теория спонтанной поляризации. Основные положения, соотношение ЛСТ, мягкая мода сегнетоэлектрических колебаний.

11.Основные методы получения сегнетоэлектрических пленок.

12. Размерный эффект в с.э. пленках. Основные физические модели размерного эффекта.

13.Привести методику вычисления параметров активного емкостного элемента ИС на основе сегнетоэлектрика с максимальной нелинейностью в парафазе. Считать, что известна температурная зависимость диэл. проницаемости и одно значение ( ).

14.Предполагая наличие ФП 2 рода в с.э. элементе ИС, найти в явном виде формулы для определения основных констант, если известна температурная зависимость  в сегнето- и парафазе.

15. Считая, что для параэлектрического элемента ИС известна зависимость  и одно значение   приведите все формулы, необходимые для расчета Тк.

16.Последовательность вычисления коэффициента нелинейности параэлектрического элемента при заданной температуре и напряженности смещающего поля, если определена зависимость Т и одно значение Т, Е.

17. Найти в явном виде формулы для определения константы Кюри-Вейсса и точки Кюри, если известна температурная зависимость Т в параэлектрической области сегнетоэлектрика.

18. Конструкция пленочного планарного конденсатора с активным диэлектриком и расчет его емкости.

19. Дисперсия комплексной диэлектрической проницаемости параэлектриков и диэлектрические потери на СВЧ.

20. Пьезоэлектрический эффект. Основные параметры и уравнения пьезоэффекта.

21. Электрофизические свойства и характеристики пьезоэлектрических пленок.

22. Пироэлектрический и электрокалорический эффекты. Определение и основные соотношения.

23. Применение пиро- и пьезоэлектрических пленок в электронике.

24.Сегнетоэлектрические тонкие пленки. Особенности технологии. Проблемы и возможные пути их решения.

25.Критериальные характеристики пироэлектриков и важнейшие материалы для пироэлектрических кристаллов и тонких пленок.

26.Пьезорезонанс. Методы определения основных параметров пьезокерамики.

27.Сегнетоэлектрические пленке в микросхемах ЗУ. Требования к характеристикам. Материалы.

28. Принцип работы ячеек сегнетоэлектрической памяти на примере составов .

29. Основные схемы сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти.

30. Электреты. Виды электретов. Гомо и гетерозаряды электретов. Электрофизические свойства.

31. Основные механизмы возникновения электретного эффекта и методы расчета параметров электретов.

32. Электретно-термический анализ (основные понятия и методы термоактивационной спектроскопии).

33. Основные типы поверхностных акустических волн в диэлектриках (ПАВ) и их применение в радиоэлектронике.

34. Свойства встречно-штыревых преобразователей на ПАВ и основы технологии.

35. Жидкокристаллические диэлектрики. Структура, физические и диэлектрические свойства, применение.

36.Периодические доменные структуры на сегнетоэлектрических кристаллах.

37.Сегнетоэлектрические нанокомпозиты и нанокерамика как компоненты функциональной электроники. Общая характеристика и применение.