Билеты 2008 (Билеты к экзамену)
Описание файла
Документ из архива "Билеты к экзамену", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физика и технология некристаллических полупроводников" из 8 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "физика и технология некристаллических полупроводников" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Билеты 2008"
Текст из документа "Билеты 2008"
Билеты к экзамену по курсу «Физика и технология некристаллических полупроводников»
2008 год, группы ЭЛ-15-04 и ЭР-05-04
Билет №1
-
Определение некристаллических тел. (I сем. – стр. 2-3)
-
Определение локализованных состояний по Мотту и Андерсону. (I сем. – стр. 35)
-
Материал НКПП для лазерного принтера, излучающий в красной области спектра.
Билет №2
-
Зависимость фотопроводимости НКПП от напряжённости электриечского поля. Объяснить. Видиконы, их устройство, принцип работы. (I сем. – стр. 68, II сем. – стр. 29-31)
-
Методы получения a-Si:H. (II сем. – стр. 9-10, 16-18)
-
Задача на нахождение угла связи из двух пиков. (I сем. – стр. 19)
Билет №3
-
Метастабильные состояния
-
Модели КФО, Губанова и Мотта-Девиса
-
Задача на нахождение угла связи из двух пиков. (I сем. – стр. 19)
Билет №4
-
PRAM. (II сем. – стр. 54-56)
-
Ксерокспроцесс. (II сем. – стр. 20)
-
Определение типа проводимости по разнице температурной зависимости электропроводности и ТЭДС. (I сем. – стр. 48)
Билет №5
-
Необходимые условия и количественный критерий стеклообразования. (I сем. – стр. 9-11)
-
Дефекты в НКПП. Модель Мотта-Девиса-Стрита. Пары с переменной валентностью. (I сем. – стр. 38-41)
-
Получение электрофотографичеких носителей на a-Si:H. Какие при этом возникают проблемы. (II сем. – стр. 12, 25-26)
Билет №6
-
Параметры ближнего порядка. Геометрическое и энергетическое определение ближнего порядка. (I сем. – стр. 2-3, 13-14)
-
Особенности создания фотоэлектрических преобразователей на основе a-Si:H. (II сем. – стр. 33-40)
-
Особенности структурной модификации тонких плёнок из a-Si:H. (I сем. – стр. 44-45, 50-51 ?)
Билет №7
-
Средний порядок. (I сем. – стр. 14-16)
-
Прямые и обращенные структуры фотоэлектрических преобразователей. Достоинства и недостатки. (II сем. – стр. 35-36)
Билет №9
-
Исследование некристаллических структур методом колебательной спектроскопии. Косвенные методы исследования. (I сем. – стр. 20-22)
-
Многоуровневая ячейка памяти на ХСП. (II сем. – стр. 54-56)
-
Задача на нахождение угла связи из двух пиков. (I сем. – стр. 19)
Билет №11
-
Молекулярная структура некристаллического селена. (I сем. – стр. 30)
-
Носители оптической информации. (II сем. – Рис. 2-9)
-
Задача на нахождение угла связи из двух пиков. (I сем. – стр. 19)
Билет №13
-
Атомная структура и дефекты в аморфном кремнии. Влияние на них водорода. (I сем. – стр. 44-45)
-
Зависимость коэффициента поглощения для некристаллических полупроводников. (I сем. – стр. 62-65)
-
Задача. Найти пси (без учёта металлизации). (I сем. – стр. 10-11)
Билет №14
-
Легирование а-Si:H. Методы, режимы. Зависимость энергии активации проводимости и электропроводности от концентрации примеси. (I сем. – стр. 50 -5 1)
-
Фотоиндуцированные изменения химических свойств НКПП, изменение скорости растворения под действием травителей. (I сем. – стр. 72)
-
–
Билет №15
-
Тонкопленочные транзисторы. Конструкции, преимущества, недостатки. (II сем. – стр. 41-42)
-
Конфигурационная модель фотоиндуцированных изменений. (I сем. – стр. 72-73)
-
Необходимые требования (или условия) для эффективного фотоэлектрического преобразования в ФЭП. (II сем. – стр. 35)
Билет №16
-
Структурная модификация НКПП. Области применения, эффективность. I сем. – стр. 53-54)
-
Фотопроводимость. Зависимость от температуры, длины волны, напряжённости электрического поля (?). I сем. – стр. 65-68)
-
Требования к материалу, используемому в элементах записи потенциального рельефа. (II сем. – стр. 18-19)
Билет №19
-
Классификация некристаллических веществ. (I сем. – стр. 3-4)
-
Дефекты на атомах халькогенов и пептидов (5 и 6 групп). Пары с переменной валентностью. (I сем. – стр. 38-43)
-
Морфология и средний порядок. Их аспекты и применение. (I сем. – стр. 55-59)
Билет №20
-
Атомная структура стеклообразного мышьяка.
-
Методы снижения кристаллизации видиконов.
-
Про экситоны.
Билет №21
-
Изменение параметров ближнего порядка. (I сем. – стр. 55)
-
Образование ХСП из расплава. (I сем. – стр. 11-12)
-
Механизм электронной проводимости в органических полупроводниках. (II сем. – стр. 56-59)
Билет №22
-
Механизмы электропроводности в некристаллических полупроводниках. Зависимость от частоты. (I сем. – стр. 45-48)
-
Микрокристаллический кремний. Цели и режимы получения. (II сем. – стр. 12-13)
-
Механизм увеличения скорости диффузии металлов в ХСП при фотовоздействии. (I сем. – стр. 73, II сем. – стр. 31-32)
Билет №2?
-
Методы получения твёрдых растворов на основе a-Si:H. (II сем. – стр. 15-16)
-
Инверсия проводимости в объёмных ХСП. (I сем. – стр. 52-53)
-
Метод компьютерного моделирования Монте-Карло. (I сем. – стр. 25)